1. Trang chủ
  2. » Luận Văn - Báo Cáo

Nghiên cứu tính chất của màng mỏng PZT cấu trúc nanô chế tạo bằng phương pháp dung dịch định hướng ứng dụng cho bộ nhớ sắt điện

77 925 3

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 77
Dung lượng 5,41 MB

Nội dung

Ngày đăng: 25/03/2015, 11:56

Nguồn tham khảo

Tài liệu tham khảo Loại Chi tiết
[1]. Nguyễn Năng Định (2005), Vật lý và kỹ thuật màng mỏng, NXB ĐHQGHN. Tiếng Anh Sách, tạp chí
Tiêu đề: Vật lý và kỹ thuật màng mỏng
Tác giả: Nguyễn Năng Định
Nhà XB: NXB ĐHQGHN. Tiếng Anh
Năm: 2005
[2]. Alexe M. (1999), “Nanoelectronics needs new materials”, Physics World 12, 21 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Nanoelectronics needs new materials”, "Physics World
Tác giả: Alexe M
Năm: 1999
[3]. Amanuma K., Hase T., Miyasaka Y. (1994), “Fatigue Characteristics of Sol-Gel Derived Pb(Zr, Ti)O 3 Thin Films”, Jpn. J. Appl. Phys. 33, 5211 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Fatigue Characteristics of Sol-Gel Derived Pb(Zr, Ti)O3 Thin Films”, "Jpn. J. Appl. Phys
Tác giả: Amanuma K., Hase T., Miyasaka Y
Năm: 1994
[4]. Ami T., Hironaka K. et al. (1996), MRS Proc. 415, 195 Sách, tạp chí
Tiêu đề: MRS Proc
Tác giả: Ami T., Hironaka K. et al
Năm: 1996
[5]. Auciello O., Dat. R. and Ramesh R. (1996), Ferroelectric Thin Films, eds. Araujo C., Scott J.F., and Taylor G.W., Gordon & Breach, New York, p.525 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Ferroelectric Thin Films
Tác giả: Auciello O., Dat. R. and Ramesh R
Năm: 1996
[7]. Brinker J., Scherer G.W. (1990), “Sol-Gel Science”, Academic Press Sách, tạp chí
Tiêu đề: Sol-Gel Science”
Tác giả: Brinker J., Scherer G.W
Năm: 1990
[8]. Chrisey D. B. and Huber G.K. (1994), Pulsed Laser De-position of Thin Films, Wiley, New York Sách, tạp chí
Tiêu đề: Pulsed Laser De-position of Thin Films
Tác giả: Chrisey D. B. and Huber G.K
Năm: 1994
[10]. Das Saptarshi and Appenzeller Joerg (2011), FETRAM- an Organic Ferroelectric Material Based Novel Random Access Memory Cell, Birck and NCN Publications, pp. 778 Sách, tạp chí
Tiêu đề: FETRAM- an Organic Ferroelectric Material Based Novel Random Access Memory Cell
Tác giả: Das Saptarshi and Appenzeller Joerg
Năm: 2011
[11]. De Keijer M. et al. (1996), Ferroelectric Thin Films, eds. C. Paz de Araujo, J.F. Scott, and G.W. Taylor, Gordon & Breach, New York, p.485 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Ferroelectric Thin Films
Tác giả: De Keijer M. et al
Năm: 1996
[12]. Drexel University textbook, Piezoelectric material., 10 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Piezoelectric material
