1. Trang chủ
  2. » Giáo Dục - Đào Tạo

TIỂU LUẬN GIỚI THIỆU 15 LINH KIỆN CƠ BẢN

36 151 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 36
Dung lượng 1,57 MB

Nội dung

TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT TP HCM KHOA ĐIỆN-ĐIỆN TỬ  MÔN HỌC: THỰC TẬP ĐIỆN TỬ TIỂU LUẬN GIỚI THIỆU 15 LINH KIỆN ĐIỆN TỬ CƠ BẢN GVHD: Ths Vũ Thị Ngọc Thu SVTH: MSSV Trần Văn Trung 16142478 Lành Đức Thắng 16142560 Nguyễn Văn Tiến Anh 15142381 Tp Hồ Chí Minh, tháng 11 năm 2018 Điện trở 1.1 Khái niệm Điện trở cản trở dòng điện vật dẫn điện, vật dẫn điện tốt điện trở nhỏ, vật dẫn điện điện trở lớn, vật cách điện điện trở vô lớn 1.2 Các thông số điện trở Điện trở dây dẫn : Giá trị điện trở đặc trưng cho khả cản trở dòng điện điện trở Yêu cầu giá trị điện trở thay đổi theo nhiệt độ, độ ẩm thời gian, Điện trở dẫn điện tốt giá trị nhỏ ngược lại Giá trị điện trở tính theo đơn vị Ohm (Ω), kΩ, MΩ, GΩ Ký hiệu điện trở mạch điện Điện trở dây dẫn phụ thuộc vào chất liệu, độ dài tiết diện dây, tính theo cơng thức sau: R = ρ.L / S Trong thực tế điện trở sản xuất với số thang giá trị xác định Khi tính tốn lý thuyết thiết kế mạch điện, cần chọn thang điện trở gần với giá trị tính 1.3 Phân loại ký hiệu điện trở a Điện trở có giá trị xác định - Điện trở than ép (cacbon film): Điện trở than ép có dải giá trị tương đối rộng (1Ω đến 100MΩ), công suất danh định 1/8W – 2W, phần lớn có cơng suất 1/4W 1/2W Ưu điển bật điện trở than ép có tính trở nên sử dụng nhiều phạm vi tần số thấp - Điện trở dây quấn chế tạo cách quấn đoạn dây chất dẫn điện tốt (Nichrome) quanh lõi hình trụ - Điện trở màng mỏng: Được sản xuất cáchlắng đọng Cacbon, kim loại oxide kim loại dạng màng mỏng lõi hình trụ b Điện trở có giá trị thay đổi - Biến trở(Variable Resistor) có cấu tạo gồm điện trở màng than dây quấn có dạng hình cung, có trục xoay nối với trượt - Nhiệt trở Là linh kiện có giá trị điện trở thay đổi theo nhiệt độ - Điện trở quang 1.4 Cách ghi đọc tham số điện trở Quy ước mầu Quốc tế Bảng màu điện trở Cuộn cảm Cuộn cảm biết đến linh kiện điện tử thụ động dùng để chứa từ trường thiết bị điện cấu tạo cuộn dây dẫn quấn thành nhiều vòng Trong đó, lõi cuộn cảm vật liệu dẫn từ hay lõi thép kỹ thuật Mặc dù cuộn cảm thành phần quen thuộc mạch điện tử Nhưng lại thành phần rắc rối có nhiều cơng dụng mạch điện Công dụng cuộn cảm Trong mạch điện tử, cuộn cảm vật dụng dùng để dẫn dòng điện chiều Ghép nối hay ghép song song với tụ để tạo thành mạch cộng hưởng Trong mạch điện, cuộn cảm có tác dụng chặn dòng điện cao tần Dựa vào cấu tạo phạm vi ứng dụng mà người ta phân chia cuộn cảm thành loại sau: cuộn cảm âm tần, cuộn cảm trung tần cuộn cảm cao tần Cấu tạo cuộn cảm Cuộn cảm cao tần, âm tần bao gồm số vòng dây quấn lại thành nhiều vòng, dây quấn sơn emay cách điện, lõi cuộn dây khơng khí, vật liệu dẫn từ Ferrite hay lõi thép kỹ thuật Cuộn dây lõi khơng khí Ferit Cuộn dây lõi Các đại lượng đặc trưng cuộn cảm Hệ số tự cảm: đại lượng đặc trung cho sức điện động cảm ứng cuộn dây có dòng điện biến thiên chạy qua Hệ số tự cảm tính cơng thức: L = ( µr.4.3,14.n2.S.10-7 ) / l