- Hình 1.15 g, h: Sự kết tinh lại xâm thực ảnh TEM của sản phẩm ( các cột
1.4.4Ống Nano dùng cho bộ nhớ
Về nguyên tắc, mội khái niệm lưu giữ thông tin đều sử dụng các linh kiện chuyển mạch. Tuy vậy, người ta tìm khái niệm mới để kết hợp các phân tử linh kiện vĩ mô hữu ích hơn. Các cố gắng này do nhóm Lieber và cộng sự tại đại học Harvard [3]. Bổ trí cơ bản là một mảng thanh ngang các ống nano cacbon với một tập hợp các dây được cách biệt với mảng khác bằng một khoảng cách nhỏ được cung cấp bằng những khối đỡ không dẫn điện
Nếu tiếp xúc đạt được, điện trở của điểm chéo thay đổi bằng bậc độ lớn. Sự thay đổi này có thể được phát hiện bằng một ma trận và được sử dụng để lưu giữ bít. Do đó, ta có bộ nhớ không bị mất đi, thông tin được lưu giữ lại sau khi tắt nguồn nguội. Kích thước của tế bào cực tiểu phụ thuộc vào thế biến dạng đàn hồi của ống nano cacbon bao gồm các mảng huyền phủ của chúng. Người ta đo được kích thước diện tích khoảng 5 nm2, thời gian chuyển mạch nội gần 100 Ghz.
Lưu giữ thông tin trong linh kiện nano cacbon là một vấn đề rất hấp dẫn, vì nút nhớ có thể giảm nhỏ đến kích thước phân tử và thời gian chuyển mạch cực nhanh. Dù vậy, các yếu tố nhớ này phải được nối với các vi điện tử chuẩn để phát hiện thông tin nhớ và chu trình thời gian cũng phải tuân theo logic bên ngoài. Ta cũng chú ý rằng việc bố trí các ống nano cacbon thành các thanh cắt nhau dễ hơn trong các mạng ngẫu nhiên.
Tóm lại, trên đây là các sơ lược về ống nano cacbon, từ đó áp dụng nó vào chế tạo linh kiện điện tử, trong đó có việc chế tạo transistor trường dùng ống nano cacbon (CNTFET).