Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống
1
/ 56 trang
THÔNG TIN TÀI LIỆU
Thông tin cơ bản
Định dạng
Số trang
56
Dung lượng
4,28 MB
Nội dung
!"#$% &""'(#%) *+,- ./01.2345637(839 #:;)< #.341.23=4>?4.@39 ABCDA! 6E9 F=GH1IJ=4KF=34L/37MNO IP.Q4/37R3STUVVO Lời cảm ơn Trong suốt quá trình học tập tại Viện Vật lý kỹ thuật, trường Đại Học Bách Khoa Hà Nội, em đã nhận được những kiến thức quý báu và cần thiết từ các thầy, các cô và cán bộ của Trường. Điều đó giúp em rất nhiều trong quá trình thực hiện Đồ án tốt nghiệp này. Em xin được bầy tỏ lòng biết ơn trước tinh thần giảng dậy hết sức tận tâm và có trách nhiệm của các thầy cô giáo. Em xin được gửi lời cảm ơn chân thành tới TS. Đỗ Phúc Hải là thầy giáo hướng dẫn trực tiếp, có những ý kiến mang tính định hướng cho em về việc nghiên cứu khoa học trong quá trình làm Đồ án tốt nghiệp cũng như trong sự nghiệp công tác sau này của bản thân. Qua đây em cũng chân thành cảm ơn toàn thể các cán bộ, giảng viên Phòng Thí nghiệm Phân tích và Đo lường Vật lý, Viện Vật lý kỹ thuật, Trường Đại học Bách Khoa đã tận tình giúp đỡ em trong suốt thời gian thực tập và làm đồ án tốt nghiệp tại đây. Cuối cùng, em xin cảm ơn gia đình, bàn bè, những người đã luôn động viên giúp đỡ em cả về mặt vật chất và tinh thần để em hoàn thành đồ án tốt nghiệp này. Hà nội, ngày 20 tháng 5 năm 2008 Sinh viên Nguyễn Đình Quyết "WW "XY::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::Z 45[37:\D::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::] :.6.=4.@K1^1F=G.@K(#:::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::] :_37374@?4`=a0TI37Tb37(#:::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::N :c34?4d=1^?dK=ef??ghTI37Tb37(#::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::R :c34?4d=i.@3?ghTI37(#::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::O :c34?4d=jKh37?ghTI37Tb37(#::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::ZV 45[379k":::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::Z] :4`=a0TI37Tb37(#lm37E45[37E4/EE4K334.@=E4n3:::::::::::::::::Z] :/?E45[37E4/E374.23?oKTI37::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::Zp !"#$%&'( )*+,$ /' 0123#$.&-' 456+#$7898-': 45[379!D<<::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::Uq :4n3=c?4E4r34.sKta=.h:::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::Uq :4r=/3Lu?3S37G5v37wxy#z?ghTI37(#:::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::NV :4r4dE=4{1I=eK|^3jKh::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::NV 8;<#=>=?@A- 8456+#<#=>=?