Nghiên cứu tính chất quang của kênh dẫn sóng phẳng trên cơ sở vật liệu

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI PHẠM SƠN TÙNG NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT QUANG CỦA MÀNG DẪN SÓNG PHẲNG TRÊN CƠ SỞ VẬT LIỆU NANOCOMPSITE ZnO-SiO2 PHA TẠP ĐẤT HIẾM Chuyên ngành : KH KT VẬT LIỆU ĐIỆN TỬ LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC KH KT VẬT LIỆU ĐIỆN TỬ NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC TS TRẦN NGỌC KHIÊM Hà Nội – Năm 2013 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI PHẠM SƠN TÙNG NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT QUANG CỦA MÀNG DẪN SÓNG PHẲNG TRÊN CƠ SỞ VẬT LIỆU NANOCOMPSITE ZnO-SiO2 PHA TẠP ĐẤT HIẾM Chuyên ngành : KH KT VẬT LIỆU ĐIỆN TỬ LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC KH KT VẬT LIỆU ĐIỆN TỬ NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC TS TRẦN NGỌC KHIÊM Hà Nội – Năm 2013 LỜI CÁM ƠN Lời em xin chân thành cám ơn thầy hướng dẫn em TS Trần Ngọc Khiêm tạo điều kiện cho em làm việc viện ITIMS Luận văn em thực thiếu hỗ trợ tài bảo kiến thức thầy Em xin gửi lời cảm ơn tới TS Ngô Ngọc Hà không quản thời gian hỗ trợ chúng em việc đo đạc góp ý quý báu anh để chúng em ngày tiến Em muốn gửi lời cảm ơn tới tất thành viên nhóm quang điện tử giúp đỡ tận tình tình khó khăn việc làm mẫu vấn đề khác việc nghiên cứu Em cám ơn anh Trọng, anh Chương, anh Du buổi trà đá nấm tâm sống giúp em thêm tâm để theo đuổi nghiệp nghiên cứu Em không gửi lời cảm ơn tới gia đình, đặc biệt mẹ em mang em đến sống bên cạnh em hỗ trợ ủng hộ hết suốt trình học tập nghiên cứu khoa học em Tác giả Phạm Sơn Tùng i LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan nội dung luận văn nghiên cứu suốt thời gian học thạc sĩ, số liệu kết trung thực chưa công bố công trình sở khác dạng luận văn Người cam đoan Phạm Sơn Tùng ii MỤC LỤC LỜI CÁM ƠN i LỜI CAM ĐOAN ii MỤC LỤC iii DANH SÁCH HÌNH VẼ v DANH SÁCH BẢNG BIỂU vii MỞ ĐẦU .viii CHƯƠNG TỔNG QUAN 1.1 Kênh dẫn sóng phẳng 1.2 Vật liệu ZnO 1.2.1 Giới thiệu 1.2.2 Cấu trúc tinh thể thông số mạng ZnO 1.2.3 Tính chất quang ZnO 1.2.3.1 Cấu trúc vùng 1.2.3.2 Các dịch chuyển quang ZnO 1.3 Các nguyên tố họ lanthanide ion Eu3+ 1.3.1 Các nguyên tố họ lanthanide 1.3.1.1 Cấu hình điện tử nguyên tử lanthanide trạng thái dừng 1.3.1.2 Sự co lanthanide 1.3.1.3 Kí hiệu mức lượng nguyên tố đất 13 1.3.1.4 Nguyên tắc chọn lựa phổ nguyên tử 16 1.3.1.5 Sự phát xạ ion đất 17 1.3.1.6 Các dịch chuyển phát xạ ion đất 18 1.3.1.7 Sự dập tắt huỳnh quang 18 1.3.2 Ion Eu3+ 20 1.3.2.1 Các mức lượng ion Eu3+ 20 1.3.2.2 Hoạt động ion Eu3+ mạng ZnO 22 1.4 Vật liệu SiO2 23 CHƯƠNG THỰC NGHIỆM 27 iii 2.1 Phương pháp chế tạo vật liệu 27 2.1.1 Phương pháp sol-gel 27 2.1.2 Quá trình quay phủ 34 2.2 Phương pháp thực nghiệm chế