Cảm kháng: đại lượng đặc trưng cho cản trở dòng điện cuộn dây dòng điện xoay chiều Cảm kháng tính cơng thức: ZL = 2.3,14.f.L Khi cho dòng điện chạy qua cuộn dây, cuộn dây nạp lượng dạng từ trường tính theo cơng thức: W = L.I2 / Thyristor (Silicon Controlled Rectifier = Thyristor) Cấu tạo Thyristor gồm bốn lớp bán dẫn P-N ghép xen kẽ nối ba chân: A : anode : cực dương K : Cathode : cực âm G : Gate : cực khiển (cực cổng) Thyristor xem tương đương hai BJT gồm BJT loại NPN BJT loại PNP ghép lại hình vẽ sau: Nguyên lý hoạt động + Trường hợp cực G để hở hay VG = OV Khi cực G VG = OV có nghĩa transistor T1 khơng có phân cực cực B nên T1 ngưng dẫn Khi T1ngưng dẫn IB1 = 0, IC1 = T2 ngưng dẫn Như trường hợp Thyristor khơng dẫn điện được, dòng điện qua Thyristor I A = VAK ≈ VCC Tuy nhiên, tăng điện áp nguồn VCC lên mức đủ lớn điện áp VAK tăng theo đến điện ngập VBO(Beak over) điện áp VAK giảm xuống diode dòng điện IA tăng nhanh Lúc Thyristor chuyển sang trạng thái dẫn điện, dòng điện ứng với lúc điện áp VAK giảm nhanh gọi dòng điện trì IH(Holding) Sau đặc tính Thyristor giống diode nắn điện Trường hợp đóng khóa K: VG = VDC – IGRG, lúc Thyristor dễ chuyển sang trạng thai dẫn điện Lúc transistor T phân cực cực B1 nên dòng điện IG IB1 làm T1 dẫn điện, cho IC1 dòng điện IB2 nên lúc I2 dẫn điện, cho dòng điện IC2 lại cung cấp ngược lại cho T1 IC2 = IB1 Nhờ mà Thyristor tự trì trạng thái dẫn mà khơng cần có dòng IG liên tục IC1 = IB2 ; IC2 = IB1 Theo nguyên lý dòng điện qua hai transistor khuếch đại lớn dần hai transistor chạy trạng thái bão hòa Khi điện áp VAK giảm nhỏ (≈ 0,7V) dòng điện qua Thyristor là: Thực nghiệm cho thấy dòng điện cung cấp cho cực G lớn áp ngập nhỏ tức Thyristor dễ dẫn điện + Trường hợp phân cực ngược Thyristor Phân cực ngược Thyristor nối A vào cực âm, K vào cực dương nguồn VCC Trường hợp giống diode bị phân cự ngược Thyristor không dẫn điện mà có dòng rỉ nhỏ qua Khi tăng điện áp ngược lên đủ lớn Thyristor bị đánh thủng dòng điện qua theo chiều ngược Điện áp ngược đủ để đánh thủng Thyristor VBR Thông thường trị số VBR VBO ngược dấu Đặc tuyến IG = ; IG2 > IG1 > IG Các thông số kỹ thuật Dòng điện thuận cực đại: Đây trị số lớn dòng điện qua mà Thyristor chịu đựng liên tục, trị số Thyristor bị hư Khi Thyristor dẫn điện V AK khoảng 0,7V nên dòng điện thuận qua tính theo cơng thức: Điện áp ngược cực đại: Đây điện áp ngược lớn đặt A K mà Thyristor chưa bị đánh thủng, vượt qua trị số Thyristor bị phá hủy Điện áp ngược cực đại Thyristor thường khoảng 100V đến 1000V Dòng điện kích cực tiểu: IGmin : Để Thyristor dẫn điện trường hợp điện áp V AK thấp phải có dòng điện kích cho cực G Thyristor Dòng IGmin trị số dòng kích nhỏ đủ để điều khiển Thyristor dẫn điện dòng I Gmin có trị số lớn hay nhỏ tùy thuộc cơng suất Thyristor, Thyristor có cơng suất lớn I Gmin phải lớn Thông thường I Gmin từ 1mA đến vài chục mA Thời gian mở Thyristor: Là thời gian cần thiết hay độ rộng xung kích để Thyristor chuyển từ trạng thái ngưng sang trạng thái dẫn, thời gian mở khoảng vài micrô giây Thời gian tắt: Theo nguyên lý Thyristor tự trì