@A- !::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::N} "<:::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::NO yh34T{??/?4~34 .34:Z9dK=ef?=.34=4•(#:::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::R ~34:Z94r=eK|^3jKh?gh3^3i`=4g|=.34:::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::ZN ~34:U9#[i€T_=•4@E4K3E4g34.@=E4n3:::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::ZR ~34:]94.sKta=.h‚lƒ.4h.T„=E4…3737K|23=†:::::::::::::::::::::::::::::::::::::Zp ~34:N9/?=c34.@K1IL‡37i.@3=ˆE4/=eh=ˆT8Ki0::::::::::::::::::::::::::::::::UU ~34:R9#[i€‰c344.•31.i.@3=†jKŠ=whz:5‹37i.?gh=.hi.@3=†=e037 #x"wlz::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::U] ~34:}9#[i€E45[37E4/Ei0E4r=eK|^3jKh::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::U} ~34:Z94r‚y?ghTI37(#Gu37iŒ37ƒ?/?34.@=iPi`‰4/?34hK L•URV0Q]VV0Q]RV0QNVV0Ž=4‹.7.h3E4K3=L•RE4f=:::::::::::::::::::::::::Up ~34:U94r‚y?ghTI37(#Gu37iŒ37ƒ34.@=iPL•]RV0Ž=4‹. 7.h3E4K3=L•RE4f=:::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::]V ~34:]9<34#x"?ghTI37(#Gu37iŒ37ƒ34.@=iPi`L•URV0Q=4‹. 7.h3E4K3=L•RE4f=:::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::]] ~34:N9<34#x"?ghTI37(#Gu37iŒ37ƒ34.@=iPi`L•]VV0Q=4‹. 7.h3E4K3=L•RE4f=:::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::]] ~34:R9<34#x"?ghTI37(#Gu37iŒ37ƒ34.@=iPi`L•]RV0Q=4‹. 7.h3E4K3=L•RE4f=:::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::]N ~34:}whz9<34#x"?ghTI37(#Gu37iŒ37ƒ34.@=iPi`L•NVV0Q =4‹.7.h3E4K3=L•RE4f=:::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::]N ~34:}wlz9<34#x"?ghTI37(#Gu37iŒ37ƒ34.@=iPi`L•NVV0Q =4‹.7.h3E4K3=L•RE4f=:::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::]R ~34:qwhz9<34#x"?ghTI37(#Gu37iŒ37ƒ34.@=iPi`L•]RV0Q =4‹.7.h3E4K3=L•ZE4f=:::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::]R ~34:qwlz9<34#x"?ghTI37(#Gu37iŒ37ƒ34.@=iPi`L•]RV0Q =4‹.7.h3E4K3=L•ZE4f=:::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::]} ~34:O9<34#x"?ghTI37(#Gu37iŒ37ƒ34.@=iPi`L•]RV0Q=4‹. 7.h3E4K3=L•UE4f=:::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::]} ~34:p9<34#x"?ghTI37(#Gu37iŒ37ƒ34.@=iPi`L•]RV0Q=4‹. 7.h3E4K3=L•]E4f=:::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::]q ~34:ZV9<34#x"?ghTI37(#Gu37iŒ37ƒ34.@=iPi`L•]RV0Q=4‹. 7.h3E4K3=L•RE4f=:::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::]q ~34:ZZwhz9<34#x"?ghTI37(#Gu37iŒ37ƒ34.@=iPi`L•]RV0Q =4‹.7.h3E4K3=L•qE4f=::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::]O ~34:ZZwlz9<34#x"?ghTI37(#Gu37iŒ37ƒ34.