Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống
1
/ 44 trang
THÔNG TIN TÀI LIỆU
Thông tin cơ bản
Định dạng
Số trang
44
Dung lượng
1,89 MB
Nội dung
ĐẠI HỌC QUỐC GIA TP.HỒ CHÍ MINH TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN KHOA KHOA HỌC VẬT LIỆU BỘ MÔN VẬT LIỆU NANO & MÀNG MỎNG Nhóm 9 Đề tài: QUANG HỌC BÁN DẪN SEMINAR CHUYÊN NGÀNH ng GVHD: Ths Ngô H SVTH: King Nht Chung Qung Thnh TP H CHÍ MINH 2013 ĐẠI HỌC QUỐC GIA TP.HỒ CHÍ MINH TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN KHOA KHOA HỌC VẬT LIỆU BỘ MÔN VẬT LIỆU VÀ LINH KIỆN MÀNG MỎNG Nhóm 9 Đề tài: QUANG HỌC BÁN DẪN SEMINAR CHUYÊN NGÀNH ng GVHD: Ths Ngô H SVTH: King Nht Chung Qung Thnh TP H CHÍ MINH 2013 i MỤC LỤC MC LC i DANH MC HÌNH V V TH iii Lu 1 Chương 1. Vùng Năng Lượng và Điện Tích Hạt Tải 2 1.1. Vùng Năng Lượng Trong Chất Bán Dẫn 2 1.2. Điện tử và lỗ trống 3 1.3. Sự tương quan giữa năng lượng và động lượng 4 1.4. Khối lượng hiệu dụng 5 1.5. Bán dẫn vùng cấm trực tiếp và gián tiếp 6 Chương 2. Vật Liệu Bán Dẫn 7 2.1. Binary III-V Semiconductors 7 2.2. Ternary III-V Semiconductors 9 2.3. Quaternary III-V Semiconductors 10 2.4. Bán dẫn tinh khiết 13 2.5. Bán dẫn pha tạp 14 2.6. Bán dẫn hữu cơ 17 3.1. Mật độ trạng thái. 18 3.2. Xác suất chiếm giữ bởi electron và lỗ trống. 18 3.3. Nồng độ hạt tải trong cân bằng nhiệt 20 Chương 4. Sự phát sinh và tái hợp điện tử - lỗ trống 23 4.1. Sự phát sinh và tái hợp trong trạng thái cân bằng nhiệt 23 4.2. Tốc độ tái hợp 24 4.3. Sự dư điện tử và lỗ trống 25 4.4. Hiệu suất lượng tử nội 26 Chương 5. Tiếp xúc p-n 27 5.1. Cấu tạo 27 5.2. Nguyên tắc làm việc 28 5.3. Các loại diode cơ bản 29 Chương 6. Tiếp xúc dị thể. 31 6.1. Giới thiệu. 31 6.2. Hoạt động của tiếp xúc dị thể. 31 Chương 7. Cấu trúc giam giữ lượng tử 34 ii 7.1. Giếng lượng tử 34 7.2. Dây lượng tử 36 7.3. Chấm lượng tử 37 TÀI LIÊU THAM KHO 38 iii DANH MỤC HÌNH VẼ VÀ ĐỒ THỊ Hình 1.1. Bán dn Silic và GaAs 2 ng mng tinh th 3 Hình 1.3 n t trong vùng dn và l trng trong vùng hóa tr ti T>0 o K. 4 Hình 1.4 Mt ct ngang ca hàm E-i vi Si và GaAs dng: [111] bên trái và [100] bên phi. 5 Hình 1.5 Bi E-k ca Si và GaAs ging parabol tn và nh vùng hóa tr. 5 Hình 2.1 Các nguyên t bán dn quan trng trong bng tun hoàn. 7 Hình 2.2 Binary III-V Semiconductors 7 Hình 2.3 Các cht bán dn và cng 8 Hình 2.4 Ternary III-V Semiconductors 9 Hình 2.5 Quaternary III-V Semiconductors 10 Hình 2.6 ng vùng cc sóng vùng cm và hng s mng ca Si, Ge, SiC và 12 hp cht hai nguyên t III-V. 12 Hình 2.7 ng vùng cc sóng vùng cm và hng s mng ca các cht bán dn II-VI (HgSe và HgTe là á kim vi vùng cm âm nh). 