1. Trang chủ
  2. » Luận Văn - Báo Cáo

Nghiên cứu quá trình tán xạ trong cntfet loại đồng trục

112 302 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 112
Dung lượng 3,87 MB

Nội dung

[...]... Ta có cấu trúc CNT dạng chiếc ghế 7 NGHIÊN CỨU QUÁ TRÌNH TÁN XẠ TRONG CNTFET LOẠI ĐỒNG TRỤC Bảng 1.1 Phân loại ống nano cacbon Và công thức về bán kính của CNT được tính như sau: → Rt = c 2π = a cc 3( n 2 + m 2 + n m ) / 2π (1.16) Hình 1.4 – Cấu trúc ống CNT hình zic zắc ( 16, 0) và bán kính tính được Rt ≈ 0.63 nm 8 NGHIÊN CỨU QUÁ TRÌNH TÁN XẠ TRONG CNTFET LOẠI ĐỒNG TRỤC Hình 1.5 Cấu trúc của CNT với... gồm một dây từ 100 đến 500 ống SWNT song song được bó gần nhau như một mạng tam giác hai chiều như trình bày trong hình 16 NGHIÊN CỨU QUÁ TRÌNH TÁN XẠ TRONG CNTFET LOẠI ĐỒNG TRỤC 1.15d Ống nano cacbon đơn tường được cung cấp bằng tổng hợp xung La – de trong lượng lớn, đã được thực hiện nhiều nghiên cứu trong vật vật lí và hóa học Thời gian đầu nó vẫn là phương pháp chế tạo được ưa thích, được một số... 107 NGHIÊN CỨU QUÁ TRÌNH TÁN XẠ TRONG CNTFET LOẠI ĐỒNG TRỤC set(h,'linewidth',[2.0]) set(gca,'Fontsize',[18]) title('Id-Vds CNTFET' ,'Fontname','Vni-helve','Fontsize',13); xlabel('th Vg(V) > ','Fontname', ‘VNI-Times'Vni-helve','Fontsize',13) ylabel('dòng I(A) > ','Fontname', 'Vni-helve','Fontsize',13) grid on %%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%% 108 NGHIÊN CỨU QUÁ... đường kính khác nhau, lồng vào nhau Nó cũng được ứng dụng để chế tạo trong nhiều linh kiện kích thước nano Như linh kiện điện tử pin mặt trời, LED Hình 1.11 – Mô hình hai ống CNT lồng vào nhau với khoảng cách 3.5 A0 13 NGHIÊN CỨU QUÁ TRÌNH TÁN XẠ TRONG CNTFET LOẠI ĐỒNG TRỤC Hình 1.12 – Mô hình nhiều ống CNT lồng vào nhau Trong việc nghiên cứu chế tạo, người ta dùng kính hiển vi điện tử cắt chụp ảnh mô tả... %%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%% 108 NGHIÊN CỨU QUÁ TRÌNH TÁN XẠ TRONG CNTFET LOẠI ĐỒNG TRỤC CHƯƠNG 1 KHÁI QUÁT CHUNG VỀ ỐNG NANO CACBON 1.1 Sơ lược lịch sử của ống nano cacbon Năm 1991 Sumio Lijima, nhà khoa học người nhật, làm việc cho hãng NEC Trong khi nghiên cứu và theo dõi các loại hạt bụi trong bình kín, để chế tạo Fulơren theo cách phóng điện hồ quang trong khí trơ với tia điện cực là cacbon, đã phát... nung nóng tới 9500 C trong từ trường 1.5 T ( tesla ) đối với bề mặt, các cột này được biến thành các cần dài micron, có đường kính 50 mm, nổi lên từ mặt (Hình 1.15h) 17 NGHIÊN CỨU QUÁ TRÌNH TÁN XẠ TRONG CNTFET LOẠI ĐỒNG TRỤC Những kết quả đặc biệt này mở ra khả năng sản xuất các SWNT giống nhau Mặc dù vậy, quá trình được xem là kết tinh lại xâm thực gợi ý rằng ta có thể nuôi SWNT với trình độ cao của điều... MWNT), đường kính cho phép trên 10 nm, chiều dài kích cỡ micromet Cấu trúc hình học của CNT được mô tả bởi vecto Chi [2] Trong đề tài nay chỉ quan tâm đến ống CNT tường đơn, với dạng ống đồng trục áp dụng làm kênh dẫn cho FET 6 NGHIÊN CỨU QUÁ TRÌNH TÁN XẠ TRONG CNTFET LOẠI ĐỒNG TRỤC Hình 1.2 – Sự hình thành ống CNT từ lá graphen Cấu trúc hình học của CNT được mô tả bởi vectơ Chi (hình 1.3) ta có →... thể xác định ở trạng thái kim loại hay bán dẫn phụ thuộc vào giá trị (m - n): Nếu (n-m) mod 3 = 0, khi đó CNT là kim loại (hình 1.7) Khi đó giá trị nhỏ nhất của k 'c ,q = 0 ở q = (n-m)/3 Biểu thức năng lượng tương quan E – k một chiều sẽ được tính: E=± 10 3acc t ' k 2 (1.23) NGHIÊN CỨU QUÁ TRÌNH TÁN XẠ TRONG CNTFET LOẠI ĐỒNG TRỤC Hình 1.7 – Cấu trúc của một CNT dạng kim loại [4] Hàm phân bố mật độ trạng... trạng thái (DOS) 1D trong bán dẫn CNT D(E) = 2.2 = D0 8 3π acc t 1 ∑ δ [ E − E ' (∆k1 )] = L E Θ( E − E g / 2) E 2 − ( E g / 2) 2 với: D0 = và  = 1 khi x > 0 Hàm Θ( x):   = 0 khi x < 0 (1.28) là hằng số hàm DOS cho CNT ở trạng thái kim loại (1.29) 12 NGHIÊN CỨU QUÁ TRÌNH TÁN XẠ TRONG CNTFET LOẠI ĐỒNG TRỤC Hình 1.10 – Mô tả hàm mật độ DOS ứng với dạng ống khác nhau hình a CNT (5,5) kim loại; hình b CNT... dựa trên cơ sở ống nano cacbon sẽ cho mật độ năng lượng là cao nhất Người ta dự đoán và đang nghiên cứu, chỉ cần 500 ml dung dịch làm từ vật liệu sợi nano cacbon là có thể đảm bảo cho pin nhiên liệu cấp điện làm việc cho các laptop trong vòng một tháng 20 NGHIÊN CỨU QUÁ TRÌNH TÁN XẠ TRONG CNTFET LOẠI ĐỒNG TRỤC 1.4.4 Ống Nano dùng cho bộ nhớ Về nguyên tắc, mội khái niệm lưu giữ thông tin đều sử dụng . tối ưu. Mô hình giới thiệu trong NGHIÊN CỨU QUÁ TRÌNH TÁN XẠ TRONG CNTFET LOẠI ĐỒNG TRỤC 2 đề tài chỉ xem xét và thử nghiệm các giá trị mô phỏng thường ứng dụng trong thực tế, nhất là vấn. của CNTFET đồng trục, đề tài sẽ góp phần vào việc chế tạo thành công các CNTFET ở nước ta trong tương lai. NGHIÊN CỨU QUÁ TRÌNH TÁN XẠ TRONG CNTFET. cacbon có bốn liên kết đồng hóa trị tạo ra bốn hướng theo kiểu từ tâm ra NGHIÊN CỨU QUÁ TRÌNH TÁN XẠ TRONG CNTFET LOẠI ĐỒNG TRỤC 4 bốn đỉnh của một tứ diện đều. Liên kết đồng hóa trị là liên

