- Hình 1.15 g, h: Sự kết tinh lại xâm thực ảnh TEM của sản phẩm ( các cột
t- Độ dày cổng oxit
2.5. Một số kết quả thực nghiệm để so sánh
Một số kết quả nghiên cứu và so sánh giữa đặc tuyến dòng thế trong CNTFET như sau:
• Mô hình năng lượng với các tiếp xúc nguồn - máng tính theo khoảng cách Nanomet (Hình 2.26):
Hình 2.26: - Mức năng lượng theo khoảng cách tiếp xúc nguồn [6]
• Đặc tuyến CNTFET kênh n, hoạt động theo mô hình ở hình 2.19, với các thiên áp từ 0 V – 1V và dòng thu được ở mức microAmpe với các thiên áp Vgs
khác nhau. FET hoạt động ở nhiệt độ phòng (hình 2.24).
Hình 2.27: Đặc tuyến Id−Vds ứng với 3 thế cổng Vgs = 0.5 V, 0.4 V và 0.3V [6]
• Hình 2.28, xét ở Vgs = 0.5 V, mô hình này được so với kết quả của tác giả Jing Guo, nó được xem là lý tưởng, cùng với ảnh hưởng của rào thế là nhỏ (đường nét đứt). Do đó, ta có dòng Ids cao.
• Với mô hình ống CNT đồng trục ở hình 2.19, xét ảnh hưởng của rào Schottky. So sánh ở cùng điều kiện và thế cổng Vgs ta thấy hoạt động của dòng thấp hơn nhiều.
Hình 2.28: So sánh đặc tuyến Id−Vdstrong mô hình của hai tác giả Jing Guo (đường nét đứt)[15] và Leonardo de Camargo Castro (đường nét liền) [6].
• Theo [7], dòng thế vẽ theo hàm log và ở mức điện thế âm được so sánh giữa lý thuyết và thực nghiệm, đường nét đứt là đường thực nghiệm, đường nét liền là đường lý thuyết (hình 2.29). Ta thấy các kết quả khá tương đồng nhau.
Hình 2.29 – So sánh đặc tuyến giữa lý thuyết và thực nghiệm của CNT đo ở thế âm, phân cực âm cho thế cổng Vg[7]
• Theo [19], so sánh đặc tuyến chuyển dời đạn đạo của điện tử giữa FET và CNTFET.
Hình 2.30: Cùng thế Vg ta thấy kết quả giữa đường chấm đen và đường nét liền có sự sai biệt. Đường chấm đen là của CNTFET kênh n và đường nét đứt là một MOSFET kênh n. Tuy nhiên, thế làm việc cho Vds là thấp và dòng được tính bằng microAmpe. Ta thấy độ dẫn của CNTFET là cao hơn [19].
• Một đặc tuyến dòng thế Id−Vgcho CNTFET kênh n với các thiên áp nhỏ Vd từ 0 V – 0.6 V và dòng thu được ở mức microAmpe ( Hình 2.31) [6]. Tương tự, ta cũng có kết quả Id−Vg cho ba thể Vg khác nhau ( hình 2.32 ) [7].
Hình 2.32 : Đặc tuyến Id−Vgcho CNTFET ở 3 thế Vd khác nhau, dòng đo ở mức microAmpe [7].
Tóm lại, từ các mô hình cũng như các kết quả công bố từ một số bài báo. Tác giả cố gắng xây dựng một mô hình chế tạo, với sự thay đổi các thông số khác nhau.
Tác giả sẽ xét mô hình CNTFET kênh n hoạt động với thế cực cổng Vg là dương, mô hình ống CNT đồng trục, điện tử chuyển dời đạn đạo qua kênh [20].
Thế cổng áp vào sẽ cho biến thiên nhỏ từ 0 V – 1 V, đồng thời xem xét một số tính chất biến đổi của dòng, dòng hoạt động dự đoán ở mức microAmpe. Sử dụng thuật toán hàm Green không cân bằng viết tắt là NEGF (non – equilibrum Green’s function formalism) sẽ được giới thiệu cụ thể trong chương 3.
CHƯƠNG 3