tạo vật liệu 36 2.2.1 Hóa chất dụng cụ 36 2.2.2 Quy trình chế tạo vật liệu 37 2.2.3 Các mẫu chế tạo 38 2.3 Các phương pháp phân tích cấu trúc vật liệu 39 2.3.1 Phương pháp nhiễu xạ tia X (XRD) 39 2.3.2 Ảnh hiển vi điện tử quét (SEM) 41 2.3.3 Ảnh hiển vi điện tử truyền qua (TEM) 42 2.3.4 Phổ huỳnh quang (PL) 44 CHƯƠNG KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 47 3.1 Kết phân tích ảnh nhiễu xạ tia X 47 3.2 Kết chụp ảnh hiển vi điện tử quét 49 3.3 Kết đo huỳnh quang kích thích huỳnh quang 50 3.3.1 Các mẫu thay đổi tỉ lệ ZnO : SiO2 50 3.3.2 Các mẫu thay đổi tỉ lệ Eu3+ pha tạp 54 3.3.3 Các mẫu thay đổi nhiệt độ ủ 56 KẾT LUẬN 57 TÀI LIỆU THAM KHẢO 58 iv DANH SÁCH HÌNH VẼ Hình 1.1 Cấu tạo cùa kênh dẫn sóng phẳng đơn giản Hình 1.2 Cấu trúc wurtzite ZnO Các nguyên tử O đường tròn lớn màu, nguyên tử Zn đường tròn nhỏ màu đen Hình 1.3 Cấu trúc rocksalt (trái) zincblende (phải) ZnO Các nguyên tử O đường tròn lớn màu, nguyên tử Zn đường tròn nhỏ màu đen Hình 1.4 Cấu trúc vùng lượng wurtzite ZnO Hình 1.5 Giản đồ biểu diễn tách mức lượng vùng hóa trị ZnO Hình 1.6 Các mức lượng tương đối cấu hình electron khác Hình 1.7 Hàm phân bố điện tử cerium 10 Hình 1.8 Hàm phân bố điện tử Pr3+ 10 Hình 1.9 Quan hệ bán kính nguyên tử số hiệu nguyên tử nguyên tố lanthanide 12 Hình 1.10 Quan hệ bán kính ion số hiệu nguyên tử ion lanthanide 12 Hình 1.11 Giản đồ mức lượng nguyên tố họ lanthanide 14 Hình 1.12 Sự phát huỳnh quang nồng độ pha tạp thấp (a) dập tắt huỳnh quang pha tạp với nồng độ cao (b) 19 Hình 1.13 Giản đồ mức lượng ion Eu3+ 21 Hình 1.14 Cơ chế truyền lượng từ ZnO sang Eu3+ 23 Hình 1.15 Cấu trúc tinh thể SiO2 24 Hình 2.1 Các bước quy trình quay phủ 35 Hình 2.2 Quy trình sol-gel chế tạo vật liệu màng nanocomposite pha tạp Eu3+ 37 Hình 2.3 Nguyên lý hoạt động thiết bị đo phổ nhiễu xạ tia X 39 Hình 2.4 Mặt phản xạ Bragg 40 Hình 2.5 Kính hiển vi điện tử quét (SEM) 41 Hình 2.6 Kính hiển vi điện tử truyền qua (TEM) 43 Hình 2.7 Thiết bị đo phổ huỳnh quang 45 v Hình 3.1 Ảnh nhiễu xạ tia X mẫu màng nanocomposite ZnO – SiO2 ph tạp Eu3+ xử lý nhiệt 900oC 47 Hình 3.2 Ảnh nhiễu xạ tia X mẫu 10ZnO – 90SiO2 : 0.75% Eu3+ nhiệt độ ủ khác 48 Hình 3.3 Ảnh vi điện tử truyền qua mẫu M1090 49 Hình 3.4 Ảnh hiển vi điện tử truyền qua mẫu M1585 49 Hình 3.5 Phổ huỳnh quang mẫu thay đổi tỉ lệ ZnO : SiO2 50 Hình 3.6 Phổ kích thích huỳnh quang mẫu M0595 51 Hình 3.7 Phổ huỳnh quang ba chiều mẫu M0595 52 Hình 3.8 Phổ huỳnh quang mẫu M0595 với bước sóng kích thích khác 53 Hình 3.9 Phổ kích thích huỳnh quang mẫu màng nanocomposite ZnO – SiO2 pha tạp Eu3+ với tỉ lệ ZnO : SiO2 thay đổi quan sát 613 nm 54 Hình 3.10 Phổ kích thích huỳnh quang mẫu màng nanocomposite ZnO – SiO2 pha tạp Eu3+ với tỉ lệ % Eu3+ pha tạp khác quan sát 613 nm 55 Hình 3.11 Phổ huỳnh quang mẫu