Ngày đăng: 09/10/2014, 21:26

Nguồn tham khảo

Tài liệu tham khảo Loại Chi tiết
[1] Đinh Sỹ Hiền, Điện tử Nano: Linh kiện và công nghệ, NXB Đại học Quốc gia Thàn phố Hồ Chí Minh, 2005 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Điện tử Nano: Linh kiện và công nghệ
Nhà XB: NXB Đại học Quốc gia Thàn phố Hồ Chí Minh
[2] Thi Trần Anh Tuấn, Mô phỏng đặc tính của transistor dùng ống nano cacbon, Luận văn thạc sỹ, Trường Đại học khoa học tự nhiên Thành phố Hồ Chí Minh, 2008 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Mô phỏng đặc tính của transistor dùng ống nano cacbon, Luận văn thạc sỹ
[14] Ali Javey, Jing Guo, Damon B. Farmer, Qian Wang, Erhan Yenilmez, Roy G. Gordon, Mark Lundstrom, and Hongjie Dai, Self-Aligned Ballistic Molecular Transistors and Electrically Parallel Nanotube Arrays, Nano Letters, 2004 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Self-Aligned Ballistic Molecular Transistors and Electrically Parallel Nanotube Arrays
[15] Jing guo, siyuranga o. koswatta, neophytos neophytou, and mark lundstrom, Carbon Nanotube Field-Effect Transistors, International Journal of High Speed Electronics and Systems , World Scientific Publishing Company, 2003 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Carbon Nanotube Field-Effect Transistors
[17] Jing guo, Mark Lundstrom, Role of phonon scattering in carbon nanotube field-effect transistors, physics letters, vol 87, 2005 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Role of phonon scattering in carbon nanotube field-effect transistors
[18] Bin Shan, Kyeongjae Cho, Ab initio study of Schottky barriers at metal - Nanotube contacts, physical review B 70, 233405, 2004 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Ab initio study of Schottky barriers at metal -Nanotube contacts
[19] Siyuranga O. Koswatta, Nonequilibrium Green’s function treatmen of phonon scattering in carbon nanotube transistors, purdue Libraries, 2008 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Nonequilibrium Green’s function treatmen of phonon scattering in carbon nanotube transistors
[20] M. H. Yang, K. B. K. Teo,a_ and W. I. Milne, Carbon nanotube Schottky diode and directionally dependent field-effect transistor using asymmetrical contacts, Physics Letters 87, 253116, 2005 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Carbon nanotube Schottky diode and directionally dependent field-effect transistor using asymmetrical contacts
[21] Vassili Perebeinos, The effects of Substrate surface mode scattering on transport in carbon nano, Nano Letters, 2009 Sách, tạp chí
Tiêu đề: The effects of Substrate surface mode scattering on transport in carbon nano
[23] Mark Lundstrom, Scattering Theory of the MOSFET, Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette Sách, tạp chí
Tiêu đề: Scattering Theory of the MOSFET
[16] T. Brintlinger, B.M. Kim, E. Cobas, and M. S. Fuhrer, Gate-Field-Induced Schottky Barrier Lowering in a Nanotube Field-Effect Transisto, Department of Physics and Center for Superconductivity Research, University of Maryland, College Park, MD 20742-4111, USA Khác

