Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống
1
/ 56 trang
THÔNG TIN TÀI LIỆU
Cấu trúc
Slide 1
1. Đại cương và phân loại
Slide 3
ký hiệu
Ưu nhược điểm của FET so với BJT
Giống và khác nhau giữa FET so với BJT
Slide 7
2. Cấu tạo JFET
Cơ bản về hoạt động của JFET
sơ đồ mạch JFET
JFET kênh N khi chưa phân cực
JFET kênh N khi đặt điện áp vào D và S, chân G không kết nối
JFET kênh N khi phân cực bảo hòa
JFET kênh N phân cực
JFET kênh N ở chế độ ngưng
Slide 16
Slide 17
Slide 18
Slide 19
Slide 20
Đặc điểm hoạt động JFET
Slide 22
Nguyên lý hoạt động của JFET
Đặc tuyến truyền đạt
Đặc tuyến ra của JFET , UGS=const, ID=f(UDS)
Các cách mắc của JFET trong sơ đồ mạch
Sơ đồ cực nguồn chung
Slide 28
Sơ đồ mắc cực máng chung
Slide 30
Sơ đồ mắc cực cửa chung
Transistor trường loại cực cửa cách ly (MOSFET)
Transistor MOSFET
Cấu tạo của MOSFET kênh sẵn
Slide 35
Nguyên lý hoạt động
Slide 37
Slide 38
Đặc tuyến
Cấu tạo của MOSFET kênh cảm ứng
Slide 41
Nguyên lý hoạt động E-MOSFET
Slide 43
Slide 44
MOSFET Summary
Cách mắc MOSFET
Phân cực JFET và DE-MOSFET điều hành theo kiểu hiếm
Phân cực cố định
Phân cực tự động
Phân cực bằng cầu chia điện thế
DE-MOSFET điều hành kiểu tăng
Slide 52
Phân cực bằng mạch hồi tiếp điện thế
Mạch phân cực E-MOSFET
Phân cực bằng hồi tiếp điện thế
Slide 56
Nội dung
Chương 6: TRANSISTOR TRƯỜNG ỨNG FET (FIELD EFFECT TRANSISTOR) ThS Nguyễn Bá Vương Đại cương phân loại • FET ( Field Effect Transistor) -Transistor hiệu ứng trường – Transistor trường • Có loại: - Junction field- effect transistor - viết tắt JFET: Transistor trường điều khiển tiếp xúc P-N (hay gọi transistor trường mối nối) - Insulated- gate field effect transistor - viết tắt IGFET: Transistor có cực cửa cách điện • Thông thường lớp cách điện dùng lớp oxit nên gọi metal - oxide - semiconductor transistor (viết tắt MOSFET) • Trong loại transistor trường có cực cửa cách điện chia làm loại MOSFET kênh sẵn (DE-MOSFET) MOSFET kênh cảm ứng (E-MOSFET) • Mỗi loại FET lại phân chia thành loại kênh N loại kênh P FET JFET N MOSFET P DE-MOSFET N P E-MOSFET N P ký hiệu Ưu nhược điểm FET so với BJT • Một số ưu điểm: – Dòng điện qua transistor loại hạt dẫn đa số tạo nên Do FET loại cấu kiện đơn cực (unipolar device) – FET có trở kháng vào cao – Tiếng ồn FET nhiều so với transistor lưỡng cực – Nó không bù điện áp dòng ID = ngắt điện tốt – Có độ ổn định nhiệt cao – Tần số làm việc cao • Một số nhược điểm: Nhược điểm FET hệ số khuếch đại thấp nhiều so với transistor lưỡng cực Giống khác FET so với BJT • Giống nhau: – Sử dụng làm khuếch đại – làm thiết bị đóng ngắt bán dẫn – Thích ứng với mạch trở kháng • Một số khác nhau: – BJT phân cực dòng, FET phân cực điện áp – BJT có hệ số khuếch đại cao, FET có trở kháng vào lớn – FET nhạy cảm với nhiệt độ, nên thường sử dụng IC tích hợp – Trạng thái ngắt FET tốt so với BJT Cấu tạo JFET •Có loại JFET : kênh n kênh P •JFET kênh n thường thông dụng •JFET có cực: cực Nguồn S (source); cực Cửa G (gate); cực Máng D (drain) •Cực D cực S kết nối vào kênh n •cực G kết nối vào vật liệu bán dẫn p Cơ hoạt động JFET JFET hoạt động giống hoạt động khóa nước •Nguồn áp lực nước-tích lũy hạt e- điện cực âm nguồn điện áp cung cấp từ D S •Ống nước - thiếu e- hay lỗ trống cực dương nguồn điện áp cung cấp từ D S •Điều khiển lượng đóng mở nước-điện áp G điều khiển độ rộng kênh n, kiểm soát dòng chảy e- kênh n từ S tới D sơ đồ mạch JFET Nguyên lý hoạt động E-MOSFET • Nguyên lý làm việc loại kênh P kênh N giống hệt khác cực tính nguồn cung cấp đặt lên chân cực • Trước tiên, nối cực nguồn S với đế nối đất, sau cấp điện áp cực cửa cực nguồn để tạo kênh dẫn MOSFET Summary MOSFET type Vgs >0 Vgs =0 Vgs