1. Trang chủ
  2. » Luận Văn - Báo Cáo

Chế tạo các màng mỏng VO2 cấu trúc nanô và khảo sát tính chất biến đổi nhiệt - điện - quang của chúng

56 699 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 56
Dung lượng 1,66 MB

Nội dung

Ngày đăng: 25/03/2015, 11:55

Nguồn tham khảo

Tài liệu tham khảo Loại Chi tiết
[1] Morin F. (1959), “Oxides which show a metal-to-insulator transition at the Neel temperature”, Physical Review Letters, Vol. 3, p34 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Oxides which show a metal-to-insulator transition at the Neel temperature”," Physical Review Letters
Tác giả: Morin F
Năm: 1959
[2] Granqvist C.G. (1994), “Electrochromic oxides: a bandstructure approach”, Solar Energy Materials and solar Cells 32, pp.369-382 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Electrochromic oxides: a bandstructure approach”, "Solar Energy Materials and solar Cells
Tác giả: Granqvist C.G
Năm: 1994
[3] Bugayev A.A., Chudnovskii F.A. and Zakharchenya B.P. (1986), ''A study of the Metal-Semiconductor transition in vanadium oxides'', Tuchkevich Eds. V.M. and Frenken V.Ya., trans. Nevill Mott. Edit., pp. 265-292 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Tuchkevich Eds. V.M. and Frenken V.Ya., trans. Nevill Mott. Edit
Tác giả: Bugayev A.A., Chudnovskii F.A. and Zakharchenya B.P
Năm: 1986
[4] Kakiuchida H., Jin P., Tazawa M. (2010), “Control of Optical Performance in Infrared Region for Vanadium Dioxide Films Layered by Amorphous Silicon”, Int. J. Thermophys. 31 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Control of Optical Performance in Infrared Region for Vanadium Dioxide Films Layered by Amorphous Silicon”," Int. J. Thermophys
Tác giả: Kakiuchida H., Jin P., Tazawa M
Năm: 2010
[5] Batista C., Ribeiro R.M. and V. Teixeira (2011), “Synthesis and characterization of VO2-based thermochromic thin films for energy- efficient windows”. Nanoscale research letter, a SpringerOpen Journal Sách, tạp chí
Tiêu đề: Synthesis and characterization of VO2-based thermochromic thin films for energy-efficient windows”
Tác giả: Batista C., Ribeiro R.M. and V. Teixeira
Năm: 2011
[6] Ben-Messaoud T., Landry G., Gariépy J.P., Ramamoorthy B., Ashrit P.V., Haché A. (2008), “High contrast optical switching in VO 2 thin films”, Optics, Commun. 281, 6024 Sách, tạp chí
Tiêu đề: High contrast optical switching in VO2 thin films”," Optics, Commun
Tác giả: Ben-Messaoud T., Landry G., Gariépy J.P., Ramamoorthy B., Ashrit P.V., Haché A
Năm: 2008
[7] Lee Y.W., Kim B.J., Choi S., Kim H.T., Kim G. (2007), “Photo-assisted electrical gating in a two-terminal device based on vanadium dioxide thin film”, Opt. Express (15) 12108 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Photo-assisted electrical gating in a two-terminal device based on vanadium dioxide thin film”, "Opt. Express
Tác giả: Lee Y.W., Kim B.J., Choi S., Kim H.T., Kim G
Năm: 2007
[8] Parker John C., Gelser Urs W., Lam Daniel J., Xu Yongnian and Ching Wai Yim (1990), ''Optical properties of the Vanadium Oxide VO 2 and V 2 O 5 '', J. Am. Ceram. Soc. 73 (11) pp. 3206-3208 Sách, tạp chí
Tiêu đề: J. Am. Ceram. Soc
Tác giả: Parker John C., Gelser Urs W., Lam Daniel J., Xu Yongnian and Ching Wai Yim
Năm: 1990
[9] Andersson A.M., Granqvist Claes G. and Stevens J.R. (1989), ''Electrochromic Li x WO 3 /Polymer laminate/ LiV 2 O 5 device: to ward an all Solid- state smart window'', Applied Optics, 28(15), pp. 3295-3301 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Applied Optics
Tác giả: Andersson A.M., Granqvist Claes G. and Stevens J.R
Năm: 1989
[10] Russell B., Geoffrey H., Clara P. and Ivan P.P. (2007), “Doped and un- dopes vanadium dioxide thin films prepared by atmospheric pressure chemical vapour deposition from vanadyl acetylacetonate and tungsten hexachloride: the effects of thickness and crystallographic orientation on thermochomic properties”, Jounal of Materials Chemistry Sách, tạp chí