@=iPi`L•]RV0Q =4‹.7.h3E4K3=L•qE4f=::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::]O ~34:ZUwhz9<34#x"?ghTI37(#Gu37iŒ37ƒ34.@=iPi`L•]RV0Q =4‹.7.h3E4K3=L•ZVE4f=::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::]p ~34:ZUwlz9<34#x"?ghTI37(#Gu37iŒ37ƒ34.@=iPi`L•]RV0Q =4‹.7.h3E4K3=L•ZVE4f=:::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::]p ~34:Z]9<34E4rxy#?ghTI37(#Gu37iŒ37ƒ34.@=iPi`L•]RV0Q =4‹.7.h3E4K3=L•RE4f=::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::NV ~34:ZN94r4dE=4{?ghi`:::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::NZ ~34:ZR94r4dE=4{?ghTI37(#Gu37iŒ37=a.34.@=iPi`‰4/?34hK L•URV0Q]VV0Q]RV0QNVV0Ž=4‹.7.h3E4K3=L•RE4f=:::::::::::::::::::::::NZ ~34:Zq94r=eK|^3jKh?ghi`=4g|=.34:::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::N] ~34:ZO94r=eK|^3jKh?ghTI37(#Gu37iŒ37=a.?/?34.@=iPi`L• URV0Q]VV0Q]RV0QNVV0Ž=4‹.7.h3E4K3=L•]E4f=:::::::::::::::::::::::::::::::::NN ~34:Zp94r=eK|^3jKh?ghTI37(#Gu37iŒ37=a.34.@=iPi`L•]RV 016.?/?‰40•37=4‹.7.h3E4K3‰4/?34hK=L•ZQUQ]QRQqQZVE4f=:::::::::::::::NR yh34T{??/?l•37 •37:Z9c34?4d=?[l•3?gh?h(T.KTLKG•.(•‘ZQpQZV’::::::::::::::::::::::::::::::::N •37:Z9“341>?o37({37?gh=c34.@K::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::U] •37:Z9yh34L/?4i”3434.sKta?gh=.34=4•(#?dK=ef?•th703hG:::::]V •37:U9c?4=456?4a==.34=4•=c34=4•Gu37iŒ37=a.?/?34.@=iPi`URV 0Q]VV0Q]RV0QNVV0w=c34=4•0?_37=4o?#?4•ee•e•?_37=4o?:ZVz::::]Z Nghiên cứu chế tạo và một số tính chất của màng mỏng CdS cấu trúc nano lắng đọng bằng phương pháp phun nhiệt phân "XY B>5#5C!DE>F#G4HI=J#KLMN O6HP"A*#2LQR3LMI> LM*>0S"LATU23P#"456V #CAT=?*>LMVW5>X+I5<#*KYA 0V*>0S4)U"<#6QK#F*Z= #*>0A;U230"AUA>C0[P2 3=\4FCPC0PCD4]>*6*>^=_ `R>L#JDN4^G*>Z=4#>" =>=?KAaM3*0A;"23 =\4FC@A-C@A`OC@A-Ob`4KAaEP=98 PC@A->=E*NT5G#cK]P>=EKAa"CP *Y=d4EC*H4e. fO8"gghCP)AYH #044_#HL3*HKAaPLO23 c@ -CC@A`OC@-O b/E*MA;;)>CLAYH@A- PEA>5:g=>#044_@A-i@-O F#DP) "323=\4F"0^HgjOM 5*>kj4^S />=?@A-D3^G"Kl6 L#KVK#54LQC1JP#J $@m&'C O#!Y=$/m.'CCb@>D QKV54l=>=?@A-PM+#*>L #;E*>*>6LQ"m^" *I#M+#*>Kl#"C>5#5C >L#Jn#V1^G"=>=?@A- P4_#K]* 6=\5CLLMH"I=!Vo #=OCM*>+#3ICK^"0S! Nguyễn Đình Quyết – KTAS K48 Nghiên cứu chế tạo và một số tính chất của màng mỏng CdS cấu trúc nano lắng đọng bằng phương pháp phun nhiệt phân <#=E0VG=HC*MA;E4E23*Y=$.'3 =]4E4#LLMH"I=ATHo=*>LI=HoKLM m4O!<#KAaLVZAaH*Ae5)p ;*6M#KH0P!#$KO0q'AGV3 m1Le*H!CrM=M*>WF8N C88NLsNCW"JmL#>ED4)L#^G "=>=?@A-*>@-O P4_#l=GA;" 23=\4F0#`4LIF#CE AQ*<#KIUV>5>KHT^G" *>=E0VM<#=>=?@A-4_#1JKl mIUU=t 45[379r37jKh3 uH*6*N@A-CQ"=>=? @A-C4_CM*>+#<#=>=?@A- 45[3794>?374.@T @>54ZK>5+4Z"=aKl *>5^<#^ G=> !"