1. Trang chủ
  2. » Luận Văn - Báo Cáo

Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán dẫn

134 19 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 134
Dung lượng 4,28 MB

Nội dung

Ngày đăng: 16/11/2021, 16:38

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

Bảng 1.1. Ảnh hưởng của việc tiếp xúc khí H2S [4] - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán dẫn
Bảng 1.1. Ảnh hưởng của việc tiếp xúc khí H2S [4] (Trang 14)
Hình 1.1. Đặc trưng hồi – đáp khí của cảm biến kiểu điện trở [1]. - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán dẫn
Hình 1.1. Đặc trưng hồi – đáp khí của cảm biến kiểu điện trở [1] (Trang 21)
rộng về phía hạt nano biến tính [Hình 1.2(c)]. Chiều dày lớp nghèo lúc này được tính theo công thức (4) và (5) [1]: - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán dẫn
r ộng về phía hạt nano biến tính [Hình 1.2(c)]. Chiều dày lớp nghèo lúc này được tính theo công thức (4) và (5) [1]: (Trang 25)
Hình 1.3. Cơ chế nhạy khí của dây nano biến tính trên cơ sở tiếp xúc dị thể có cùng loại - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán dẫn
Hình 1.3. Cơ chế nhạy khí của dây nano biến tính trên cơ sở tiếp xúc dị thể có cùng loại (Trang 26)
Bảng 1.2. Đáp ứng khí của các dây nano oxit kim loại bán dẫn cấu trúc dị thể - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán dẫn
Bảng 1.2. Đáp ứng khí của các dây nano oxit kim loại bán dẫn cấu trúc dị thể (Trang 33)
Hình 1.9. (a) Đáp ứng khí của của dây nano SnO2 và cấu trúc SnO2/ZnO với 3 loại khí khử nồng độ 500 ppm, nhiệt độ 250 oC; (b) Đáp ứng khí của cấu trúc SnO2/ZnO tại các nhiệt - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán dẫn
Hình 1.9. (a) Đáp ứng khí của của dây nano SnO2 và cấu trúc SnO2/ZnO với 3 loại khí khử nồng độ 500 ppm, nhiệt độ 250 oC; (b) Đáp ứng khí của cấu trúc SnO2/ZnO tại các nhiệt (Trang 35)
Hình 1.10. Độ nhạy khí H2S tại nhiệt độ 50oC của của tấm nanoWO 3(a) và tấm nano WO3 biến tính bề mặt với hỗn hợp Au/SnO2 (b) [74] - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán dẫn
Hình 1.10. Độ nhạy khí H2S tại nhiệt độ 50oC của của tấm nanoWO 3(a) và tấm nano WO3 biến tính bề mặt với hỗn hợp Au/SnO2 (b) [74] (Trang 36)
Hình 1.11. Tính chất chọn lọc khí tại RT (a) và đáp ứng khí H2S theo nhiệt độ (b) của SnO2, NiO và SnO2/NiO [83] - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán dẫn
Hình 1.11. Tính chất chọn lọc khí tại RT (a) và đáp ứng khí H2S theo nhiệt độ (b) của SnO2, NiO và SnO2/NiO [83] (Trang 38)
Hình 2.2. Mô hình chế tạo dây nano SnO2: (1) oxi hóa lớp Si để tạo SiO2; (2) phủ lớp cản quang; (3) quang khắc để tạo hình điện cực; (4) phủ lớp Pt để chế tạo điện cực răng lược; - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán dẫn
Hình 2.2. Mô hình chế tạo dây nano SnO2: (1) oxi hóa lớp Si để tạo SiO2; (2) phủ lớp cản quang; (3) quang khắc để tạo hình điện cực; (4) phủ lớp Pt để chế tạo điện cực răng lược; (Trang 43)
Hình 2.3. Chu trình nhiệt chế tạo dây nano SnO2. - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán dẫn
Hình 2.3. Chu trình nhiệt chế tạo dây nano SnO2 (Trang 44)
Thiết kế của cảm biến cấu trúc dị thể SnO2/SMO được mô tả như trên Hình 2.4 - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán dẫn
hi ết kế của cảm biến cấu trúc dị thể SnO2/SMO được mô tả như trên Hình 2.4 (Trang 46)
Hình 2.7. Sơ đồ nguyên lý hệ đo khí cho phương pháp đo động tại Viện ITIMS [1]. - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán dẫn
Hình 2.7. Sơ đồ nguyên lý hệ đo khí cho phương pháp đo động tại Viện ITIMS [1] (Trang 53)
Hình 3.5. Độ đáp ứng khí của các cảm biến (A) tại 200o C; Thời gian đáp ứng khí của các cảm biến tại các nhiệt độ khác nhau (B) - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán dẫn
Hình 3.5. Độ đáp ứng khí của các cảm biến (A) tại 200o C; Thời gian đáp ứng khí của các cảm biến tại các nhiệt độ khác nhau (B) (Trang 63)
Hình 3.6. Độ đáp ứng khí của các cảm biến S5 tại các nhiệt độ khác nhau đối với một số - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán dẫn
Hình 3.6. Độ đáp ứng khí của các cảm biến S5 tại các nhiệt độ khác nhau đối với một số (Trang 64)
Hình 3.7. Độ ổn định của cảm biến trong 10 chu kỳ. - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán dẫn
Hình 3.7. Độ ổn định của cảm biến trong 10 chu kỳ (Trang 65)