màng nanocomposite ZnO – SiO2 pha tạp Eu3+ với tỉ lệ % Eu3+ pha tạp khác kích thích 268 nm 55 Hình 3.12 Phổ phát xạ huỳnh quang mẫu thay đổi nhiệt độ 56 vi DANH SÁCH BẢNG BIỂU Bảng 1.1 Cấu hình điện tử nguyên tố đất Bảng 1.2 Cấu hình điện tử kí hiệu phổ ion đất hóa trị ba trạng thái dừng 13 Bảng 2.1 Hệ mẫu thay đổi tỉ lệ ZnO : SiO2 38 Bảng 2.2 Hệ mẫu thay đổi tỉ lệ Eu3+ pha tạp quay phủ đế SiO2 quart 38 Bảng 2.3 Hệ mẫu thay đổi nhiệt độ ủ 38 vii MỞ ĐẦU Kênh dẫn sóng phẳng thiết bị ứng dụng việc truyền thông tin tín hiệu quang học Việc nghiên cứu chế tạo kênh dẫn sóng phẳng thu hút quan tâm nhiều nhà khoa học giới Việc tìm loại vật liệu chế tạo để nâng cao hiệu suất truyền phát tín hiệu ưu tiên số nghiên cứu Vật liệu SiO2 sử dụng rộng rãi viễn thông thông tin quang vật liệu lý tưởng tính suốt chúng vùng khả kiến vùng hồng ngoại Ion Eu3+ ion đất có khả phát ánh sáng mầu đỏ thường ứng dụng lĩnh vực khuếch đại quang thiết bị chiếu sáng Ở điều kiện tồn độc lập, phát xạ ion Eu3+ bị hạn chế quy tắc lựa chọn Laporte Để tăng cường khả phát xạ ion Eu3+, người ta thường pha tạp chúng vào mạng bán dẫn Để bù đắp cho tổn hao quang học trình truyền kênh dẫn sóng phẳng Eu3+ phân tán vào mạng SiO2 để tạo khuếch đại quang học Vật liệu ZnO vật liệu bán dẫn có vùng cấm thẳng, độ rộng vùng cấm Eg = 3.37 eV có nhiều ứng dụng lĩnh vực quang điện tử lĩnh vực khác Việc phân tán ZnO vào mạng SiO2 làm tăng khả phân tán Eu3+ mạng SiO2 kết hợp với chế truyền lượng làm tăng khả phát quang ion Eu3+ Mục đich nghiên cứu luận văn:  Nghiên cứu phương pháp tối ưu chế tạo màng nanocomposite ZnO-SiO2 pha tạp Eu3+  Khảo sát cấu trúc tính chất quang vật liệu màng nanocomposite ZnOSiO2 pha tạp Eu3+ viii Tùy thuộc vào chất vật lý khác nguồn kích thích mà người ta thường phân chia thành quang huỳnh- vật liệu huỳnh quang kích thích nguồn sáng có lượng cao laser, đèn tử ngoai hay điện huỳnh quang- vật liệu huỳnh quang với nguồn sáng kích thích điện trường (ứng dụng làm đèn LED) huỳnh quang cathode- vật liệu huỳnh quang chùm điện tử có lượng lớn (trong hình máy tính, ti vi) 46 CHƯƠNG KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 3.1 Kết phân tích ảnh nhiễu xạ tia X Trên hình 3.1 ảnh nhiễu xạ tia X màng nanocomposite ZnO – SiO2 pha tạp 0.5% Eu3+, xử lý nhiệt 900oC với tỉ lệ ZnO : SiO2 thay đổi : 95, 10 : 90, 15 : 85, 20 :80, 25 :75 Từ giản đồ nhiễu xạ ta thấy mẫu với tỉ lệ ZnO : SiO2 = 20 : 80, 15 : 85 10 : 90 thể peak tương ứng với mặt phẳng (101) (102) wurtzite ZnO Tuy nhiên, peak có cường độ nhỏ cho thấy hình thành tinh thể vật liệu nanocomposite ZnO – SiO2 pha tạp Eu3+ chưa rõ ràng Điều việc xử lý nhiệt 900oC chưa đủ để hình thành tinh thể 25ZnO : 75SiO2:0.5%Eu3+ Intensity (a.u) 20ZnO : 80SiO2:0.5%Eu3+ 15ZnO : 85SiO2:0.5%Eu3+ 10ZnO : 90SiO2:0.5%Eu3+ 05ZnO : 95SiO2:0.5%Eu3+ 30 40 50 60 70 2Theta (deg.) Hình 3.1 Ảnh nhiễu xạ tia X mẫu màng nanocomposite ZnO – SiO2 ph tạp Eu3+ xử lý nhiệt 900oC 47 Do đó, hình thành tinh thể mẫu màng nanocomposite ZnO – SiO2 pha tạp Eu3+ tiếp tục khảo sát theo nhiệt độ xử lý Hình 3.2 ảnh nhiễu xạ tia X mẫu 10ZnO – 90SiO2 : 0.5% Eu3+ với nhiệt độ ủ khác 900, 1000 ,1100 1150 độ C (101) Intensity (a.u) 1150oC 1100oC 1000oC 900oC 30 40 50 60 70 2Theta (deg.) Hình 3.2 Ảnh nhiễu xạ tia X mẫu 10ZnO – 90SiO2 : 0.75% Eu3+ nhiệt độ ủ khác Trong số ảnh nhiễu xạ hình 3.2 ta ghi nhận đỉnh peak rõ mẫu xử lý nhiệt độ 1150oC điều cho thấy có hình thành tinh thể mẫu màng nanocomposite xử lí nhiệt 1150oC Nhìn chung, tất mẫu khảo sát phương pháp nhiễu xạ tia X cho thấy hình thành tinh thể vật liệu màng nanocomposite ZnO – SiO2 pha tạp Eu3+ không thực rõ ràng Điều kích thước hạt vật liệu nhỏ, hạt nano ZnO bao bọc tốt mạng SiO2 48 3.2 Kết chụp ảnh hiển vi điện tử quét Hình 3.3, 3.4 ảnh hiển vi điện tử quét (SEM) vật liệu màng nanocomposite ZnO – SiO2 pha tạp Eu3+ với tỉ lệ ZnO : SiO2 10 : 90, 15 : 85 nồng độ Eu3+ pha tạp 0.5% Hình 3.3 Ảnh vi điện tử truyền qua mẫu M1090 Hình 3.4 Ảnh hiển vi điện tử truyền qua mẫu M1585 49 Từ ảnh hiển vi điện tử quét ta nhận thấy kích thước hạt mẫu đồng đều, kích thước vào 10 nm Điều tốt cho việc truyền dẫn tín hiệu quang học 3.3 Kết đo huỳnh quang kích thích huỳnh quang 3.3.1 Các mẫu thay đổi tỉ lệ ZnO : SiO2 Để nghiên cứu ảnh hưởng mạng tới phát quang ion Eu3+ nghiên cứu Phổ huỳnh quang mẫu màng nanocomposite ZnO – SiO2 pha tạp Eu3+ với tỉ lệ ZnO : SiO2 thay đổi đưa hình 3.5 D0 - 7F2 M0595 M1090 M1585 M2080 M2575 Intensity (a.u)    D - 7F D - F0 580  600 620 640 D0 - 7F3 660 Wavelength (nm) Hình 3.5 Phổ huỳnh quang mẫu thay đổi tỉ lệ ZnO : SiO2 50 Phổ huỳnh quang mẫu thay đổi tỉ lệ ZnO : SiO2 cho ta thấy đỉnh phát xạ đặc trưng ion Eu3+ chuyển dịch 4f – 4f từ trạng thái kích thích 5D0 7F0, 7F1, 7F2 7F3 Chuyển mức lưỡng cực từ 5D0 – 7F2 613 nm có cường độ huỳnh quang mạnh nhiều so với chuyển mức lưỡng cực điện 5D0 – F1 592 598 nm cho thấy ion Eu3+ nằm vị trí trật tự, điều hoàn toàn phù hợp với kết ảnh nhiễu xạ tia X tinh thể ZnO Intensity (a.u) chưa hình thành mạng SiO2 7 250 F0 - H4 F0 - L6 F0 - G2, F0 - D4 300 350 400 450 Wavelength (nm) Hình 3.6 Phổ kích thích huỳnh quang mẫu M0595 Để nghiên cứu truyền lượng từ hạt nano ZnO sang ion Eu3+ phổ kích thích huỳnh quang mẫu thay đổi tỉ lệ ZnO : SiO2 nghiên cứu Hình 3.6 phổ kích thích huỳnh quang mẫu M0595 quan sát 51 bước sóng 613 nm Các đỉnh ứng với bước sóng 318, 360, 378 392 chuyển dịch 7F0 – 5H4, 7F0 – 5D4, 7F0 – 5G2,4 7F0 – 5L6 ion Eu3+ từ trạng thái dừng lên trạng thái kích thích tương ứng Đỉnh rộng mạng 268 nm tương ứng với chuyển dịch vùng – vùng hạt nano ZnO Phổ kích thích