2.Mạch tự phân cực Điện trở R S và R G giúp ta có V GS < 0 dù không có cấp điện âm cho cực G. Áp dụng định luật Kirchhoff về thế cho vòng cực G và S: R G I G +V GS +R S I D =0 V GS =- R S I D < 0 (1) Dòng thoát cho bởi (2) như trên: - S + VDS + G VGS - + VDD Q RG RD RS IG =0 ID ID 2 (2) 1 S D D DSS GSOFF R I I I V • Áp dụng định luật Kirchhoff về thế vòng cực D-S cho: V DD = R D I D +V DS + R S I D V DS = V DD – ( R D +R S ) I D (3) Phương trình đường ID ( mA) thẳng tải tĩnh DCLL: I DM N IDQ Q V GSQ I DM = V DD/( R D+ R S) V DSM = V DD M 0 VDSQ VDD VDS(V) (4) DS DD D D S D S V V I R R R R • Vai trò đường tải tĩnh 3 . Phân cực bằng cầu phân thế Với điều kiện phải chọn Rs để có V GS < 0(kênh n) hoặc V GS > 0 ( kênh p ). • Ta có mạch G-S: Mạch D-S cho dòng I D ở (2) và V DS cho bởi: V DS = V DD - ( R D + R S )I D (3) • Đường tải tĩnh: Vs + VDS - + VGS - + VDD Q R1 R2 RD RS 2 2 1 0 (2) G DD S G S S GS D R V V R R V R I V V V ( 4 ) D S D D D D S D S V V I R R R R • IV. Transistor trường có cổng cách điện hay MOSFET. MOSFET có 2 loại : • MOSFET loại tăng ( viết tắt EMOSFET – Enhancement MOSFET). • MOSFET loại hiếm ( viết tắt DMOSFET- Depleition MOSFET ). A. MOSFET loại tăng ( giàu) 1. Cấu tạo Dùng quang khắc để tạo nên lớp cách điện ở cổng G ( h.8): MOSFET is normally off in the MOSFET is normally off in the absence of an external absence of an external electric fieldelectric field Source Bulk (substrate) Drain Gate n + n + p D i D V DS V DD V DD G S _ + _ + _ + . D S V V I R R R R • IV. Transistor trường có cổng cách điện hay MOSFET. MOSFET có 2 loại : • MOSFET loại tăng ( viết tắt EMOSFET – Enhancement MOSFET). • MOSFET loại hiếm ( viết tắt. hoặc V GS > 0 ( kênh p ). • Ta có mạch G-S: Mạch D-S cho dòng I D ở (2) và V DS cho bởi: V DS = V DD - ( R D + R S )I D (3) • Đường tải tĩnh: Vs + VDS - + VGS - + VDD Q R1 R2 RD RS 2 2 1 0. 2.Mạch tự phân cực Điện trở R S và R G giúp ta có V GS < 0 dù không có cấp điện âm cho cực G. Áp dụng định luật Kirchhoff về thế cho vòng cực G và S: R G I G +V GS +R S I D =0 V GS =-