Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống
1
/ 51 trang
THÔNG TIN TÀI LIỆU
Thông tin cơ bản
Định dạng
Số trang
51
Dung lượng
1,86 MB
Nội dung
LỜI CẢM ƠN Tôi xin chân thành cảm ơn Ban chủ nhiệm khoa Vật lý, các thầy giáo, cô giáo trong khoa Vật lý đã nhiệt tình giảng dạy, giúp đỡ tôi trong suốt thời gian học tập và rèn luyện tại trường Đại học Vinh. Tôi xin chân thành cảm ơn thầy giáo hướng dẫn TS. Lưu Tiến Hưng đã tận tình hướng dẫnvà tạo điều kiện giúp đỡ tôi trong quá trình học tập và làm khoá luận tốt nghiệp này. Cuối cùng tôi xin cảm ơn cácbạn sinh viên trong tập thể lớp 47B khoa Vật lý và gia đình đã động viên, tạo mọi điều kiện giúp tôi trong suốt quá trình học tập và nghiên cứu. Vinh, tháng 5 năm 2010 Vũ Văn Nam 1 MỤC LỤC Trang Mở đầu 4 Chương I. Giới thiệu chung về họ linh kiện bán dẫn thuquang 6 1.1. Khái niệm 6 1.2. Phân loại 6 1.2.1. Phân loại theo nguyên lý hoạt động 6 1.2.2. Phân loại theo vùng sóng bức xạ quang 7 1.3. Các vật liệu chế tạo các linh kiện thuquang 8 1.3.1. Các vật liệu bán dẫn và detector ứng dụng thông tin đường dài 9 1.3.2. Các mạng địa phương 10 1.3.3. Detector ảnh nhiệt thu sóng dài 10 1.3.4. Các detector tốc độ cao 11 Kết luận chương 11 Chương II. Một số thông số đặc trưng của họ linh kiện 12 bán dẫn thuquang 2.1. Sự hấp thuquang trong chất bán dẫn 12 2.1.1. Quá trình hấp thuquang trong bán dẫn có vùng cấm thẳng 12 2.1.2. Quá trình hấp thu trong bán dẫn có vùng cấm không thẳng 13 2.2. Hiệu suất lượng tử và độ nhạy phổ 15 2.2.1. Hiệu suất lượng tử 15 2.2.2. Độ nhạy phổ 16 2.3. Tỷ số tín hiệu trên nhiễu và độ phân giải 18 2.4. Thời gian đáp ứng 19 Kết luận chương 22 2 Chương III. Linh kiện bán dẫn thu tín hiệu quang điển hình 23 3.1. Quang trở 23 3.1.1. Cấu tạo 23 3.1.2. Nguyên lý hoạt động 24 3.1.3. Các đặc tuyến quan trọng của quang trở 26 3.1.4. Các đặc trưng của quang trở 27 3.1.5. Ứng dụng của quang trở 30 3.2. Photodiode 32 3.2.1. Cấu tạo 32 3.2.2. Nguyên lý hoạt động 33 3.2.3. Cácđặctrưng cơ bảncủa photodiode 36 3.2.4. Ứng dụng của photodiode 40 3.3- Pin mặt trời 43 3.3.1. Cấu tạo 43 3.3.2. Nguyên lý hoạt động 44 3.3.3. Sơ đồ tương đương của pin mặt trời 45 3.3.4. Các tham số đặc trưng của pin mặt trời 47 3.3.5. Hiệu suất biến đổi quang điện của pin mặt trời 47 Kết luận chương 49 Kết luận 50 Tài liệu tham khảo 51 3 MỞ ĐẦU Để đáp ứng nhu cầu phát triển ngày càng nhanh của công nghệ thông tin cũng như cáclĩnh vực khoa học khác nhau, kỹ thuật quang - điện tử nói chung vàđặc biệt hơn đó là công nghệ nghiên cứu vàứngdụngcác thiết bị, linhkiện phát vàthuquang trong hệ thống thông tinquang đã có những bước phát triển mạnh mẽ và đạt được những thành tựu nổi bật . Cáctínhchấtđặctrưng bên cáclinhkiệnthutínhiệuquang như: độ nhạy, chất lượng thutín hiệu, sự phát sinh nhiễu…có tính quyết định tới tất cả hệ thống thông tin quang. Do đó việc nghiên cứu cáclinhkiệnbándẫnthutínhiệuquang có vai trò và ý nghĩa rất lớn trong hệ thống thông tin quang. Từ những lý do trên mà chúng tôi đã chọn đề tài: “Tính chất đặc trưng và một số ứng dụng của các linh kiện bán dẫn thu tín hiệu quang”. Mục đích của đề tài chính là tìm hiểucácđặc