huỳnh quang mẫu M0595 cho ta thấy huỳnh quang kích thích thông qua chuyển dịch vùng – vùng ZnO (kích thích gián tiếp) mạnh nhiều so với huỳnh quang kích thích thông qua mức lượng ion Eu3+ (kích thích trực tiếp) Ta nhìn thấy rõ vấn đề qua phổ huỳnh quang ba chiều phổ huỳnh quang mẫu M0595 bước sóng khác hình 3.7 3.8 18000 16000 14000 12000 10000 8000 6000 4000 2000 4480 660 640 408 620 368 600 328 580 560 288 540 Hình 3.7 Phổ huỳnh quang ba chiều mẫu M0595 52 C­êng ®é (®vt®) 268 nm 318 nm 360 nm 378 nm 392 nm 580 600 620 640 660 B­íc sãng (nm) Hình 3.8 Phổ huỳnh quang mẫu M0595 với bước sóng kích thích khác Phổ kích thích huỳnh quang mẫu với thay đổi tỉ lệ ZnO : SiO2 hình 3.9 cho thấy tất đỉnh 268, 318, 360, 378 392 Các đỉnh ứng với chuyển mức vùng – vùng (tại 268 nm) hạt nano ZnO mẫu khác không bị dịch đáng kể, điều kích thước hạt không thay đổi đáng kể Chuyển mức vùng – vùng hạt nano ZnO bước sóng 268 nm tương ứng với 4.6 eV cho thấy kích thước hạt mẫu màng nanocomposite nhỏ Hiêu suất truyền lượng mẫu có tỉ lệ ZnO : SiO2 15 : 85 lớn số mẫu thay đổi tỉ lệ ZnO : SiO2 53 Intensity (a.u) M0595 M1090 M1585 M2080 M2575 250 300 350 400 Wavelength(nm) Hình 3.9 Phổ kích thích huỳnh quang mẫu màng nanocomposite ZnO – SiO2 pha tạp Eu3+ với tỉ lệ ZnO : SiO2 thay đổi quan sát 613 nm 3.3.2 Các mẫu thay đổi tỉ lệ Eu3+ pha tạp Để nghiên cứu ảnh hưởng dập tắt huỳnh quang theo nồng độ Eu3+ pha tạp mẫu màng nanocomposite ZnO – SiO2 với nồng độ Eu3+ pha tạp khác chế tạo Hình 3.10 phổ kích thích huỳnh quang mẫu thay đổi tỉ lệ Eu3+ pha tạp quan sát 613nm, ta thấy đỉnh hấp thụ tương tự với mẫu thay đổi tỉ lệ ZnO : SiO2 điều cho thấy cấu trúc mẫu có tính ổn định cao ta thay đổi tỉ lệ thành phần mẫu Hiệu suất truyền lượng mẫu với tỉ lệ Eu3+ pha tạp 1.5% mạnh Phổ phát xạ huỳnh quang mẫu thay đổi tỉ lệ Eu3+ pha tạp (hình 3.11) ghi nhận đỉnh đặc trưng ion Eu3+, với tỉ lệ Eu3+ pha tạp 1.5% cường độ huỳnh quang mạnh 54 M0.5 M0.75 M1 M1.25 M1.5 50000 Intensity (a.u) 40000 30000 20000 10000 260 280 300 320 340 360 380 400 420 Wavelength (nm) Hình 3.10 Phổ kích thích huỳnh quang mẫu màng nanocomposite ZnO – SiO2 pha tạp Eu3+ với tỉ lệ % Eu3+ pha tạp khác quan sát 613 nm Intensity (a.u) M0.5 M0.75 M1 M1.25 M1.5 560 580 600 620 640 660 Wavelength (nm) Hình 3.11 Phổ huỳnh quang mẫu màng nanocomposite ZnO – SiO2 pha tạp Eu3+ với tỉ lệ % Eu3+ pha tạp khác kích thích 268 nm 55 3.3.3 Các mẫu thay đổi nhiệt độ ủ Phổ phát xạ huỳnh quang mẫu khảo sát theo nhiệt độ (hình 3.12) Từ phổ phát xạ ta thấy nhiệt độ tăng huỳnh quang mẫu bị suy giảm Điều giải thích sau: Khi tăng nhiệt độ khoảng cách ion Eu3+ giảm dần, huỳnh quang ion Eu3+ tốt ion cách khoảng cách định đó, khoảng cách chúng gần dẫn tới dập tắt huỳnh quang photon ion Eu3+ truyền vòng quanh cho truyền đến tâm