#$%&'C)* +,$ /'C0123#$.&-'*> 456+# 45[379`=jK•1I=4•0GKF3 @>54ZK>5L+IM=D 3CM*>INL+IP Nguyễn Đình Quyết – KTAS K48 Nghiên cứu chế tạo và một số tính chất của màng mỏng CdS cấu trúc nano lắng đọng bằng phương pháp phun nhiệt phân 45[37:\D :.6.=4.@K1^1F=G.@K(# mAa3983GA;4E4D46v*S\ K>v*S"K>23=\4FC*N+#AaCTAr +#CK>+#P#C=>4#004*>Ke+#mAa98 U=>T3">R5^VP=*>5^VP=8 4KIVT>B6^GDL=4#63 S^<#P=98*>\K>3P#JPK64E*Y =4E]Erwx mAa398C;)>@A-C@A`OC@A-ObCRD3+# =^G)"*N+#Aa4*Y0Z 5`4PC@A->=E4*N+#AaVwCx/> =?#A==0AO$@A-']4"413GA;4E4D4 Ke+#AaC;IvCKe+#CKE C*N#0O4CTAr+#CKE5)0^=CKEK2 3+#C=>=?456+#+#*>Ke+# LB>5#5C_#^G@A->*NM3 >=H#0K>23=\4F4^6*N@A`O*> @$u#'-O w:CkxB6>^GDN4Q*<#J*> *#M+#*>M<#@A-L*>@A-P #"l="K>23=\4FP0#wyx Nguyễn Đình Quyết – KTAS K48 Nghiên cứu chế tạo và một số tính chất của màng mỏng CdS cấu trúc nano lắng đọng bằng phương pháp phun nhiệt phân mItTính chất cơ bản của cadmium sulfide [1, 9, 10 ]. @QG$*Q F' @A- @*L #A==4#O @QG @A - hV3< Cyy /T01 8>\#= ZA" `)41 BEPI5 y:g @ /NE Czg= 9 BE0Q `2#4B hV34^ Czg @ZOO4 B5^ V j P# 4e @Z @A yyz wh4xA g - ( 9 wBOx0 k hI2#4H hQ# :_37374@?4`=a0TI37Tb37(# @A->=E4XKAa3^Gp=p*>4E4D 4=>=?KAa@1J=>@A- 0A;"H#04K>23=\4F4#A" wxBXQ>5U=PtKVK#54LQwCxC C_!"CO#!Y=$/m.'CO#!#L=" Nguyễn Đình Quyết – KTAS K48 Nghiên cứu chế tạo và một số tính chất của màng mỏng CdS cấu trúc nano lắng đọng bằng phương pháp phun nhiệt phân X $/{8.' wxC 1 J # P# J L= " X $/{@8&'C1J#*N$8&'C1JK)P#J$@m&' wCxC#P#C2=rKl#0O4b@T_4l=|P XnL5)=L#8MA;C]KVK#5 4LQ4LP)3p*6LV3==V*> ]Zr?^E"=>I# :c34?4d=1^?dK=ef??ghTI37Tb37(# @3K6=\<#=>@A-;E*>" =>C+#4J>=>LQKe"*6LMHCLQKeH" *6K64E<#=>*>PLI2"3K6AT5?)0S 23+#>wzx B6^GL#Dp4#4l@A-U"]I#A" 4_0!\*>NC4Z-SZ> #4_0!\#5N\>PI#4_ a*>#;E*>65V<#Q1J`) P4_0!\K61]ErwC:Ckx tCấu trúc tinh thể CdS Nguyễn Đình Quyết – KTAS K48 : [...]... thuộc mạnh của điện trở suất của màng không pha tạp lên nhiệt độ 8 Nguyễn Đình Quyết – KTAS K48 Nghiên cứu chế tạo và một số tính chất của màng mỏng CdS cấu trúc nano lắng đọng bằng phương pháp phun nhiệt phân lắng đọng Màng CdS chế tạo bằng phương pháp bốc hơi thì không nhạy quang Pha tạp đồng làm tăng điện trở suất của màng lên vài bậc [11] Màng CdS chế tạo bằng phương pháp bay hơi ứng dụng vào tế bào... thuật này để chế tạo màng Cadmium Sulphide (CdS) cho pin mặt trời, rất nhiều nghiên cứu về kỹ thuật phun nhiệt phân để lắng đọng màng mỏng đã được thực hiện [33] 14 Nguyễn Đình Quyết – KTAS K48 Nghiên cứu chế tạo và một số tính chất của màng mỏng CdS cấu trúc nano lắng đọng bằng phương pháp phun nhiệt phân Phương pháp phun nhiệt phân là phương pháp sử dụng dòng khí để