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

Hình 1.5 Cấu trúc của CNT với m, n khác  nhau. - Nghiên cứu quá trình tán xạ trong cntfet loại đồng trục
Hình 1.5 Cấu trúc của CNT với m, n khác nhau (Trang 23)
Hình a CNT (5,5) kim loại; hình b CNT ( 7, 0) CNT bán dẫn. - Nghiên cứu quá trình tán xạ trong cntfet loại đồng trục
Hình a CNT (5,5) kim loại; hình b CNT ( 7, 0) CNT bán dẫn (Trang 27)
Hình 1.10 – Mô tả hàm mật độ DOS ứng với dạng ống khác nhau - Nghiên cứu quá trình tán xạ trong cntfet loại đồng trục
Hình 1.10 – Mô tả hàm mật độ DOS ứng với dạng ống khác nhau (Trang 27)
Hình 1.12 – Mô hình nhiều ống CNT lồng vào nhau - Nghiên cứu quá trình tán xạ trong cntfet loại đồng trục
Hình 1.12 – Mô hình nhiều ống CNT lồng vào nhau (Trang 28)
Hình  1.13  ảnh  TEM  và  sơ  đồ  MWNT  với  đường  kính  trong  d i   và  đường  kính ngoài  d 0  và số vỏ hình trụ N - Nghiên cứu quá trình tán xạ trong cntfet loại đồng trục
nh 1.13 ảnh TEM và sơ đồ MWNT với đường kính trong d i và đường kính ngoài d 0 và số vỏ hình trụ N (Trang 28)
Hình 1.15:  Các phương pháp chế tạo ống CNT [3] - Nghiên cứu quá trình tán xạ trong cntfet loại đồng trục
Hình 1.15 Các phương pháp chế tạo ống CNT [3] (Trang 30)
Hình 2.1 – Sơ đồ FET thông thường kênh n và p - Nghiên cứu quá trình tán xạ trong cntfet loại đồng trục
Hình 2.1 – Sơ đồ FET thông thường kênh n và p (Trang 36)
Hình 2.4  Transistor dùng ống CNT làm kênh dẫn - Nghiên cứu quá trình tán xạ trong cntfet loại đồng trục
Hình 2.4 Transistor dùng ống CNT làm kênh dẫn (Trang 38)
Hình 2.5  Mô hình của CNTFET kênh N - Nghiên cứu quá trình tán xạ trong cntfet loại đồng trục
Hình 2.5 Mô hình của CNTFET kênh N (Trang 38)
Hình 2.14 Các quy trình chế tạo CNTFET trục đứng. - Nghiên cứu quá trình tán xạ trong cntfet loại đồng trục
Hình 2.14 Các quy trình chế tạo CNTFET trục đứng (Trang 46)
Hình 2.17 – Mô hình chế tạo của CNTFET [13] - Nghiên cứu quá trình tán xạ trong cntfet loại đồng trục
Hình 2.17 – Mô hình chế tạo của CNTFET [13] (Trang 48)
Hình 2.21 – Đặc tuyến I –V của CNT Schottky điốt vẽ theo hàm lôgarit. - Nghiên cứu quá trình tán xạ trong cntfet loại đồng trục
Hình 2.21 – Đặc tuyến I –V của CNT Schottky điốt vẽ theo hàm lôgarit (Trang 51)
Hình 2.25 – (a) Thế CNT được tính ở V gs  = 0.3 V; V ds  = 0.5 V và R g  = 1 nm; L t  =  50 nm - Nghiên cứu quá trình tán xạ trong cntfet loại đồng trục
Hình 2.25 – (a) Thế CNT được tính ở V gs = 0.3 V; V ds = 0.5 V và R g = 1 nm; L t = 50 nm (Trang 56)
Hình 2.26: - Mức năng lượng theo khoảng cách tiếp xúc nguồn [6] - Nghiên cứu quá trình tán xạ trong cntfet loại đồng trục
Hình 2.26 - Mức năng lượng theo khoảng cách tiếp xúc nguồn [6] (Trang 57)
Hình 3.1 trình bày sơ đồ khối mô hình NEGF cho transistor dạng kích thước  nano nói chung [12] - Nghiên cứu quá trình tán xạ trong cntfet loại đồng trục
Hình 3.1 trình bày sơ đồ khối mô hình NEGF cho transistor dạng kích thước nano nói chung [12] (Trang 62)
Hình 3.3 : Mô tả mối quan hệ gữa các thông số và phương trình Poisson [4] - Nghiên cứu quá trình tán xạ trong cntfet loại đồng trục
Hình 3.3 Mô tả mối quan hệ gữa các thông số và phương trình Poisson [4] (Trang 64)
Hình 3.6 – Cấu trúc vòng A, B cho CNT [4] - Nghiên cứu quá trình tán xạ trong cntfet loại đồng trục
Hình 3.6 – Cấu trúc vòng A, B cho CNT [4] (Trang 68)
Hình 4.3  Cấu trúc tiếp xúc của ống CNT với hai mức Fermi khác nhau của nguồn - Nghiên cứu quá trình tán xạ trong cntfet loại đồng trục