[13]. Gao Z., Tsou A.H. (1999), “Mechanical properties of polymers containing fillers”, J Polymer Science: Part B: Polymer Physics :37; 155-172 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Mechanical properties of polymers containing fillers”, "J Polymer Science: Part B: Polymer Physics
Tác giả: Gao Z., Tsou A.H
Năm: 1999
[14]. Gutleben C.D.(1996), MRS Proc. 433, 109 Sách, tạp chí
Tiêu đề: MRS Proc
Tác giả: Gutleben C.D
Năm: 1996
[15]. Gutleben C.D. (1997), Appl. Phys. Lett. 71, 3444 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Appl. Phys. Lett
Tác giả: Gutleben C.D
Năm: 1997
[16]. Han Hui-Seong (2009), “Electric Properties of PVDF-TrFE (75/25) Thin Films with a Lanthanum Zirconium Oxide Bu er Layer for FeRAM”, Journal of the Korean Physical Society, Vol. 55, No. 2, pp. 898∼901 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Electric Properties of PVDF-TrFE (75/25) Thin Films with a Lanthanum Zirconium Oxide Bu er Layer for FeRAM”, "Journal of the Korean Physical Society
Tác giả: Han Hui-Seong
Năm: 2009
[17]. Hanold R. Cl F. (1975), U. S. Patent # 4,081,857 Sách, tạp chí
Tiêu đề: U. S. Patent
Tác giả: Hanold R. Cl F
Năm: 1975
[18]. Horwitz J.S., Grabowski K.S., Chrisey D.B. and Leuchtner R.E. (1991), “Insitu deposition of epitaxial PbZr x Ti 1-x O 3 thin films by pulsed laser deposition”, Appl.Phys. Lett. 59, 1565 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Insitu deposition of epitaxial PbZrxTi1-xO3 thin films by pulsed laser deposition”, "Appl. "Phys. Lett
Tác giả: Horwitz J.S., Grabowski K.S., Chrisey D.B. and Leuchtner R.E
Năm: 1991
[20]. Ibos L, et. al. (2000), “Correlation between pyroelectric properties and dielectric behavior in ferroelectric polymers”, Ferroelectrics: 238, 163-170 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Correlation between pyroelectric properties and dielectric behavior in ferroelectric polymers”, "Ferroelectrics
Tác giả: Ibos L, et. al
Năm: 2000
[21]. Ishiwara H., Okuyama M., Arimoto Y. (2004), Ferroelectric Random Access Memories Fundamentals and Application, Topics in applied physics, V.93 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Ferroelectric Random Access Memories Fundamentals and Application
Tác giả: Ishiwara H., Okuyama M., Arimoto Y
Năm: 2004
[22]. Isobe C. et al. (1997), International Symposium of Integrated Ferroelectrics. Santa- Fe, New Mexico, March 1997, Integ. Ferroelec. 14, 95 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Integ. Ferroelec
Tác giả: Isobe C. et al
Năm: 1997
[23]. Kalkur T. S. et al. (1994)., Integ. Ferroelec. 1, 327 (1992); MRS Proc. 230, 315 (1992); Integ. Ferroelec. 5, 177 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Integ. Ferroelec". 1, 327 (1992); "MRS Proc." 230, 315 (1992); "Integ. Ferroelec
Tác giả: Kalkur T. S. et al
Năm: 1994