mang dung dịch tạo màng đến bề... xạ của lỗ trống trong màng CdS lắng đọng bằng phương pháp phun đo được 0.2 tới 0.4 µm [11] Trong màng CdS chế tạo bằng phương pháp phun sự hấp thụ O2 tại biên hạt làm giảm nồng hạt tải và độ linh động Độ linh động của màng CdS chế tạo bằng phương pháp phun tăng lên khi chiều dầy của màng tăng lên [11] 9 Nguyễn Đình Quyết – KTAS K48 Nghiên cứu chế tạo và một số tính chất của màng mỏng CdS cấu trúc nano. .. Quyết – KTAS K48 Nghiên cứu chế tạo và một số tính chất của màng mỏng CdS cấu trúc nano lắng đọng bằng phương pháp phun nhiệt phân II.Các phương pháp nghiên cứu màng II.1 Phương pháp phổ nhiễu xạ tia X (XRD) XRD là phương pháp được sử dụng để nghiên cứu cấu trúc của vật liệu và xác định kích thước hạt tinh thể [34] Nguyên tắc cơ bản của phương pháp nhiễu xạ tia X là khi chiếu tia X vào bề mặt mẫu... tả sự thay đổi cấu trúc khác của CdS sảy ra tại nhiệt độ khoảng 300 oC Trái lại, một thí nghiệm khác có số liệu chỉ ra rằng cấu trúc của màng CdS ổn định khi nhiệt độ 400 oC ở trong không khí, thậm chí là tính chất quang, khe năng lượng và mầu của 7 Nguyễn Đình Quyết – KTAS K48 Nghiên cứu chế tạo và một số tính chất của màng mỏng CdS cấu trúc nano lắng đọng bằng phương pháp phun nhiệt phân sản phẩm... phương pháp phun nhiệt phân không gây ra hiện tượng nung nóng cục bộ, 17 Nguyễn Đình Quyết – KTAS K48 Nghiên cứu chế tạo và một số tính chất của màng mỏng CdS cấu trúc nano lắng đọng bằng phương pháp phun nhiệt phân điều mà có thể gây ra các ảnh hưởng xấu đối với màng mỏng lắng đọng Hơn thế nữa, phương pháp này không bị hạn chế về vật liệu làm đế, định hướng cấu trúc của đế hay đặc trưng bề mặt của. .. K48 Nghiên cứu chế tạo và một số tính chất của màng mỏng CdS cấu trúc nano lắng đọng bằng phương pháp phun nhiệt phân Chương II: THỰC NGHIỆM I Chế tạo màng mỏng CdS bằng phương pháp phun nhiệt phân I.1 Hoá chất Trong công trình này, Cadmium chloride (CdCl 2.2.5H20) được sử dụng là nguồn ion Cadmium và Thiourea ((NH2)2CS) được sử dụng là nguồn ion Sulfua Trong quá trình phun, màng CdS được hình.. .Nghiên cứu chế tạo và một số tính chất của màng mỏng CdS cấu trúc nano lắng đọng bằng phương pháp phun nhiệt phân Đối với màng CdS làm bằng phương pháp bốc bay trong chân không sự hình thành tinh thể dạng sáu phương xếp chặt hay lập phương cũng phụ thuộc vào nhiệt độ đế Màng CdS bốc bay tại nhiệt độ 200 tới 250 oC có bề dầy từ 15 tới 30µm vận tốc lắng đọng từ 0.5 tới 3µm/phút... Cd(CN) 42- và Cd(en)2+3 luôn luôn cho cấu trúc wurtzite với sự định hướng của trục c