Bảng 3.1. So sánh độ đáp ứng khí H2S dựa trên cảm biến khí SnO2 và SnO2/p-SMO. - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán dẫn
Bảng 3.1. So sánh độ đáp ứng khí H2S dựa trên cảm biến khí SnO2 và SnO2/p-SMO (Trang 66)
Hình 3.9. Ảnh SEM của dây nano SnO2/NiO với các chiều dày lớp biến tính NiO khác - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán dẫn
Hình 3.9. Ảnh SEM của dây nano SnO2/NiO với các chiều dày lớp biến tính NiO khác (Trang 70)
Hình 3.11. Ảnh TEM của dây nano SnO2 (A, B) và dây nano SnO2/NiO (C, D). - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán dẫn
Hình 3.11. Ảnh TEM của dây nano SnO2 (A, B) và dây nano SnO2/NiO (C, D) (Trang 72)
Hình 4.2. Giản đồ nhiễu xạ tia X của cấu trúc SnO2/ZnO –10 min. - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán dẫn
Hình 4.2. Giản đồ nhiễu xạ tia X của cấu trúc SnO2/ZnO –10 min (Trang 84)
10 phút cho đáp ứng khí H2S nồng độ 0,25 ppm tại 350oC là 7,8 lần (Hình 4.6). - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán dẫn
10 phút cho đáp ứng khí H2S nồng độ 0,25 ppm tại 350oC là 7,8 lần (Hình 4.6) (Trang 89)
Bảng 4.1. Thời gian đáp ứng và hồi phục khí H2S (0,25 ÷2,5 ppm) tại 300, 350 và 400 oC của cảm biến dây nano SnO2 phủ ZnO với thời gian phủ là 10 min - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán dẫn
Bảng 4.1. Thời gian đáp ứng và hồi phục khí H2S (0,25 ÷2,5 ppm) tại 300, 350 và 400 oC của cảm biến dây nano SnO2 phủ ZnO với thời gian phủ là 10 min (Trang 90)
Hình 4.7. Độ đáp ứng với khí NH3, H2 và CO nồng độ 500ppm tại nhiệt độ 350oC của mẫu SnO2/ZnO – 10 min - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán dẫn
Hình 4.7. Độ đáp ứng với khí NH3, H2 và CO nồng độ 500ppm tại nhiệt độ 350oC của mẫu SnO2/ZnO – 10 min (Trang 91)
Hình 4.8. Độ đáp ứng khí của cảm biến SnO2/ZnO-10min đối với một số khí khác nhau. - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán dẫn
Hình 4.8. Độ đáp ứng khí của cảm biến SnO2/ZnO-10min đối với một số khí khác nhau (Trang 92)
Hình 4.11. Độ nhạy khí NO2 tại nhiệt độ 200÷300 oC của của dây nano SnO2 và các cấu trúc SnO2/ZnO có bề dày vỏ ZnO mọc trong các thời gian 5;10;15 min. - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán dẫn
Hình 4.11. Độ nhạy khí NO2 tại nhiệt độ 200÷300 oC của của dây nano SnO2 và các cấu trúc SnO2/ZnO có bề dày vỏ ZnO mọc trong các thời gian 5;10;15 min (Trang 95)
Hình 4.12. Độ lặp lại của cảm biến SnO2/ZnO-10min đối với khí H2S-1 ppm tại 350oC trong 11 chu kỳ - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán dẫn
Hình 4.12. Độ lặp lại của cảm biến SnO2/ZnO-10min đối với khí H2S-1 ppm tại 350oC trong 11 chu kỳ (Trang 96)
vật liệu cân bằng nhau. Kết quả một lớp nghèo điện tử được hình thành tại bề mặt tiếp xúc giữa SnO2 và ZnO, hàng rào dị thể bị uốn cong - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán dẫn
v ật liệu cân bằng nhau. Kết quả một lớp nghèo điện tử được hình thành tại bề mặt tiếp xúc giữa SnO2 và ZnO, hàng rào dị thể bị uốn cong (Trang 97)
Hình 4.14. Sơ đồ mức năng lượng của cấu trúc SnO2/ZnO trước (a) và sau khi tiếp xúc khí khử H2S (b) - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán dẫn
Hình 4.14. Sơ đồ mức năng lượng của cấu trúc SnO2/ZnO trước (a) và sau khi tiếp xúc khí khử H2S (b) (Trang 98)
Hình 4.17. Giản đồ nhiễu xạ tia X của cấu trúc SnO2/WO3. - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán dẫn
Hình 4.17. Giản đồ nhiễu xạ tia X của cấu trúc SnO2/WO3 (Trang 101)
nhất (với 0,1 ppm là 36/80 )– Bảng 3.1 so với các mẫu còn lại. Điều này chứng tỏ khả năng sử dụng cảm biến trong thực tế - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán dẫn
nh ất (với 0,1 ppm là 36/80 )– Bảng 3.1 so với các mẫu còn lại. Điều này chứng tỏ khả năng sử dụng cảm biến trong thực tế (Trang 106)
Hình 4.22. Tính chọn lọc của cảm biến cấu trúc dây nano SnO2/WO3 –5 nm tại 200o C. - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán dẫn
Hình 4.22. Tính chọn lọc của cảm biến cấu trúc dây nano SnO2/WO3 –5 nm tại 200o C (Trang 107)

TRÍCH ĐOẠN

Hình thái và cấu trúc

Đặc trưng nhạy khí H2S

Cơ chế nhạy khí H2S của cảm biến n-SnO2/p-NiO Kết luận chương 3 Cảm biến dây nano cấu trúc n-SnO2/n-ZnO Đặc trưng nhạy khí NO2 Ảnh hưởng của nhiệt độ đến tính chất nhạy khí của cảm biến Kết luận chương 4

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w