13 Hình 2.8 Mng tinh th Si 13 Hình 2.9 Mng tinh th Si pha tp nguyên t P 14 Hình 2.10 Dng ca bán dn loi Si pha tp P (T = 00K) 15 Hình 2.11 Mng tinh th Si pha tp cht B 16 Hình 2.12 Dng ca bán dn loi Si pha tp P (T = 00K) 16 Hình 2.13 Mch phân t h 17 Hình 2.14 Chui polymer liên hp 17 Hình 3.1 Xác sut các mng b chim nhi T > 00K 19 Hình 3.2 Xác sut các mng b chim nhi T = 00K 20 Hình 3.4 N ht ti khi cân bng nhit 21 Hình 3.4 N electron và l trng ca bán dn loi n 22 Hình 3.5 N electron và l trng ca bán dn loi n 22 Hình 4.1 Quá trình phát sinh và tái hp 23 Hình 4.2: Tái hp qua tâm by 24 Hình 4.3: Tái hp Auger 24 Hình 5.1-n 27 Hình 5.2 28 Hình 5.3 P 29 iv Hình 5.4: -v 29 Hình 6.1 Cu to lp tip xúc d th và s chênh lch ca vùng cm 31 Hình 6.2 Gi ng ca tip xúc d th p-p-n 31 ng giam gi hi ti 32 Hình 6.4 S giam gi ng photon 33 1 Lời nói đầu Ngày nay, s phát trin ca ngành công nghin tng công c, thit b có nhc kì hi sng. B não hot ng ca các thit b n t ngày nay n cht bán dn. Vy cht bán dn là gì, và nh nhng tính cht nào mà bán dc ng dng trong các linh kin, thit b y. Trong khuôn kh ca bài này, chúng tôi s gii thiu v cht bán dn và nhng tính cht ca nó ng dng trong các quang hn hc. 2 Chương 1. Vùng Năng Lượng và Điện Tích Hạt Tải o lun phn nhng phc, cht bán dn là tinh th hoc là cht r dn ca nó nm gia kim loi và chn. dn ca nó có th thay bi khi gim nhi hoc là gim nng pha tp trong vt liu, hay là khi b chiu sáng. 1.1. Vùng Năng Lượng Trong Chất Bán Dẫn Các nguyên t bao gm các vt liu bán dn có s a các nguyên t m nó không th là mt thc th riêng l. Các electron dn ca nó không b ràng buc vào các nguyên t riêng l mà nó thuc v s thu nhn ca các nguyên t t tng th. Gi ng electron, trong th tuc to bi s thu nhn nguyên t trong mng tinh th, kt qu là có s phân ct mng nguyên t và hình thành ng. Mi vùng cha mc các mng ri rc do c. Trong hình 16.1-1, vùng hóa tr và vùng dn b chia ra b ng vùng cm E g . E g có vai trò quan trng trong vi nh tính n ca vt liu. Hình 1.1. Bán dn Silic và GaAs 3 Ngun gc ca vùng cm có th c minh ha bng mô hình Kronig- Penny. Trong lý thuyt th ca mng tinh th n, không gian 1 chic th hin trong hình 16.1-2(a), nó xp x vi các th rào cn vuông tun hoàn 1 chiu trong hình 16.1-2(b). Vic ging th này ng vi s di chuyn phân tán cc tách ra bi vùng cm vi s phân rã phân tán theo hàm s n thy kt qu này là ph bic áp dng cho không gian 3 chiu. Hàm riêng ca s di chuyn sóng là Bloch modes vi s tun hoàn ca mng tinh th. ng mng tinh th 1.2. Điện tử và lỗ trống Hàm sóng cn t trong cht bán dn xp chnh bng nguyên lý loi tr Pauli. Nguyên lý này nói rn t nào có th chim cùng mt trng t và mng thp nht s n u tiên. Các nguyên t bán dn t hóa tr hình thành nên liên kt cng hóa tr. Ti T = 0 o K, vùng hóa tr c ly hoàn n hoàn toàn trng rng. Vt liu không th dn u kin này. Tuy nhiên, khi nhi n t có th c kích thích nhit t vùng hóa tr vào vùng dn hoàn toàn trn t này có th ho chng, nó trôi qua mng tinh th i tác dng áp vào và n t bu ri khi vùng hóa tr li các l trn t vùng này s nhy vào v trí các l