điểm, tínhchấtcủamộtsốlinhkiệnbándẫnthutínhiệu quang. Từ đó nêu lên ứngdụngcủa chúng trong thực tiễn. Bằng phương pháp nghiên cứu các tài liệu, sách, giáo trình, các website… có liên quan đến cáclinhkiệnbándẫn trong hệ thống thông tinquang kết hợp với sự hướng dẫn, sửa đổi tận tìnhcủa giáo viên hướng dẫn tôi đã hoàn thành khóa luận với bố cục như sau: Chương I: Giới thiệu chung về họ linhkiệnbándẫnthutínhiệu quang. Trong chương này, chúng tôi trình bày khái quát về họ linhkiệnbándẫnthutínhiệuquang gồm cácđặc điểm như: khái niệm, cách phân loại, các vật liệu dùng để chế tạo cáclinhkiệnthutínhiệu quang. Chương II: Mộtsố thông sốđặctrưngcủa họ linhkiệnbándẫnthu quang. Trong chương này, chúng tôi trình bày mộtsố thông sốđặctrưng cơ bảncủacáclinhkiệnthutínhiệuquang đó là: sự hấp thụquang trong chấtbán dẫn, hiệu suất lượng tử và độ nhạy, tỷ sốtínhiệu trên nhiễu và độ phân giải. 4 Chương III: Cáclinhkiệnbándẫnthutínhiệu quang. Đây là phần nội dung chính của khóa luận, trình bày tóm tắt cácđặc điểm về cấu tạo, nguyên lý hoạt động vàmộtsốứngdụngcủamộtsốlinhkiệnthuquang như: quang trở, photodiode và pin mặt trời. Khóa luận được kết thúc bằng phần kết luận, nêu tóm tắt những kết quả đã đạt được và danh mục các tài kiệu tham khảo. Mặc dù đã có nhiều cố gắng để khóa luận đạt được kết quả tốt nhất, song do trình độ và thời gian còn hạn chế do đó không thể tránh khỏi những thiếu sót. Rất mong nhận được những ý kiến đóng góp củacác thầy, cô giáo cùng cácbạn sinh viên cũng như những ai quan tâm đến đề tài này để khóa luận ngày càng được hoàn thiện hơn. Sau đây là phần nội dung chính của khóa luận 5 CHƯƠNG I GIỚI THIỆU CHUNG VỀ CÁCLINHKIỆNBÁNDẪNTHUQUANG 1.1. Khái niệm Các photodetector là tên gọi chung củacáclinhkiện thu, tách tínhiệu quang, đo thông lượng hay công suất tínhiệuquang bằng cách chuyển đổi năng lượng các photon bị hấp thụ sang các dạng năng lượng khác có thể đo được như: nhiệt năng, quang năng, điện năng,… Ngoài ra, người ta còn gọi loại linhkiện này với một tên chung khác nữa là sensor quang: là cácdụng cụ nhạy với các bức xạ quang, chúng thu nhận, biến đổi cáctínhiệuquang thành tínhiệu điện. 1.2. Phân loại 1.2.1. Phân loại theo nguyên lý hoạt động Dựa trên nguyên lý hoạt động củacáclinhkiện có thể phân ra hai họ linhkiện với tên thường dùng là: các detector nhiệt và detector quang điện [1]. 1.2.1.1. Các detector nhiệt Các detector nhiệt hoạt động bằng cách chuyển đổi năng lượng photon sang nhiệt. Hoạt động củacác detector nhiệt khá chậm vì quá trình chuyển đổi từ năng lượng photon sang nhiệt cần có một thời gian, trong khi đó cácứngdụng ở lĩnh vực quang điện tử cần các quá trình chuyển đổi xảy ra rất nhanh, vì vậy chúng không có vai trò lớn trong lĩnh vực này. 1.2.1.2. Các detector quang điện Các detector quang điện hoạt động trên nguyên lý chuyển đổi hiệuứngquang điện, ở đó sự hấp thụ photon bởi vật liệu bándẫn tạo ra các cặp điện tử - lỗ trống tạo ra tínhiệuquang điện dưới dạng dòng điện hay điện thế có thể đo được. Hiệuứngquang điện có 2 đặc trưng: Hiệu ứng quang điện ngoài vàhiệuứngquang điện trong. Hiệuứngquang điện ngoài bao gồm quá trình phát xạ điện tử từ bề mặt vật liệu khi bị chiếu