Tiêu đề: Doped and un-dopes vanadium dioxide thin films prepared by atmospheric pressure chemical vapour deposition from vanadyl acetylacetonate and tungsten hexachloride: the effects of thickness and crystallographic orientation on thermochomic properties”
Tác giả: Russell B., Geoffrey H., Clara P. and Ivan P.P
Năm: 2007
[11] Chen C., Wang R., Shang L., Guo C. (2008), “Gate-field-induced phase transitions in VO 2 : Monoclinic metal phase separation and switchable infrared reflections”, Appl. Phys. Lett. (93) 171101 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Gate-field-induced phase transitions in VO2: Monoclinic metal phase separation and switchable infrared reflections”, "Appl. Phys. Lett
Tác giả: Chen C., Wang R., Shang L., Guo C
Năm: 2008
[12] Sakai J., Kurisu M. (2008), “Electrical measurements of a VO 2 thin film under high pressure of 25 GPa generated by a load-controllable point- contact structure” , Phys. Rev. B (78) 033106 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Electrical measurements of a VO2 thin film under high pressure of 25 GPa generated by a load-controllable point-contact structure” , "Phys. Rev. B
Tác giả: Sakai J., Kurisu M
Năm: 2008
[13] Granqvist C.G. (1993), “Optical coating for glazing”, Journal De Physique IV, Vol.3, pp. 1367-1375 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Optical coating for glazing”, "Journal De Physique
Tác giả: Granqvist C.G
Năm: 1993
[14] Garry G., Durand O., Lordereau A. (2004), “Structural, electrical, and optical properties of pulsed laser deposition VO 2 thin films on R-and C- sapphire planes”, Thin Solid Films 453–454, 427 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Structural, electrical, and optical properties of pulsed laser deposition VO2 thin films on R-and C-sapphire planes”, "Thin Solid Films
Tác giả: Garry G., Durand O., Lordereau A
Năm: 2004
[15] Yun S.J., Lim J.W., Chae B.G., Kim B.J., Kim H.T. (2008), “Characteristics of vanadium dioxide films deposited by RF-magnetron- sputter deposition technique using V-metal target”, Phys. B Condens.Matter 403, 1381 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Characteristics of vanadium dioxide films deposited by RF-magnetron-sputter deposition technique using V-metal target”, "Phys. B Condens. "Matter
Tác giả: Yun S.J., Lim J.W., Chae B.G., Kim B.J., Kim H.T
Năm: 2008
[16] Nihei Y., Sasakawa Y., Okimura K. (2008), “Advantages of inductively coupled plasma-assisted sputtering for preparation of stoichiometric VO 2films with metal insulator transition”, Thin Solid Films 516, 3572 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Advantages of inductively coupled plasma-assisted sputtering for preparation of stoichiometric VO2films with metal insulator transition”, "Thin Solid Films
Tác giả: Nihei Y., Sasakawa Y., Okimura K
Năm: 2008
[17] Nyberg G.A., Buhrman R.A. (1984), “Preparation and optical properties of reactively evaporated VO 2 thin films”, J. Vac. Sci. Technol. A 2, 301 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Preparation and optical properties of reactively evaporated VO2 thin films”, "J. Vac. Sci. Technol
Tác giả: Nyberg G.A., Buhrman R.A
Năm: 1984
[18] Stanley A.L., Edward A.T. (1995), ''Effect of Tungsten and Molydenum doping on the semiconductor-metal transition in Vanadium dioxide produce by evaporative decomposition of solution and Hydrogen redution'', J.Am. Ceran.Soc. 78 (1) pp. 238-240.Tài liệu tham khảo tiếng Việt Sách, tạp chí
Tiêu đề: J.Am. Ceran.Soc." 78 (1) pp. 238-240
Tác giả: Stanley A.L., Edward A.T
Năm: 1995
[19] Nguyễn Năng Định (2005), Vật lý và kỹ thuật màng mỏng, Nhà xuất bản Đại học Quốc Gia Hà Nội, Hà Nội -2005, 248 tr Sách, tạp chí
Tiêu đề: Vật lý và kỹ thuật màng mỏng
Tác giả: Nguyễn Năng Định
Nhà XB: Nhà xuất bản Đại học Quốc Gia Hà Nội
Năm: 2005