tr trng Kt qu cn t kích thích s tn t t do vùng dn và các l trng t do vùng hóa trn t và l trng t do s trôi t i tác 4 dng c tn. Mt vt lic dn ci nhi Hình 1.3 n t trong vùng dn và l trng trong vùng hóa tr ti T>0 o K. 1.3. Sự tương quan giữa năng lượng và động lượng ng p trong vùng th nh (không gian t c th hin qua công thc: 2 2 2 00 / 2 / 2E p m k m vi ln cng ln ca vector sóng /kp m o : khng electron (9.1x10 -31 kg) th biu din m E và k là mn. S di chuyn cn t trong vt liu bán dn b chi phi b trình Schrodinger, v n th c sinh ra bi s n trong mng tinh th tun hoàn ca vt li ng b tách ra bi vùng cu này ging vi s a mô hình Kronig-Penny. S - k cn t, l trng trong vùng hóa tr và vùng dc minh ha trong hình 16.1-ng E là mt hàm tun hoàn, gm có: vector sóng k (k 1 ,k 2 ,k 3 ), 1 2 3 ( / , / , / )a a a 1 , a 2 , a 3 là hng s mng tinh th. Vector sóng k nm trong vùng Brillouin th nht, khong [ / , / ]aa n [...]... tiếp Chất bán dẫn có vùng cấm trực tiếp như GaAs là chất phát photon có hi u quả, trái lại, chất bán dẫn có vùng cấm gián tiếp như Si thì không phát photon hi u quả ở điều ki n thường 7 Chương 2 Vật Liệu Bán Dẫn Hình 2.1 Các nguyên tố bán dẫn quan trọng trong bảng tuần hoàn Ta sẽ lần lượt nói rõ về nguyên tố bán dẫn, chất bán dẫn gồm 2 (binary),3 (ternary),4 (quaternary) nguyên tố và bán dẫn tạp chất... li u bán dẫn 1.5 Bán dẫn vùng cấm trực tiếp và gián tiếp Các chất bán dẫn có năng lượng vùng dẫn cực tiểu v năng lượng vùng hóa trị cực đại trong cùng một giá trị số sóng k thì được gọi là v t li u vùng cấm trực tiếp Còn các chất bán dẫn mà không thỏa điều ki n trên thì gọi là v t li u vùng cấm gián tiếp Ví dụ như trong hình 16.1-5, GaAs là chất bán dẫn có vùng cấm trực tiếp và Si là chất bán dẫn có... tại các nối bị gãy 2.5 Bán dẫn pha tạp Pha tạp vào bán dẫn Si thuần các nguyên tố nhóm III và V nhằm tha đổi nồng độ hạt tải trong bán dẫn thuần Từ đó điều khiển các tính chất đi n và quang của bán dẫn 2.5.1 Bán dẫn pha tạp loại n Pha tạp vào Si các nguyên tố nhóm V của bảng h thống tuần ho n như Nitơ (N), Photpho (P), Asenic (As) Bán kính các nguyên tử nguyên tố nhóm V gần bằng bán kính nguyên tử Si... hạt tải trong cân bằng nhiệt Trong bán dẫn, dưới tác dụng của nhi t kích thích l m tăng độ dẫn của v t li u bán dẫn, sau đó bán dẫn sẽ tiến dần đến trạng thái cân bằng nhi t Ở nhi t độ T, nồng độ đi n tử và lỗ trống trong bán dẫn bất kỳ ∞ Ec De E FF dE m∗ k β T e 2 2πħ2 ∞ Ec Dh E 1 − FF dE 3 2 EF − Ec kβT ex m∗ k β T h 2 2πħ2 3 2 ex Ev − EF kβT (3.4) (3.5) Trong bán dẫn thuần, ở một nhi t độ T bất kỳ,... ⁄1 (3) 𝛕r = 27 Chương 5 Tiếp xúc p-n 5.1 Cấu tạo Tiếp xúc p-n l cho 2 lớp bán dẫn loại P v bán dẫn loại N ghép lại với nhau , chúng hoạt động như một diode Giao di n tách bi t các vùng n v p được gọi l tiếp xúc kim loại Hình 5.1 tiếp xúc p-n ì ở