Điện tử học : Transistor trường ứng( FET) part 6 potx

... hoặc V GS > 0 ( kênh p ). • Ta có mạch G-S: Mạch D-S cho dòng I D ở (2) và V DS cho bởi: V DS = V DD - ( R D + R S )I D (3) • Đường tải tĩnh: Vs + VDS - + VGS - + VDD Q R1 R2 RD RS 2 2 1 0 ... đường tải tĩnh 2.Mạch tự phân cực Điện trở R S và R G giúp ta có V GS < 0 dù không có cấp điện âm cho cực G. Áp dụng định luật Kirchhoff về thế cho vòng cực G và S: R G I G +V GS +R S I D...

Ngày tải lên: 26/07/2014, 20:20

... dẫn điệnkhi chưa được phân cực .

Ngày tải lên: 26/07/2014, 20:20

... b.Phân cực bằng điện trởb.Phân cực bằng điện trở hồi tiếp Rhồi tiếp R GG • Xác định điểm tĩnh điều hành Q: • Đường tải tĩnh: + VGS - + VDS - + VDD ID Q RD RG      ... như EMOSFET.  EMOSFET (kênh n) hoạt dộng khi V GS >V TH dương, nên áp dụng cách phân cực : -bằng cầu chia thế và -hồi tiếp thoát - cổng. Dưới đây ta chỉ xét 2 cách phân cực nói trên, ... của EMOSFET và So sá...

Ngày tải lên: 26/07/2014, 20:20

... , và điện thế thoát nguồn được gọi là điện thế nghẽn V p như ở JFET. Ta xét 2 cụ thể trường hợp sau: • Khi V GS <0 Do có điện tích dương xuất hiện trong kênh n cho sẳn nên các điện tử tự ... • Khi cho VGS > 0 Do số điện tử cảm ứng trong kênh bây giờ là các điện tử tự do nên dòng thoát càng tăng lên. Và khi tăng V DS lên ,do vùng hiếm ... giảm hơn Khi V GS âm...

Ngày tải lên: 26/07/2014, 20:20

... thức điện thế và dòng điện a.Biểu thức điện thế Dựa vào lý thuyết và đặc tuyến, quỉ tích các điểm có V DSbh cho bởi: V DSbh = V GS – V TH (1). b. Biểu thức dòng điện thoát I D . - Trong vùng điện ... ý (1). Do EMOSFET dẫn điện chỉ bằng các hạt tải đa số nên còn gọi lả linh kiện hạt tải đa số hay transistor đơn cực(đơn hướng). (2). Việc điều khiển các hạt tải đa số bằng điện...

Ngày tải lên: 26/07/2014, 20:20

... vào rất lớn, nên dòng I G =0 và : V GS = V GG < 0 (1) Dòng thoát cho bởi: Điện thế V DS cho bởi: V DS = V DD – R D I D (3) Phương trình đường thẳng tải tĩnh: I D =(-V DS + V DD )/ R D ( 4) - S + VDSD + G VGS - + ... JFET  Khi hoạt động trong vùng điện trở, JFET là 1 điện trở có trị thay đổi theo điện thế phân cực, trong vùng này V DS rất bé.  Khi hoạt động trong vùng điện...

Ngày tải lên: 26/07/2014, 20:20

... đặc tuyến ra , quỉ tích các điện thế nghẽn là đường cong thoả hàm số theo điện thế phân cực và V po : V p = V DS bh = V GS + V po ( Với Vpo >0) (1) Thí dụ :Khi : V GS = 0V V DS0bh = V P0 =0+5V ... kirchooff về thế ta có:V DS = V DG +V GS và khi V GS = 0 V ta điện thế nghẽn V DS0 = V DGo = Vpo (để dễ liên tưởng đến điện thế nghẽn ( pinch off), nên khi V GS <0 gọi...

Ngày tải lên: 26/07/2014, 20:20

... tuyến và công thức dòng thoát I DD 1.Đặc tuyến ngõ ra I D = f(V DS ) tạiV GS =h,s. Có 3 vùng: Vùng điện trở Vùng bão hoà Vùng ngưng

Ngày tải lên: 26/07/2014, 20:20

Ngày tải lên: 26/07/2014, 20:20

... Điện tử cơ bảnĐiện tử cơ bản Ch 6 .Transistor trường ứng( FETCh 6 .Transistor trường ứng( FET)) I. Đại cương và phân loạiI. Đại cương và phân loại • FET ( Field Effect Transistor) -Transistor ... ứng trường – Transistor trường. • Có 2 loại: - Transistor trường nối (JFET-Junction FET. - Transistor có cổng cách điện ( IGFET- Insulated Gate FET hay MOSFET –...

Ngày tải lên: 26/07/2014, 20:20