Xem thêm

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

Hình 1.1. Sự phụ thuộc độ dẫn điện vào nhiệt độ của các oxít vanadium - Chế tạo các màng mỏng VO2 cấu trúc nanô và khảo sát tính chất biến đổi nhiệt - điện - quang của chúng
Hình 1.1. Sự phụ thuộc độ dẫn điện vào nhiệt độ của các oxít vanadium (Trang 9)
Hình 1.2. Hệ mạng đơn tà của màng mỏng VO 2 cấu trúc nanô với ô cơ sở (a) và cấu trúc mạng (b) ( V-hình cầu màu đen, O-hình cầu màu trắng) - Chế tạo các màng mỏng VO2 cấu trúc nanô và khảo sát tính chất biến đổi nhiệt - điện - quang của chúng
Hình 1.2. Hệ mạng đơn tà của màng mỏng VO 2 cấu trúc nanô với ô cơ sở (a) và cấu trúc mạng (b) ( V-hình cầu màu đen, O-hình cầu màu trắng) (Trang 10)
Hình 1.5. Cấu trúc vùng năng lượng của VO 2 gần mức Fermi đối với pha kim loại và cách điện theo mô tả của Goodenough - Chế tạo các màng mỏng VO2 cấu trúc nanô và khảo sát tính chất biến đổi nhiệt - điện - quang của chúng
Hình 1.5. Cấu trúc vùng năng lượng của VO 2 gần mức Fermi đối với pha kim loại và cách điện theo mô tả của Goodenough (Trang 13)
Hình 1.6. Phổ truyền qua của màng mỏng VO 2 ở nhiệt độ thấp và nhiệt độ cao - Chế tạo các màng mỏng VO2 cấu trúc nanô và khảo sát tính chất biến đổi nhiệt - điện - quang của chúng
Hình 1.6. Phổ truyền qua của màng mỏng VO 2 ở nhiệt độ thấp và nhiệt độ cao (Trang 14)
Hình 1.7. Độ trễ nhiệt của màng VO 2 đơn tinh thể - Chế tạo các màng mỏng VO2 cấu trúc nanô và khảo sát tính chất biến đổi nhiệt - điện - quang của chúng
Hình 1.7. Độ trễ nhiệt của màng VO 2 đơn tinh thể (Trang 15)
Hình 1.8. Các nguyên tố mà ôxyt của chúng là các vật liệu điện sắc - Chế tạo các màng mỏng VO2 cấu trúc nanô và khảo sát tính chất biến đổi nhiệt - điện - quang của chúng
Hình 1.8. Các nguyên tố mà ôxyt của chúng là các vật liệu điện sắc (Trang 16)
Hình 1.9. Sơ đồ cấu tạo của linh kiện điện sắc - Chế tạo các màng mỏng VO2 cấu trúc nanô và khảo sát tính chất biến đổi nhiệt - điện - quang của chúng
Hình 1.9. Sơ đồ cấu tạo của linh kiện điện sắc (Trang 17)
Hình 1.10. Cơ chế hấp thụ polaron của màng mỏng VO 2 . - Chế tạo các màng mỏng VO2 cấu trúc nanô và khảo sát tính chất biến đổi nhiệt - điện - quang của chúng
Hình 1.10. Cơ chế hấp thụ polaron của màng mỏng VO 2 (Trang 18)
Hình 1.11.Vi chuyển mạch đa lớp trên cơ sở vật liệu VO 2 - Chế tạo các màng mỏng VO2 cấu trúc nanô và khảo sát tính chất biến đổi nhiệt - điện - quang của chúng