trạng thái dẫn điện sau kích Muốn Thyristor trạng thái dẫn chuyển sang trạng thái ngưng phải cho I G = cho điện áp VAK = để Thyristor tắt thời gian cho VAK = OV phải đủ dài, không V AK tăng lên cao lại Thyristor dẫn điện trở lại Thời gian tắt Thyristor khoảng vài chục micrô giây Diode bán dẫn Tiếp giáp P – N Cấu tạo Diode bán dẫn Khi có hai chất bán dẫn P N , ghép hai chất bán dẫn theo tiếp giáp P – N ta Diode, tiếp giáp P -N có đặc điểm : Tại bề mặt tiếp xúc, điện tử dư thừa bán dẫn N khuyếch tán sang vùng bán dẫn P để lấp vào lỗ trống => tạo thành lớp Ion trung hoà điện => lớp Ion tạo thành miền cách điện hai chất bán dẫn Mối tiếp xúc P – N => Cấu tạo Diode Ký hiệu hình dáng Diode bán dẫn Phân cực thuận cho Diode Khi ta cấp điện áp dương (+) vào Anôt ( vùng bán dẫn P ) điện áp âm (-) vào Katơt ( vùng bán dẫn N ) , tác dụng tương tác điện áp, miền cách điện thu hẹp lại, điện áp chênh lệch giữ hai cực đạt 0,6V ( với Diode loại Si ) 0,2V ( với Diode loại Ge ) diện tích miền cách điện giảm khơng => Diode bắt đầu dẫn điện Nếu tiếp tục tăng điện áp nguồn dòng qua Diode tăng nhanh chênh lệch điện áp hai cực Diode không tăng (vẫn giữ mức 0,6V ) Diode (Si) phân cực thuận – Khi Dode dẫn điện áp thuận đựơc gim mức 0,6V 10 PN cấu trúc emitter tắt thyristor Varistor hay Tụ chống sét Tụ chống sét ( Varistor Metal Varistor Oxit (MOV)) điện trở đặc biệt sử dụng để bảo vệ mạch điện chống lại đột biến điện áp cao khoảng thời gian ngắn Những xung áp cao xung gai công đường dây điện phá hủy nguồn cung cấp điện thiết bị Khi đó, tụ chống sét lắp vào mạch ngăn xung áp cao xung gai này, tránh việc chúng phá hỏng thiết bị Tụ chống sét gọi điện trở phụ thuộc điện áp Voltage Dependent Resistor (VDR) Chức tụ chống sét: 22 Trong điều kiện bình thường, điện trở tụ chống sét cao Khi điện áp kết nối đẩy lên cao so với thông số kỹ thuật tụ, điện trở mạch đẩy xuống thấp Chức sử dụng để bảo vệ linh kiện điện tử khỏi tăng cao điện áp Các tụ chống sét đơn giản thêm điện vào nguồn Khi xung điện áp xung gai xuất hiện, tụ chống sét làm ngắt mạch bảo vệ thiết bị Tại thời điểm điện áp xuống thấp lúc dòng điện xuống thấp (tại điện trở cao) Khi điện áp đạt đến điện áp tụ chống sét, dòng điện đẩy lên cao nhanh (điện trở thấp) Mạch ngắt Thông số kỹ thuật: Tụ chống sét loại điện trở thông số kỹ thuật khơng phải điện trở Ohm cơng suất W Đối với tụ chống sét thơng số kỹ thuật quan trọng điện áp kẹp Điện áp kẹp: Là lượng điện áp tối đa thiết bị bảo vệ, cho phép ngăn chặn gia tăng điện mạch Khi thiết bị đạt đến điện áp kẹp mình, ngăn chặn gia tăng cường độ dòng điện qua thiết bị vào hệ thống máy tính thiết bị điện tử khác Đây điện áp đoản mạch tụ chống sét Điện áp kẹp thấp bảo vệ tốt Nhưng mặt khác, điện áp nguồn khơng thấp, phá hủy tụ chống sét Đối với nguồn điện 230 V, tụ chống sét với điện áp kẹp 275 V lựa chọn tốt 23 Hấp thụ lượng tản lượng : Chỉ số đo đại lượng Jun, cho thấy mức lượng mà tụ chống sét hấp thụ Số jun cao mạch bảo vệ tốt Một tụ chống sét có thơng số hấp thụ/tản lượng khoảng 200-400 Jun tụ có mức bảo vệ vừa phải Từ 600 Jun trở lên coi tụ tốt Để