TRANSISTOR TRƯỜNG ỨNG FET (FIELD EFFECT TRANSISTOR)

Ngày tải lên: 05/03/2013, 17:10

... cương phân loại • FET ( Field Effect Transistor) -Transistor hiệu ứng trường – Transistor trường • Có loại: - Junction field- effect transistor - viết tắt JFET: Transistor trường điều khiển tiếp ... semiconductor transistor (viết tắt MOSFET) • Trong loại transistor trường có cực cửa cách điện chia làm loại MOSFET kênh sẵn (DE-MOSFET) MOSFET kênh cảm ứng (E-MOSFE...

Ngày tải lên: 05/07/2014, 12:20

... cương phân loại • FET ( Field Effect Transistor) -Transistor hiệu ứng trường – Transistor trường • Có loại: - Junction field- effect transistor - viết tắt JFET: Transistor trường điều khiển tiếp ... semiconductor transistor (viết tắt MOSFET) • Trong loại transistor trường có cực cửa cách điện chia làm loại MOSFET kênh sẵn (DE-MOSFET) MOSFET kênh cảm ứng (E-MOSFE...

Ngày tải lên: 23/05/2017, 19:34

... tĩnh: V DS   V DD ID RD  RS RD  RS R2  4 VGS RS ID • Mạch bỏ điện trở RS FET ổn định nhiệt độ Các phép tính giống cho Rs = b.Phân cực điện trở hồi tiếp RG • Xác định điểm tĩnh điều hành Q: ... dụng cách phân cực : -bằng cầu chia -hồi tiếp thoát - cổng Dưới ta xét cách phân cực nói trên, cách khác xem lại JFET a Phân cực cầu chia RS • Xác định điểm tĩnh điều hành Q:  R2 V DD V...

Ngày tải lên: 26/07/2014, 20:20

... điện thoát nguồn gọi điện nghẽn Vp JFET Ta xét cụ thể trường hợp sau: • Khi VGS Do số điện tử cảm ... VGS=0V điện tử tự dễ dàng di chuyển từ S đến D qua kênh n có sẳn, MOSFET dẫn  Khi VDS tăng đến trị số lớn định vùng cực D lan rộng làm nghẽn kênh cho sẳn  dòng ID tăng đến trị bão hoà IDSS , điện

Ngày tải lên: 26/07/2014, 20:20

... Example 9 .8 iD (mA) v GS 100 80 = 2 .8 V 2.6 V Q 60 2.4 V D 2.2 V 40 2.0 V 20 0 1 .8 V V GG 1.6 V 1.4 V 10 v DS (V) G + v GS – iD + v DS – S RD V ON • Biểu thức điện dòng điện a.Biểu thức điện Dựa ... VDSbh cho bởi: VDSbh = VGS – VTH (1) b Biểu thức dòng điện thoát ID - Trong vùng điện trở : VGS < VTH hay VDS < VGS – VTH ta có : ID = k[ 2( VGS-VTH)VDS – (VDS)2] (2) - Tr...

Ngày tải lên: 26/07/2014, 20:20

... • N-DMOSFET MOSFET dẫn điện điện trường nhỏ nên dòng ID vào khoảng vài uA • Khi VGS > lớn, số điện tử tự ( hạt tải đa số ) kênh cảm ứng tăng làm dòng thoát ID ... điện tích âm cực cổng đủ hình thành kênh n từ cực S sang cực D, nhờ điện tử tự dễ dàng di chuyển từ S sang D tác động điện trường ( cực D có VDD lớn) ... ,cho VGS thay đổi: • Khi VGS VGS < VTH MOSFET vẩn ngưng d...

Ngày tải lên: 26/07/2014, 20:20

... R2 DD D - (4) S + VDS Vs RS VDD • IV Transistor trường có cổng cách điện hay MOSFET MOSFET có loại : • MOSFET loại tăng ( viết tắt EMOSFET – Enhancement MOSFET) • MOSFET loại ( viết tắt DMOSFETDepleition ... p ) • Ta có mạch G-S: R2 VG  V DD R  R1 + V S  RS I D RD R1 V GS  V G  V S  (2) Q Mạch D-S cho dòng ID (2) VDS cho bởi: VDS = VDD- ( RD + RS)ID (3) • Đường tải tĩnh: I D ...

Ngày tải lên: 26/07/2014, 20:20

... –VP0) điện ngưng tuỳ thuộc vào JFET sử dụng • Mô hình DC III Phân cực JFET  Khi hoạt động vùng điện trở, JFET điện trở có trị thay đổi theo điện phân cực, vùng VDS bé  Khi hoạt động vùng điện ... Công thức dòng điện thoát ID Trong vùng bão hoà, dòng điện thoát cho phương trình Schockley: I D  I DSS  V  1  V GS GSOFF    (2) IDSS dòng bão hoà cực đại ( VGS = 0V) VGS đi...

Ngày tải lên: 26/07/2014, 20:20

... 2 Đặc tuyến truyền ID=f(VGS) • Lưu ý đặc tuyến truyền suy từ đặc tuyến cho sẳn sau: ID ( mA) IDSS Q IDQ VGSOFF VGSQ VGS(V)

Ngày tải lên: 26/07/2014, 20:20

... VGS = - 5V) , vùng lớn làm kênh bị tắt, dòng ID =0, điện phân cực cổng - nguồn điện ngưng VGSOFF = - Vpo VGS = ­5 V G S p+ SCL n D VDS F ig : W h en V G S = ­5 V th e d e p le tio n la y e r ... a sa p (© M c G w -H ill, 0 ) ht : // M a te ria ls U s a s k C a II Đặc tuyến công thức dòng thoát ID 1.Đặc tuyến ngõ ID = f(VDS) tạiVGS=h,s Có vùng: Vùng điện trở Vùng ngưng Vùng bão h...

Ngày tải lên: 26/07/2014, 20:20

Ngày tải lên: 26/07/2014, 20:20

... loại • FET ( Field Effect Transistor) -Transistor hiệu ứng trường – Transistor trường • Có loại: - Transistor trường nối (JFET-Junction FET - Transistor có cổng cách điện ( IGFETInsulated Gate ... không điều khiển a.VGS = V VDS >0 : Nối pn phân cực nghịch tạo thành vùng bên mối nối , VDS lớn vùng rộng làm thắt chặt đường điện tử tự bị hút cực thoát Kết : VDS nhỏ dò...

Ngày tải lên: 26/07/2014, 20:20

... Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page H-3 H-3 01/99 Junction Field Effect Transistors InterFET Application Notes Gate Gate P Source P Drain N P Source N Drain ... 75042 (972) 487-1287 FAX (972) 276-3375 Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page H-4 H-4 01/99 Junction Field Effect Transistors InterFET Application Notes the gate to drain reverse biased depletion region ... voltage controlle...

Ngày tải lên: 13/12/2013, 22:15

... CHAPTER 4: Characteristics Field- Effect Transistor CHAPTER 4: CHARACTERISTICS OF FIELD- EFFECT TRANSISTOR 4. 1 INTRODUCTION The operation of the field- effect transistor (FET) ... values of vDS in the pinchoff region:  v  iD  I DSS   GS   V  p0   Val de Loire Program p.61 CHAPTER 4: Characteristics Field- Effect Transistor 4. 4 JFET BIAS LINE AND...

Ngày tải lên: 18/05/2014, 18:57