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

Hình 1.1: Nguyên lý hoạt động của bộ nhớ FeRAM. - Nghiên cứu tính chất của màng mỏng PZT cấu trúc nanô chế tạo bằng phương pháp dung dịch định hướng ứng dụng cho bộ nhớ sắt điện
Hình 1.1 Nguyên lý hoạt động của bộ nhớ FeRAM (Trang 18)
Hình 1.8: Sơ đồ nguyên lý của quá trình phún xạ. - Nghiên cứu tính chất của màng mỏng PZT cấu trúc nanô chế tạo bằng phương pháp dung dịch định hướng ứng dụng cho bộ nhớ sắt điện
Hình 1.8 Sơ đồ nguyên lý của quá trình phún xạ (Trang 26)
Hình 1.9: Sơ đồ hệ bốc bay bằng xung laser.  [1] - Nghiên cứu tính chất của màng mỏng PZT cấu trúc nanô chế tạo bằng phương pháp dung dịch định hướng ứng dụng cho bộ nhớ sắt điện
Hình 1.9 Sơ đồ hệ bốc bay bằng xung laser. [1] (Trang 27)
Hình 1.10: Kỹ thuật Sol-gel và các sản phẩm.  [24] - Nghiên cứu tính chất của màng mỏng PZT cấu trúc nanô chế tạo bằng phương pháp dung dịch định hướng ứng dụng cho bộ nhớ sắt điện
Hình 1.10 Kỹ thuật Sol-gel và các sản phẩm. [24] (Trang 30)
Hình 2.2: Thiết bị quay phủ và máy sấy. - Nghiên cứu tính chất của màng mỏng PZT cấu trúc nanô chế tạo bằng phương pháp dung dịch định hướng ứng dụng cho bộ nhớ sắt điện
Hình 2.2 Thiết bị quay phủ và máy sấy (Trang 35)
Hình 2.3: Sơ đồ - Nghiên cứu tính chất của màng mỏng PZT cấu trúc nanô chế tạo bằng phương pháp dung dịch định hướng ứng dụng cho bộ nhớ sắt điện
Hình 2.3 Sơ đồ (Trang 36)
Hình 2.4: Lò ủ nhiệt chậm. - Nghiên cứu tính chất của màng mỏng PZT cấu trúc nanô chế tạo bằng phương pháp dung dịch định hướng ứng dụng cho bộ nhớ sắt điện
Hình 2.4 Lò ủ nhiệt chậm (Trang 36)
Hình 2.10: Mặt nạ sử dụng trong chế tạo điện cực. - Nghiên cứu tính chất của màng mỏng PZT cấu trúc nanô chế tạo bằng phương pháp dung dịch định hướng ứng dụng cho bộ nhớ sắt điện
Hình 2.10 Mặt nạ sử dụng trong chế tạo điện cực (Trang 40)
Hình 2.14: Sơ đồ nguyên lý phép đo điện trễ theo mạch Sawyer – Tower. - Nghiên cứu tính chất của màng mỏng PZT cấu trúc nanô chế tạo bằng phương pháp dung dịch định hướng ứng dụng cho bộ nhớ sắt điện
Hình 2.14 Sơ đồ nguyên lý phép đo điện trễ theo mạch Sawyer – Tower (Trang 43)
Hình 3.1: Phổ nhiễu xạ tia X của màng mỏng PZT ủ tại 500 o C. - Nghiên cứu tính chất của màng mỏng PZT cấu trúc nanô chế tạo bằng phương pháp dung dịch định hướng ứng dụng cho bộ nhớ sắt điện
Hình 3.1 Phổ nhiễu xạ tia X của màng mỏng PZT ủ tại 500 o C (Trang 47)
Hình 3.3: Phổ nhiễu xạ tia X của màng mỏng  PZT - Nghiên cứu tính chất của màng mỏng PZT cấu trúc nanô chế tạo bằng phương pháp dung dịch định hướng ứng dụng cho bộ nhớ sắt điện
Hình 3.3 Phổ nhiễu xạ tia X của màng mỏng PZT (Trang 48)
Hình 3.6: Phổ nhiễu xạ tia X của màng mỏng PZT ủ tại các nhiệt độ khác nhau. - Nghiên cứu tính chất của màng mỏng PZT cấu trúc nanô chế tạo bằng phương pháp dung dịch định hướng ứng dụng cho bộ nhớ sắt điện
Hình 3.6 Phổ nhiễu xạ tia X của màng mỏng PZT ủ tại các nhiệt độ khác nhau (Trang 49)
Hình 3.11: Phổ nhiễu xạ tia X của màng mỏng - Nghiên cứu tính chất của màng mỏng PZT cấu trúc nanô chế tạo bằng phương pháp dung dịch định hướng ứng dụng cho bộ nhớ sắt điện
Hình 3.11 Phổ nhiễu xạ tia X của màng mỏng (Trang 51)
Hình 3.13: Ảnh điện cực phủ trên màng mỏng PZT đường kính: 100, 200 và 500  m. - Nghiên cứu tính chất của màng mỏng PZT cấu trúc nanô chế tạo bằng phương pháp dung dịch định hướng ứng dụng cho bộ nhớ sắt điện
Hình 3.13 Ảnh điện cực phủ trên màng mỏng PZT đường kính: 100, 200 và 500  m (Trang 52)
Hình 3.14: Đồ thị P-E (điện trễ) của màng mỏng PZT ủ tại 500 o C . - Nghiên cứu tính chất của màng mỏng PZT cấu trúc nanô chế tạo bằng phương pháp dung dịch định hướng ứng dụng cho bộ nhớ sắt điện
Hình 3.14 Đồ thị P-E (điện trễ) của màng mỏng PZT ủ tại 500 o C (Trang 52)

TRÍCH ĐOẠN

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w