không phát quang (bởi tâm phát cho tái hợp phát xạ) Intensity (a.u) 900 1000 1100 1150 540 560 580 600 620 640 660 Wavelenth (nm) Hình 3.12 Phổ phát xạ huỳnh quang mẫu thay đổi nhiệt độ 56 KẾT LUẬN Tôi thu kết sau:  Đã chế tạo thành công vật liệu màng nano composite ZnO-SiO2 phương pháp sol-gel trình quay phủ  Cấu trúc tinh thể vật liệu chưa thật rõ ràng, từ ảnh SEM ta thấy màng chế tạo có kích thước (dưới 10nm)  Cường độ huỳnh quang vật liệu nano mạnh mẫu có tỉ lệ ZnO:SiO2 = 15:85, %Eu3+ = 1.5% Khi nhiệt độ (bắt đầu từ 900oC) tăng cường độ huỳnh quang bị suy giảm Do thời gian thực luận văn có hạn nên chưa giải thích đầy đủ tính chất quang vật liệu Trong hướng nghiên cứu tiếp theo, thực thêm phép đo cấu trúc tính chất vật liệu để làm sáng tỏ vấn đề 57 TÀI LIỆU THAM KHẢO A B M A Ashrafi, A U., A Avramescu, H Kumano, I Suemune, Y W Ok, T Y Seong (2000), "Growth and characterization of hypothetical zincblende ZnO films on GaAs(001) substrates with ZnS buffer layers", Applied Physics Letter, 76(5), p 550 Bloom, S.I Ortenburger (1973), "Pseudopotential Band Structure of ZnO", physica status solidi (b), 58(2), p 561-566 Brinker C.Jeffrey, G W S (1990), Solgel science the physics and chemitry of solgel Processing, Academic Press, San Diego – New York – Boston – London – Sydney - Tokyo Bunn, C W (1935), Proceeding of the Physical Society, 47 p 835 C., H (1997), Rare Earth Coordination Chemistry, Science Press, Beijing Carl H Bates, W B W., and Rustum Roy (1962), "New High-Pressure Polymorph of Zinc Oxide", Science, 137(3534), p 993 Chelikowsky, J R (1977), "An oxygen pseudopotential: Application to the electronic structure of ZnO", Solid State Communications, 22(6), p 351-354 Chennupati Jagadish, S P (2006), Zinc Oxide Bulk, Thin Films and Nanostructures, Elsevier Science Chien, N D., D T X ThaoT X Anh Optical properties of silica thin films doped with Eu3+ and Al3+ ions in Vietnamese – German Seminar on Physics and Engineering 2002 Hue 10 Gerward, L.J S Olsen (1995), "The High-Pressure Phase of Zincite", Journal of Synchrotron Radiation, 2(5), p 233-235 58 11 Goldschmidt, Z B (1978), Chapter Atomic properties (free atom), Elsevier 12 Hong, J.-H., C.-J Cong, Z.-G ZhangK.-L Zhang (2007), "A new photoluminescence emission peak of ZnO–SiO2 nanocomposites and its energy transfer to Eu3+ ions", Journal of Physics and Chemistry of Solids, 68(7), p 1359-1363 13 Ivanov, I.J Pollmann (1981), "Electronic structure of ideal and relaxed surfaces of ZnO: A prototype ionic wurtzite semiconductor and its surface properties", Physical Review B, 24(12), p 7275-7296 14 Jaffe, J E.A C Hess (1993), "Hartree-Fock study of phase changes in ZnO at high pressure", Physical Review B, 48(11), p 7903-7909 15 Jaffe, J E., J A Snyder, Z LinA C Hess (2000), "LDA