bán dẫn loại P m t độ lỗ trống lớn hơn rất nhiều so với bán dẫn loại N , còn bán dẫn loại N có m t độ đi n tử lớn hơn rất nhiều so với loại P n n xả ra hi... tạp, ta có : (2.1) Với n : nồng độ đi n tử trong vùng dẫn P : nồng độ lỗ trống trong vùng hóa trị Bán dẫn có nồng độ đi n tử lớn hơn nhiều so với nồng độ lỗ trống là bán dẫn loại n 2.5.2 Bán dẫn pha tạp loại p Pha tạp vào Si các nguyên tố nhóm III của bảng h thống tuần ho n như Bo (B), Nhôm (Al), Galium (Ga) Bán kính các nguyên tử nhóm III gần bằng với bán kính nguyên tử Si nên có thể thay thế nguyên tử... âm nhỏ) HgTe và CdTe gần như l hợp mạng, vì đường thẳng dọc nối giữa chúng lại, do đó chất bán dẫn 3 thành phần HgxCd1-xTe có thể phát triển m không l m căng trên mẫu CdTe 2.4 Bán dẫn tinh khiết Hai chất bán dẫn được sử dụng nhiều nhất trong kỹ thu t chế tạo linh ki n đi n tử là Silicium và Germanium Xét bán dẫn điển hình là Si Mỗi nguyên tử Si có 4 đi n tử ở lớp ngoài cùng kết hợp với 4 đi n tử của... hạt tải khi cân bằng nhi t Trong bán dẫn thuần n = p = ni Do đó 2 i 𝑛𝑖 ≈ 𝑁 𝑣 𝑁 𝑐 𝑒𝑥𝑝 − (3.6) 𝐸𝑔 2𝐾𝑇 (3.6.1) Đối với bán dẫn tạp chất, nồng độ electron sẽ không cân bằng với nồng độ lỗ trống ≠ 2 i (3.7) Ở trong bán dẫn loại n, các electron dễ dàng chiểm mức năng lượng Donor để nhảy lên vùng dẫn Do đó, hầu như tất cả các electron sẽ bị kích thích nhi t nhảy lên vùng dẫn v để lại trạng thái trống trên... 17 Nếu gọi NA là nồng độ nguyên tử B pha tạp, ta có (2.2) Với p : nồng độ lỗ trống trong vùng hóa trị n : nồng độ đi n tử trong vùng dẫn 2.6 Bán dẫn hữu cơ Bán dẫn có thành phần là các nguyên tố hữu cơ, được hình thành bởi các liên kết hóa học giữa C = C, C – H Bán dẫn hữu cơ có hai cấu trúc chính Phân tử hữu cơ nhỏ, có thành phần liên kết là các vòng benzen Hình 2.13 Mạch phân tử hữu cơ Chuỗi... Nồng độ electron và lỗ trống của bán dẫn loại n Trong bán dẫn loại p, mức năng lượng Acceptor nằm trên, gần mức năng lượng đỉnh vùng hóa trị Do đó mức năng lượng trống Acceptor sẽ dễ dàng bắt đi n tử từ vùng hóa trị và nh n năng lượng kích thích lên vùng dẫn, cho nên mức Fermi sẽ nằm nữa dưới của vùng cấm Nồng độ hạt tải Hình 3.5 Nồng độ electron và lỗ trống của bán dẫn loại n 23 Chương 4 Sự phát sinh . ĐẠI HỌC QUỐC GIA TP.HỒ CHÍ MINH TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN KHOA KHOA HỌC VẬT LIỆU BỘ MÔN VẬT LIỆU NANO & MÀNG MỎNG Nhóm 9 Đề tài: QUANG HỌC BÁN DẪN SEMINAR CHUYÊN NGÀNH. ĐẠI HỌC QUỐC GIA TP.HỒ CHÍ MINH TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN KHOA KHOA HỌC VẬT LIỆU BỘ MÔN VẬT LIỆU VÀ LINH KIỆN MÀNG MỎNG Nhóm 9 Đề tài: QUANG HỌC BÁN DẪN SEMINAR CHUYÊN NGÀNH. Chất Bán Dẫn 2 1.2. Điện tử và lỗ trống 3 1.3. Sự tương quan giữa năng lượng và động lượng 4 1.4. Khối lượng hiệu dụng 5 1.5. Bán dẫn vùng cấm trực tiếp và gián tiếp 6 Chương 2. Vật Liệu Bán