1. Trang chủ
  2. » Luận Văn - Báo Cáo

Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát cấu hình nhám từ mật độ hấp thụ tích hợp trong giếng lượng tử InN/GaN

66 3 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 66
Dung lượng 6,95 MB

Nội dung

Mục tiêu của đề tài Khảo sát cấu hình nhám từ mật độ hấp thụ tích hợp trong giếng lượng tử InN/GaN là tính toán được cấu hình nhám thông qua việc sử dụng mật độ hấp thụ tích hợp trong giếng lượng tử được chế tạo từ hai loại vật liệu bán dẫn InN và GaN.

Ngày đăng: 31/08/2022, 15:57