Điện tử học : Transistor trường ứng( FET) part 4 pot

• Theo chùm( họ) đặc tuyến ra , quỉ tích các điện thế nghẽn là đường cong thoả hàm số theo điện thế phân cực và V po : V p = V DS bh = V GS + V po ( Với Vpo >0) (1) Thí dụ :Khi : V GS = 0V V DS0bh = V P0 =0+5V = 5V V GS = -1V V DS1bh =V P1 =-1+5V = 4V V GS = -2V V DSbh = V P2 =-2+5V = 3V ……………… V GS = -5V V DSbh =V P5 =-5V+5V = 0 (V p5 = V GSOFF ) • Do tính chất đối xứng nên V PO và V GSOFF bằng nhau nhưng khác dấu. Mặt khác theo định luật kirchooff về thế ta có:V DS = V DG +V GS và khi V GS = 0 V ta điện thế nghẽn V DS0 = V DGo = Vpo (để dễ liên tưởng đến điện thế nghẽn ( pinch off), nên khi V GS <0 gọi điện thế nghẽn là V DSbh = V p và thay vào trên ta được: V DSbh = V GS + V po như trên 2. Đặc tuyến truyền I2. Đặc tuyến truyền I DD =f(V=f(V GSGS )) • Lưu ý rằng đặc tuyến truyền còn được suy ra từ đặc tuyến ra cho sẳn như sau: I D ( mA) I DSS Q I DQ V GSOFF V GSQ V GS(V) 6 4 2 0 . đặc tuyến ra , quỉ tích các điện thế nghẽn là đường cong thoả hàm số theo điện thế phân cực và V po : V p = V DS bh = V GS + V po ( Với Vpo >0) (1) Thí dụ :Khi : V GS = 0V V DS0bh = V P0 =0+5V. kirchooff về thế ta có:V DS = V DG +V GS và khi V GS = 0 V ta điện thế nghẽn V DS0 = V DGo = Vpo (để dễ liên tưởng đến điện thế nghẽn ( pinch off), nên khi V GS <0 gọi điện thế nghẽn là V DSbh =. ta được: V DSbh = V GS + V po như trên 2. Đặc tuyến truyền I2. Đặc tuyến truyền I DD =f(V=f(V GSGS )) • Lưu ý rằng đặc tuyến truyền còn được suy ra từ đặc tuyến ra cho sẳn như sau: I D ( mA) I DSS Q