sáng, còn hiệuứngquang điện trong chính là quá 6 trình quang dẫn, ở đó các hạt tải bị kích thích không bứt ra khỏi vật liệu mà vẫn ở trong lòng vật liệu bán dẫn. Khi chiếu một photon có năng lượng lớn hơn năng lượng vùng cấm vào bề mặt bándẫn thì quá trình hấp thụ photon xảy ra. Khi hấp thụ một photon, một điện tử được kích thích từ vùng hóa trị lên vùng dẫn để lại trong vùng hóa trị một lỗ trống, ta nói photon đã tạo ra một cặp điện tử - lỗ trống khi có trường điện đặt vào linhkiện sẽ có sự chuyển dời các điện tích về 2 cực tạo ra dòng điện ở mạch ngoài, dòng điện này được gọi là dòng quang điện. Bình thường một photon chỉ có thể tạo ra mộtsố cặp điện tử - lỗ trống nghĩa là với một lượng photon xác định chỉ có thể tạo ra một dòng điện xác định. Tuy nhiên có mộtsố loại linhkiệnthuquang có khả năng hoạt động với cơ chế khuếch đại bên trong nghĩa là dòng quang điện có khả được năng khuếch đại lên nhiều lần do mộtsố cơ chế đặc biệt của detector tạo ra. Linhkiện điển hình có khuếch đại trong các photodiode thác lũ (APD), quang trở… Các detector quang điện có ứngdụng rất rộng rãi trong thông tin quang, trong đo lường, biến đổi tínhiệuvà trong tự động hóa… 1.2.2. Phân loại theo vùng sóng bức xạ quang Vùng sóng bức xạ quang mà các photodetector hoạt động nằm trong dải bức xạ của ánh sáng nhìn thấy (0,38 – 0,78 µm), vùng hồng ngoại gần vàmột phần vùng hồng ngoại trung (0,78 – 15 µm). Tuy nhiên trong thực tế có nhiều linhkiệnthuquang có khả năng thu được cả ánh sáng nhìn thấy và bức xạ hồng ngoại nên khó có thể xác định linhkiện đó nhạy tại bước sóng nào. Đôi khi người ta phân chia photodetector ra các họ như: họ linhkiệnthuquang ánh sáng nhìn thấy, detector nhạy ở 3 cửasổ ở trong vùng hồng ngoại (IR), detector ảnh nhiệt (detector nhạy trong vùng từ 3 – 12 µm), cáclinhkiệnthucác bức xạ laser ở vùng 1,3 µm và 1,55 µm. Như vậy tùy theo cách phân loại mà họ cáclinhkiệnthuquang phân chia nhiều loại khác nhau. Ngày nay cáclinhkiệnthuquang với cấu trúc giếng lượng tử hay tổ hợp các cấu hình quang điện tử hiện đại với cấu hình phức tạp đang được phát triển rất mạnh mẽ và được sử dụng ngày càng rộng rãi. Họ cáclinhkiệnthuquang bao gồm: 7 Tế bào quang điện chân không, bộ phận quang điện. Quang trở. Các loại photodiode. Lưới hay ma trận photodiode. Phototransistor. Photothyristor. Photo FET. Các cấu hình photodiode giếng lượng tử, các detector IR. Các detector ảnh nhiệt (thermal detector). Các mạch tích hợp thu phát quang điện tử (OEIC). 1.3. Các vật liệu chế tạo cáclinhkiệnthuquang Về cơ bảncáclinhkiệnthuquang đều dựa trên các vật liệu bándẫn có thể chuyển đổi từ tínhiệuquang sang tínhiệu điện. Những vật liệu thường được dùng trong chế tạo linhkiệnthuquang là: Si, Ge, PbSe, InSe, CdSe, GaAs, HgCdTe…và tổ hợp của chúng (hình vẽ 1.1). Các vật liệu bándẫn được sử dụng để chế tạo photodetector hoạt động tại các dải sóng quang khác nhau và nhiệt độ khác nhau. Trong cấu trúc cáclinhkiệnthuquang thường bao gồm vật liệu bándẫn làm đế và vật liệu màng để làm detector trên đó. Về các vật liệu đế [1]: công nghệ bándẫn ngày nay, chỉ có mộtsố vật liệu bándẫn làm đế là: Si, GaAs, Ge và InP. Các vật liệu