- Hình 1.15 g, h: Sự kết tinh lại xâm thực ảnh TEM của sản phẩm ( các cột
MÔ HÌNH VÀ THUẬT TOÁN MÔ PHỎNG TRONG MATLAB 4.1 Mô hình thuật toán dử dụng mô phỏng CNTFET đồng trục.
b + Là toán tử phonon tạo thành và mất đ i q
MÔ HÌNH VÀ THUẬT TOÁN MÔ PHỎNG TRONG MATLAB 4.1 Mô hình thuật toán dử dụng mô phỏng CNTFET đồng trục.
4.1 Mô hình thuật toán dử dụng mô phỏng CNTFET đồng trục.
Mô hình CNTFET đồng trục hình
Hình 4.1: Mô hình CNTFET đồng trục.
Đặc trưng dòng thế phụ thuộc vào vận chuyển lượng tử và tĩnh điện, do đó ta sử dụng thuật toán vòng lặp tự đồng nhất giữa phương trình NEGF và Poisson như hình 4.2.
Đầu tiên mật độ điện tích được đưa vào phương trình Poisson để tìm thế tĩnh điện trên kênh CNT. Khi thế nguồn - máng Vds = 0 và thế cổng Vgs ≠ 0, ta sẽ tính được mật độ điện tích và thế trong ống nano. Tiếp theo khi Vds > 0, sự phân bố mật độ điện tích sẽ chênh lệch, số điện tích sẽ di chuyển.
Bắt đầu lặp lại từ bước 2 cho đến bước 4 cho toàn bộ mức năng lượng, và sự phân bố Gn(E).
Bước 6:
Lặp lại từ bước 2 tới bước 5 cho toàn bộ năng lượng, và xây dựng một phân bố
p n j j G ,/ mới. Bước 7:
Lặp lại từ bước 1 tới bước 6 cho đến khi phù hợp. Chúng ta sử dụng biểu thức sau cho tới khi phù hợp.
CHƯƠNG 4
MÔ HÌNH VÀ THUẬT TOÁN MÔ PHỎNG TRONG MATLAB 4.1 Mô hình thuật toán dử dụng mô phỏng CNTFET đồng trục. 4.1 Mô hình thuật toán dử dụng mô phỏng CNTFET đồng trục.
Mô hình CNTFET đồng trục hình
Hình 4.1: Mô hình CNTFET đồng trục.
Đặc trưng dòng thế phụ thuộc vào vận chuyển lượng tử và tĩnh điện, do đó ta sử dụng thuật toán vòng lặp tự đồng nhất giữa phương trình NEGF và Poisson như hình 4.2.
Đầu tiên mật độ điện tích được đưa vào phương trình Poisson để tìm thế tĩnh điện trên kênh CNT. Khi thế nguồn - máng Vds = 0 và thế cổng Vgs ≠ 0, ta sẽ tính được mật độ điện tích và thế trong ống nano. Tiếp theo khi Vds > 0, sự phân bố mật độ điện tích sẽ chênh lệch, số điện tích sẽ di chuyển.
Hướng di chuyển của điện tử trong ống CNT lúc này theo kiểu đạn đạo hoặc tán xạ. Mô hình minh họa cho qua trình này như hình 4.3. Thế tĩnh được sử dụng như là dữ liệu cho phương trình vận chuyển NEGF và tiến hành đánh giá cho mật độ điện tích thu được.
Hình 4.2 Sơ đồ thuật toán vòng lặp giữa NEGF và Poisson.
Vòng lặp giữa phương trình Poisson và phương trình NEGF tiếp tục được thực hiện cho đến khi đạt được sự tự đồng nhất [17]. Cuối cùng dòng điện được tính theo công thức (3.38) dựa vào thế cấp trên và xác suất xuyên hầm. (3.38) có thể viết lại như sau:
[ln(1 exp( )) ln(1 exp( )] 4 0 0 E U U E h BT k q I D S d − + − − + = ( 4 . 1 ) NEGF { H, ∑(E), µS, µD } Poisson
Hình 4.3 Cấu trúc tiếp xúc của ống CNT với hai mức Fermi khác nhau của nguồn máng. Khi có sự chênh lệch giữa hai mức Fermi sẽ xuất hiện điện tử chuyển dời
qua CNT [2]