thì vuông góc với đế [11] Ramailah cùng cộng sự [18] đã báo cáo rằng màng CdS nhận được từ công nghệ lắng đọng bể hóa học có cấu trúc sáu phương xếp chặt với các 6 Nguyễn Đình Quyết – KTAS K48 Nghiên cứu chế tạo và một số tính chất của màng mỏng CdS cấu trúc nano lắng đọng bằng phương pháp phun nhiệt phân hằng số mạng... Đình Quyết – KTAS K48 Nghiên cứu chế tạo và một số tính chất của màng mỏng CdS cấu trúc nano lắng đọng bằng phương pháp phun nhiệt phân 1200 101 C êng®é(a.u) 1000 800 350oC 100 002 110 600 103 400 112 102 200 0 20 30 40 50 60 2θ(ο) Hình III.2: Phổ XRD của màng CdS lắng đọng ở nhiệt độ Ts= 350 oC ; thời gian phun ts=5 phút Bảng III.1: Danh sách đỉnh nhiễu xạ của tinh thể CdS cấu trúc Hexagonal No 1 . $/{@8&'C1J#*N$8&'C1JK)P#J$@m&' wCxC#P#C2=rKl#0O4b@T_4l=|P XnL5)=L#8MA;C]KVK#5 4LQ4LP)3p*6LV3==V*> ]Zr?^E"=>I# :c34?4d=1^?dK=ef??ghTI37Tb37(# @3K6=<#=>@A-;E*>" =>C+#4J>=>LQKe"*6LMHCLQKeH" *6K64E<#=>*>PLI2"3K6AT5?)0S 23+#>wzx B6^GL#Dp4#4l@A-U"]I#A" 4_0!*>NC4Z-SZ> #4_0!#5N>PI#4_ a*>#;E*>65V<#Q1J`) P4_0!K61]ErwC:Ckx tCấu trúc tinh thể CdS Nguyễn Đình Quyết – KTAS K48 : Nghiên cứu chế tạo và một số tính chất của màng mỏng CdS cấu trúc nano lắng đọng bằng phương pháp phun nhiệt phân WV*H=>@A->=KlKVK#54LQ0S Z>)A"0!#5Nn;E *>E/>@A-KVK#5"EggH:g @PK6AT5R :Hg}=*NV1JRg:H}=i_"6LPZ> ^4_~4•O*>4)="OH$gg'00*HK6 =*>4;c. 6=5CLLMH"I=!Vo #=OCM*>+#3ICK^"0S! Nguyễn Đình Quyết – KTAS K48 Nghiên cứu chế tạo và một số tính chất của màng mỏng CdS cấu trúc nano lắng đọng bằng phương pháp phun nhiệt phân <#=E0VG=HC*MA;E4E23*Y=$.'3 =]4E4#LLMH"I=ATHo=*>LI=HoKLM m4O!<#KAaLVZAaH*Ae5)p ;*6M#KH0P!#$KO0q'AGV3 m1Le*H!CrM=M*>WF8N C88NLsNCW"JmL#>ED4)L#^G "=>=?@A-*>@-O P4_#l=GA;" 23=4F0#`4LIF#CE AQ*<#KIUV>5>KHT^G" *>=E0VM<#=>=?@A-4_#1JKl mIUU=t 45[379r37jKh3 uH*6*N@A-CQ"=>=? @A-C4_CM*>+#<#=>=?@A- 45[3794>?374.@T @>54ZK>5+4Z"=aKl *>5^<#^ G=>. /'C0123#$.&-'*> 456+# 45[379`=jK•1I=4•0GKF3 @>54ZK>5L+IM=D 3CM*>INL+IP Nguyễn Đình Quyết – KTAS K48 Nghiên cứu chế tạo và một số tính chất của màng mỏng CdS cấu trúc nano lắng đọng bằng phương pháp phun nhiệt phân 45[37:D :.6.=4.@K1^1F=G.@K(# mAa3983GA;4E4D46v*S K>v*S"K>23=4FC*N+#AaCTAr +#CK>+#P#C=>4#004*>Ke+#mAa98 U=>T3">R5^VP=*>5^VP=8 4KIVT>B6^GDL=4#63 S^<#P=98*>K>3P#JPK64E*Y =4E]Erwx mAa398C;)>@A-C@A`OC@A-ObCRD3+# =^G)"*N+#Aa4*Y0Z 5`4PC@A->=E4*N+#AaVwCx/> =?#A==0AO$@A-']4"413GA;4E4D4 Ke+#AaC;IvCKe+#CKE C*N#0O4CTAr+#CKE5)0^=CKEK2 3+#C=>=?456+#+#*>Ke+# LB>5#5C_#^G@A->*NM3 >=H#0K>23=4F4^6*N@A`O*> @$u#'-O w:CkxB6>^GDN4Q*<#J*> *#M+#*>M<#@A-L*>@A-P #"l="K>23=4FP0#wyx Nguyễn