gia tăng khả hấp thụ lượng, ta lắp hai ba tụ chống sét song song với Thời gian phản ứng : Tụ chống sét ngắt mạch nhanh chóng khơng Ln ln có độ trễ (dù nhỏ) chúng phản ứng lại với xung điện áp Càng kéo dài thời gian xung điện áp gây hại nhanh chóng tới thiết bị kết nối Tốt phản ứng khoảng ns nhanh IC I: - Khái niệm: IC viết tắt của từ Integrated Circuit, Có nghĩa Mạch tích hợp iC tập hợp mạch điện chứa linh kiện bán dẫn nhỏ ( transistor) linh kiện điện tử thụ động (như điện trở) kết nối lại với nhau, để thực số chức xác định Tức mạch tích hợp thiết kế, sáng tạo để đảm nhiệm chức linh kiện kết hợp II Công Dụng IC: Mạch tích hợp giúp giảm kích thước mạch điện nhiều, bên cạnh độ xác tăng lên IC nói phần quan trọng mạch logic Có nhiều loại IC, lập trình cố định chức ,và có loại khơng lập trình Mỗi IC có tính chất riêng mơi 24 trường như: nhiệt độ, điện giới hạn, công suất làm việc, tất ghi bảng thông tin (datasheet) nhà sản xuất tạo -Họ IC 78xx IC 7805 Với mạch điện không đòi hỏi độ ổn định điện áp cao, sử dụng IC ổn áp thường người thiết kế sử dụng mạch điện đơn giản Các loại ổn áp thường sử dụng IC 78xx, với xx điện áp cần ổn áp Ví dụ 7805 ổn áp 5V, 7812 ổn áp 12V Việc dùng loại IC ổn áp 78xx tương tự -Họ IC 79xx IC 7905 Họ 79xx họ ổn định điện áp đầu âm Còn xx giá trị điện áp đầu IC 7905: IC ổn áp -5V Về mặt nguyên lý 7905 7805 hoạt động tương đối giống Hình ảnh IC có chân IC khác TỤ ĐIỆN: I.Tụ điện Tụ điện tên tiếng anh Capacitor Chính mà ký hiệu “C” Tụ điện linh kiện điện tử thụ động năm linh kiện quan trọng bậc sơ đồ mạch điện bếp từ II Cấu tạo: Tụ điện có cấu tạo hai bề mặt dẫn điện đặt song song ngăn cách điện môi (dielectric), cho phép dòng điện xoay chiều qua Điện mơi sử dụng chất liệu khác giấy, giấy tẩm hoá chất, gốm, mica 25 III: Phân loại: Dựa vào chất liệu dung môi mà người ta phân loại loại tụ điện tụ giấy, tụ gốm, tụ hóa Đây loại tụ điện chế tạo sử dụng phổ biến Trong đó:  Tụ giấy tụ gốm có trị số nhỏ 470 nanofara - khơng phân cực loại tụ điện thường có hình dẹt, thường ký hiệu số 471J, 223K, Các ký tụ số tương ứng cho giá trị, ký tự chữ tương ứng với sai số tụ điện  Tụ hóa tụ phân cực âm, dương (-) , (+) thường có hình trụ, có trị số lớn từ 0,47 micro fara trở lên, chí hàng nghìn micro fara Tụ hóa có trị số thường ký hiệu lên thân tụ điện dễ dàng nhận biết 10 micro hay 100 micro, IV Nguyên lý làm việc tụ điện Như đề cập Tụ điện linh kiện thụ động, khơng có khả tạo lượng điện Nhưng lưu trữ lượng từ nguồn lượng pin tụ điện tích điện khác Khi nạp S1 đóng, S2 hở nguồn cung cấp cho tụ.(quy trình nạp) Khi tụ đầy S2 đóng, S1 hở tụ xả cấp cho tải.(quy trình xả) Điện dung lớn trinh nạp xả lâu 26 MOSFET I: MOSFET: Mosfet Transistor hiệu ứng trường (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) Transistor đặc biệt có cấu tạo hoạt động khác với Transistor thông thường mà ta biết Mosfet thường có cơng suất lớn nhiều so với BJT Đối với tín hiệu chiều coi khóa đóng mở Mosfet có nguyên tắc hoạt động dựa hiệu ứng từ trường để tạo dòng điện, linh kiện có trở kháng đầu vào lớn thích hợp cho khuyếch đại nguồn