Hình 4.3 Cấu trúc tiếp xúc của ống CNT với hai mức Fermi khác nhau của nguồn (Trang 84)
Hình 4.3  Sơ đồ thuật giải đặc tuyến I – V của CNTFET trong Matlab - Nghiên cứu quá trình tán xạ trong cntfet loại đồng trục
Hình 4.3 Sơ đồ thuật giải đặc tuyến I – V của CNTFET trong Matlab (Trang 87)
Hình 5.2:  Sự thay đổi mức năng lượng khi V DS  thay đổi - Nghiên cứu quá trình tán xạ trong cntfet loại đồng trục
Hình 5.2 Sự thay đổi mức năng lượng khi V DS thay đổi (Trang 92)
Hình 5.1 – Đặc tuyến dòng I d  – V GS   khi Ballistic với thế V d  = 0.2V, V GS  = 0.5V, ở  nhiệt độ 300 o K - Nghiên cứu quá trình tán xạ trong cntfet loại đồng trục
Hình 5.1 – Đặc tuyến dòng I d – V GS khi Ballistic với thế V d = 0.2V, V GS = 0.5V, ở nhiệt độ 300 o K (Trang 92)
Hình 5.3 -   Đặc tuyến dòng I d  – V GS   khi Ballistic ứng với thế V d  =0.1V, V d - Nghiên cứu quá trình tán xạ trong cntfet loại đồng trục
Hình 5.3 Đặc tuyến dòng I d – V GS khi Ballistic ứng với thế V d =0.1V, V d (Trang 93)
Hình 5.4 – Đặc tuyến dòng I d  – V GS   khi Ballistic với thế V d  = 0.2 V, V GS  = 0.5 V, ở  nhiệt độ 300 o K, được chia làm 3 vùng - Nghiên cứu quá trình tán xạ trong cntfet loại đồng trục
Hình 5.4 – Đặc tuyến dòng I d – V GS khi Ballistic với thế V d = 0.2 V, V GS = 0.5 V, ở nhiệt độ 300 o K, được chia làm 3 vùng (Trang 94)
Hình 5.5 b: Vùng bắt đầu có tán xạ khi V gs  tăng đến  ≈ 0.4 V - Nghiên cứu quá trình tán xạ trong cntfet loại đồng trục
Hình 5.5 b: Vùng bắt đầu có tán xạ khi V gs tăng đến ≈ 0.4 V (Trang 96)
Hình 5.6:   - Phổ năng lượng – Poisson của CNTFET ở V gs  = V ds  =0.5 V - Nghiên cứu quá trình tán xạ trong cntfet loại đồng trục
Hình 5.6 - Phổ năng lượng – Poisson của CNTFET ở V gs = V ds =0.5 V (Trang 97)
Hình  5.7:  Phổ  năng  lượng  –  Position  vùng  hóa  trị  được  mở  rộng  ra  của  CNTFET ở V gs  = V ds  =0.5V - Nghiên cứu quá trình tán xạ trong cntfet loại đồng trục
nh 5.7: Phổ năng lượng – Position vùng hóa trị được mở rộng ra của CNTFET ở V gs = V ds =0.5V (Trang 98)
Hình 5.8 Đặc tuyến dòng I d  – V GS   ở nhiệt độ 300 0 K với đường kính ống CNTFET  thay đổi từ 1  nm đến 3  nm - Nghiên cứu quá trình tán xạ trong cntfet loại đồng trục
Hình 5.8 Đặc tuyến dòng I d – V GS ở nhiệt độ 300 0 K với đường kính ống CNTFET thay đổi từ 1 nm đến 3 nm (Trang 99)
Hình 5.9 Đặc tuyến dòng I d  – V GS   ở nhiệt độ 300 0 K với đường kính ống có tán xạ  CNTFET ở đường kính 1.5 nm - Nghiên cứu quá trình tán xạ trong cntfet loại đồng trục
Hình 5.9 Đặc tuyến dòng I d – V GS ở nhiệt độ 300 0 K với đường kính ống có tán xạ CNTFET ở đường kính 1.5 nm (Trang 100)
Hình 5.15 : Đặc tính I d  – V ds , vật liệu là Au, Pd, Pt, ở thế V g  = V d  = 0.5 V, nhiệt độ  300 0  K khi ở balistic - Nghiên cứu quá trình tán xạ trong cntfet loại đồng trục
Hình 5.15 Đặc tính I d – V ds , vật liệu là Au, Pd, Pt, ở thế V g = V d = 0.5 V, nhiệt độ 300 0 K khi ở balistic (Trang 106)
Hình  5.17 : Đặc  tính  I d   –  V ds   với  vật  liệu  nguồn  máng  là  Au,  cổng  oxit  lần  lượt  là  Al 2 O 3 , TiO 2  và ZrO 2 - Nghiên cứu quá trình tán xạ trong cntfet loại đồng trục
nh 5.17 : Đặc tính I d – V ds với vật liệu nguồn máng là Au, cổng oxit lần lượt là Al 2 O 3 , TiO 2 và ZrO 2 (Trang 108)

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

TRÍCH ĐOẠN

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w