bándẫn khác cũng có thể được sử dụng nhưng với kích thước rất nhỏ do công nghệ chế tạo chưa phát triển hoặc mật độ sai hỏng trong mặt đế còn khá cao, hoặc đơn giản chỉ là thành phần rất đắt tiền. Do đó, việc chế tạo cáclinhkiệnthuquang theo ý muốn gặp không ít khó khăn. Về các vật liệu màng bándẫn [1]: trên các vật liệu đế, các vật liệu màng bándẫn thường được nuôi bằng kỹ thuật epitaxy và sau đó cáclinhkiện tích cực được chế tạo ra ở trên đó. Nhìn chung người ta cần nuôi các lớp epitaxy có hằng số mạng phù hợp với hằng số mạng của lớp đế. Tuy nhiên trong mộtsố trường 8 hợp cũng có thể nuôi một lớp epitaxy không trùng hằng số với mạng nhằm gây ra các sai hỏng để làm bẫy gần vùng biên tiếp giáp. Hình 1.1. Các vật liệu bándẫn được sử dụng để chế tạo các photodetector hoạt động tại các dải sóng quang khác nhau và nhiệt độ khác nhau [1]. Cácchấtbándẫndùng để chế tạo cáclinhkiệnthuquang thường có cấu trúc vùng năng lượng dạng vùng cấm xiên. 1.3.1. Các vật liệu bándẫnvà detector ứngdụng thông tin đường dài Các photon sử dụng bước sóng 1,3 µm và 1,55 µm được ứngdụng rất rộng rãi trong thông tin đường dài vì mất mát đường truyền trong sợi quang là nhỏ nhất tại các bước sóng này. Cáclinhkiệnthu cũng được chế tạo tương ứng để có độ nhạy với các bước sóng này. Các vật liệu GaAs không thể đáp ứng cho các đòi hỏi này vì bước sóng cắt của nó chỉ đạt đến cỡ 0,8 µm (hình 1.1). 9 Trong sốcácbándẫn hợp chất thì hệ bándẫn InGaAs, InGaAsP, GaAlSb, HgSdTe có thể nhạy với các bước sóng đã nêu ra, chúng có khả năng phát quang tại bước sóng 1,3 µm và 1,55 µm. Vật liệu làm linhkiệnthuquang được sử dụng rộng rãi nhất là In 0,53 Ga 0,47 As, vật liệu hợp chất này có hằng số mạng phù hợp với InP rất tốt cho thông tin đường dài. Linhkiệnthuquang chế tạo trên bándẫn Ge cũng được sử dụng trong thông tin đường dài, loại vật liệu này được để làm photodiode thác lũ, nó có độ khuếch đại khá cao, khá nhạy song chỉ làm việc ở nhiệt độ thấp (77 0 K). 1.3.2. Các mạng địa phương Trong các mạng địa phương (LAN’ s ) tínhiệuquang thường dùng là do LED phát ra ở bước sóng 0,8 µm, linhkiện này chế tạo trên vật liệu GaAs, nhưng vì mục đích giá thành thấp nên người ta thường dùnglinhkiệnthuquang Si loại APD. 1.3.3. Detector ảnh nhiệt thu sóng dài Các photodetector được sử dụng trong lĩnh vực ảnh nhiệt để nhìn đêm vàdùng trong y học…có dải bước sóng hoạt động khá rộng từ các bước sóng vài µm đến 20 µm. Các photodetector phục vụ cho mục đích này cần làm việc trên cơ sởcác vật liệu bándẫn có vùng cấm rất hẹp hoặc với sự trợ giúp củacác mức sai hỏng có trong vùng cấm trên các cấu trúc dị chất. Trong cácbándẫn có vùng cấm hẹp, các vật liệu quang trọng được chọn là hợp chấtbándẫn HgCdTe, PbTe, PbSe, InSb. Các delector không thuần trên cơ sở vật liệu Si, Ge với việc cấy các ion tạp chất vào để có các sai hỏng trong vùng cấm phù hợp cũng được sử dụng nhiều. Các giếng lượng tử có mộtứngdụng quan trọng là dùng để chế tạo loại detector hoạt động trên cơ sở giữa siêu vùng có các mức năng lượng khác nhau trong cấu trúc giếng lượng tử ở trong vùng dẫn. Công nghệ chế tạo vật liệu GaAs, AlGaAs có thể sử dụng tốt trong lĩnh vực này. 10