tín hiệu yếu + Một số mosfet thị trường: 27 II: Phân loại: MOSFET MOSFET KÊNH CẢM ỨNG MOSFET KÊNH ĐẶT SẴN LOẠI KÊNH N LOẠI KÊNH P LOẠI KÊNH N III Cấu tạo: Cấu tạo Mosfet ngược Kênh N G : Gate gọi cực cổng LOẠI KÊNH P CMOS S : Source gọi cực nguồn D : Drain gọi cực máng Trong : G cực điều khiển cách lý hoàn toàn với cấu trúc bán dẫn lại lớp điện mơi cực mỏng có độ cách điện cực lớn dioxit-silic (Sio2) Hai cực lại cực gốc (S) cực máng (D) Cực máng cực đón hạt mang điện Mosfet có điện trở cực G với cực S cực G với cực D vô lớn , điện trở cực D cực S phụ thuộc vào điện áp chênh lệch cực G cực S ( UGS ) Khi điện áp UGS = điện trở RDS lớn, điện áp UGS > => hiệu ứng từ trường làm cho điện trởRDS giảm, điện áp UGS lớn điện trở RDS nhỏ 28 Nguyên lý hoạt động: Mosfet hoạt động chế độ đóng mở Do phần tử với hạt mang điện nên Mosfet đóng cắt với tần số cao Nhưng mà để đảm bảo thời gian đóng cắt ngắn vấn đề điều khiển lại đề quan trọng Mạch điện tương đương Mosfet Nhìn vào ta thấy chế đóng cắt phụ thuộc vào tụh điện ký sinh Ở tơi khơng nói rõ chi tiết cấu trúc bán dẫn để đóng mở Các bạn hiểu sau : + Đối với kênh P : Điện áp điều khiển mở Mosfet Ugs0 Dòng điện từ S đến D + Đối với kênh N : Điện áp điều khiển mở Mosfet Ugs >0 Điện áp điều khiển đóng Ugs tạo dòng ID mạch cực máng 31 Ta xét JFET kênh N: - Điện áp VGG đặt tới cực G S để phân cực ngược cho tiếp giáp P-N Điện áp VDD đặt tới D S để tạo dòng điện chay kênh dẫn - Điện áp phân cực ngược đặt tới G S làm cho vùng nghèo dọc theo tiếp giáp P-N mở rộng chủ yếu phía kênh dẫn, điều làm kênh hẹp lại điện trở kênh dẫn tăng lên dòng qua kênh dẫn giảm Với cách phân cực điện áp phân cực G D lớn điện áp phân cực ngược G S làm cho vùng nghèo mở rộng không 32 LCD (Liquid crystal display) I:Màn hình tinh thể lỏng hay LCD (Liquid crystal display) loại thiết bị hiển thị cấu tạo tế bào (các điểm ảnh) chứa tinh thể lỏng có khả thay đổi tính phân cực ánh sáng thay đổi cường độ ánh sáng truyền qua kết hợp với kính lọc phân cực LCD có ưu điểm phẳng, cho hình ảnh sáng, chân thật tiết kiệm lượng II: Cấu tạo: Có hai kiểu cấu tạo hình tinh thể lỏng chính, khác thiết kế nguồn sáng +Trong kiểu thứ nhất, ánh sáng phát từ đèn nền, có vơ số phương phân cực ánh sáng tự nhiên Ánh sáng cho lọt qua lớp kính lọc phân cực thứ nhất, trở thành ánh sáng phân cực phẳng có 33 phương thẳng đứng Ánh sáng phân cực phẳng tiếp tục cho truyền qua thủy tinh lớp điện cực suốt để đến lớp tinh thể lỏng Sau đó, chúng tiếp tục tới kính lọc phân cực thứ hai; có phương phân cực vng góc với kính lọc thứ nhất, tới mắt người quan sát Kiểu hình thường áp dụng cho hình màu máy tính hay TV Để tạo màu sắc, lớp cùng, trước ánh sáng đến mắt người, có kính lọc màu Ở loại hình tinh thể lỏng thứ hai, chúng sử dụng ánh sáng tự nhiên vào từ mặt có gương phản xạ nằm sau, dội ánh sáng lại cho người xem Đây cấu tạo thường gặp loại hình tinh thể lỏng đen trắng thiết bị bỏ túi Do không cần nguồn sáng nên chúng tiết kiệm lượng Cấu trúc lớp hình tinh thể lỏng đen trắng khơng tự phát sáng (thường thấy máy tính bỏ túi) Kính lọc phân cực thẳng đứng