Hình 1.11. Vi chuyển mạch đa lớp trên cơ sở vật liệu VO 2 (Trang 19)
Hình 1.12. Cửa sổ hữu hiệu năng lượng - Chế tạo các màng mỏng VO2 cấu trúc nanô và khảo sát tính chất biến đổi nhiệt - điện - quang của chúng
Hình 1.12. Cửa sổ hữu hiệu năng lượng (Trang 20)
Hình 2.1. Sơ đồ bốc bay nhiệt chế tạo màng mỏng VO 2 cấu trúc nanô - Chế tạo các màng mỏng VO2 cấu trúc nanô và khảo sát tính chất biến đổi nhiệt - điện - quang của chúng
Hình 2.1. Sơ đồ bốc bay nhiệt chế tạo màng mỏng VO 2 cấu trúc nanô (Trang 22)
Hình 2.2. Sơ đồ phương pháp bốc bay chùm tia điện tử chế tạo màng mỏng VO 2 cấu trúc nanô - Chế tạo các màng mỏng VO2 cấu trúc nanô và khảo sát tính chất biến đổi nhiệt - điện - quang của chúng
Hình 2.2. Sơ đồ phương pháp bốc bay chùm tia điện tử chế tạo màng mỏng VO 2 cấu trúc nanô (Trang 23)
Hình 2.3. Giản đồ nhiễu xạ tia X của màng mỏng ôxyt vanađi lắng đọng bằng phương pháp bốc bay chùm tia điện tử từ vật liệu gốc là bột V 2 O 3 (A), VO 2 (B) và V 2 O 5 (C) được tái kết tinh sơ bộ trong áp suất 10 -2 Torr, nhiệt độ 450 0 C, thời - Chế tạo các màng mỏng VO2 cấu trúc nanô và khảo sát tính chất biến đổi nhiệt - điện - quang của chúng
Hình 2.3. Giản đồ nhiễu xạ tia X của màng mỏng ôxyt vanađi lắng đọng bằng phương pháp bốc bay chùm tia điện tử từ vật liệu gốc là bột V 2 O 3 (A), VO 2 (B) và V 2 O 5 (C) được tái kết tinh sơ bộ trong áp suất 10 -2 Torr, nhiệt độ 450 0 C, thời (Trang 25)
Hình 2.4 . Sự phản xạ của tia X trên các mặt phẳng Bragg - Chế tạo các màng mỏng VO2 cấu trúc nanô và khảo sát tính chất biến đổi nhiệt - điện - quang của chúng
Hình 2.4 Sự phản xạ của tia X trên các mặt phẳng Bragg (Trang 27)
Hình 2.5. Đỉnh nhiễu xạ trong trường hợp mẫu đơn tinh thể lý tưởng (a) và đa tinh thể (b) - Chế tạo các màng mỏng VO2 cấu trúc nanô và khảo sát tính chất biến đổi nhiệt - điện - quang của chúng
Hình 2.5. Đỉnh nhiễu xạ trong trường hợp mẫu đơn tinh thể lý tưởng (a) và đa tinh thể (b) (Trang 28)

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

TRÍCH ĐOẠN

Phân tích cấu trúc bề mặt bằng hiển vi điện tử quét FE-SEM PHÂN TÍCH HÌNH THÁI HọC Bề MặT MÀNG XốP NC-VO 2 CấU TRÚC TINH THể CủA MÀNG VO2 CấU TRÚC NANÔ PHổ TÁN Xạ RAMAN Tính chất điện

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w