and GGA calculations for high-pressure phase transitions in ZnO and MgO", Physical Review B, 62(3), p 1660-1665 16 Kisi, E H.M M Elcombe (1989), "u parameters for the wurtzite structure of ZnS and ZnO using powder neutron diffraction", Acta Crystallographica Section C, 45(12), p 1867-1870 17 Lide, D R (1992), CRC Handbook of Chemistry and Physics, CRC Press, New York 18 Meyer, B K., H Alves, D M Hofmann, W Kriegseis, D Forster, F Bertram, J Christen, A Hoffmann, M Straßburg, M Dworzak, U HaboeckA V Rodina (2004), "Bound exciton and donor–acceptor pair recombinations in ZnO", physica status solidi (b), 241(2), p 231-260 19 Peng, H., C.-W Lee, H O Everitt, C MunasingheD S Lee (2007), "Spectroscopic and energy transfer studies of Eu3+ centers in GaN", Journal of Applied Physics, 102(7) 59 20 Philips, J C (1973), Bonds and Bands in Semiconductors, Academic, New York 21 Reisfeld Renata, J C K (1977), Lasers and Excited States of Rare Earths, Springer-Verlag, Berlin 22 Rössler, U (1969), "Energy Bands of Hexagonal II-VI Semiconductors", Physical Review, 184(3), p 733-738 23 Sung-Kyu Kim, S.-Y J., Chae-Ryong Cho (2003), "Structural reconstruction of hexagonal to cubic ZnO films on Pt/Ti/SiO2/Si substrate by annealing", Applied Physics Letter, 82(4), p 562 24 T Kogure, Y B (1993), Journal of Electron Microscopy, 47 p 7903 25 Tam, T T H., Optical properties of Eu3+ - doped Al2O3, SiO2 and SiO2 – Al2O3 system prepared by solgel technique 2003, Hanoi University of Science and Technology 26 Tobin J Marks, R D F (1979), Organometallics of the f-Elements, D Reidel Publishing Company, Dordrecht 27 Usuda, M., N Hamada, T KotaniM van Schilfgaarde (2002), "All-electron GW calculation based on the LAPW method: Application to wurtzite ZnO", Physical Review B, 66(12), p 125101 28 Vogel, D., P KrügerJ Pollmann (1995), "Ab initio electronic-structure calculations for II-VI semiconductors using self-interaction-corrected pseudopotentials", Physical Review B, 52(20), p R14316-R14319 29 Xu G., H C., Gao S (1995), The Chemistry of Rare Earth Elements, Rare Earths, Metallurgical Industry Press, Beijing 60 ... TÙNG NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT QUANG CỦA MÀNG DẪN SÓNG PHẲNG TRÊN CƠ SỞ VẬT LIỆU NANOCOMPSITE ZnO-SiO2 PHA TẠP ĐẤT HIẾM Chuyên ngành : KH KT VẬT LIỆU ĐIỆN TỬ LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC KH KT VẬT LIỆU... đại quang học Luận văn tập trung vào tính chất quang vật liệu làm phần lõi kênh dẫn sóng phẳng 1.2 Vật liệu ZnO 1.2.1 Giới thiệu Gần đây, kẽm oxit (ZnO) thu hút nhiều ý cộng đồng khoa học vật liệu. .. ĐẦU Kênh dẫn sóng phẳng thiết bị ứng dụng việc truyền thông tin tín hiệu quang học Việc nghiên cứu chế tạo kênh dẫn sóng phẳng thu hút quan tâm nhiều nhà khoa học giới Việc tìm loại vật liệu