để lọc ánh sáng tự nhiên vào Lớp kính có điện cực ITO Hình dáng điện cực hình cần hiển thị Lớp tinh thể lỏng Lớp kính có điện cực ITO chung Kính lọc phân cực nằm ngang Gương phản xạ lại ánh sáng cho người quan sát III: PHÂN LOẠI: +LCD ma trận thụ động LCD ma trận thụ động (dual scan twisted nematic, DSTN LCD) có đặc điểm đáp ứng tín hiệu chậm (300ms) dễ xuất điểm sáng xung quanh điểm bị kích hoạt khiến cho hình bị nhòe Các cơng nghệ Toshiba Sharp đưa HPD (hybrid passive display), cuối năm 1990, cách thay đổi công thức vật liệu tinh thể lỏng để rút ngắn thời gian chuyển 34 đổi trạng thái phân tử, cho phép hình đạt thời gian đáp ứng 150ms độ tương phản 50:1 Sharp Hitachi theo hướng khác, cải tiến giải thuật phân tích tín hiệu đầu vào nhằm khắc phục hạn chế DSTN LCD, nhiên hướng chưa đạt kết đáng ý +LCD ma trận chủ động LCD ma trận chủ động thay lưới điện cực điều khiển loại ma trận transistor phiến mỏng (thin film transistor, TFT LCD) có thời gian đáp ứng nhanh chất lượng hình ảnh vượt xa DSTN LCD Các điểm ảnh điều khiển độc lập transistor đánh dấu địa phân biệt, khiến trạng thái điểm ảnh điều khiển độc lập, đồng thời tránh bóng ma thường gặp DSTN LCD Hoạt động bản: Nếu điện cực điểm ảnh không áp điện thế, phần tinh thể lỏng nơi khơng bị tác động cả, ánh sáng sau truyền qua chỗ giữ nguyên phương phân cực, cuối bị chặn lại hồn tồn kính lọc phân cực thứ hai Điểm ảnh lúc bị tắt mắt điểm tối Để bật điểm ảnh con, cần đặt điện vào điện cực nó, làm thay đổi định hướng phân tử tinh thể lỏng nơi ấy; kết ánh sáng sau truyền qua phần tinh thể lỏng chỗ điểm ảnh bị xoay phương phân cực đi, lọt qua lớp kính lọc phân cực thứ hai, tạo điểm màu kính trước Hiện thị màu sắc chuyển động Hình ảnh kính trước cảm nhận tổng thể tất điểm ảnh, điểm ảnh mang màu sắc độ sáng định, quy định, theo quy tắc phối màu phát xạ, mức độ sánh ba điểm ảnh (tỉ lệ ba màu đỏ, lục lam), tức quy định việc bật/tắt điểm ảnh Để làm điều này, lúc điện thích hợp đặt vào điểm ảnh nằm hàng, đồng thời phần mềm máy tính lệnh áp điện vào cột có điểm ảnh cần bật Ở thời điểm, điểm ảnh trạng thái bật/tắt định - ứng với ảnh hình Việc thay đổi trạng thái bật/tắt điểm ảnh tạo hình ảnh chuyển động Điều thực cách áp điện cho hàng từ hàng đến hàng (gọi quét dọc) áp điện cho cột từ cột đến cột (sự quét ngang) Thông tin ảnh động từ máy tính chuyển thành tín hiệu quét dọc qt ngang tái tạo lại hình ảnh hình 35 36 ... chứa linh kiện bán dẫn nhỏ ( transistor) linh kiện điện tử thụ động (như điện trở) kết nối lại với nhau, để thực số chức xác định Tức mạch tích hợp thiết kế, sáng tạo để đảm nhiệm chức linh kiện. .. Nhiệt trở Là linh kiện có giá trị điện trở thay đổi theo nhiệt độ - Điện trở quang 1.4 Cách ghi đọc tham số điện trở Quy ước mầu Quốc tế Bảng màu điện trở Cuộn cảm Cuộn cảm biết đến linh kiện điện... anh đầy đủ Insulated Gate Bipolar Transistor Trong đó, 15 Transistor gồm cực điều khiển cách ly linh kiện bán dẫn với tổng công suất cực Cơng nghệ IGBT kết hợp hồn hảo khả đóng cắt siêu nhanh

Ngày đăng: 26/07/2019, 08:00

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w