Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát cấu hình nhám từ mật độ hấp thụ tích hợp trong giếng lượng tử InN/GaN

Mục tiêu của đề tài Khảo sát cấu hình nhám từ mật độ hấp thụ tích hợp trong giếng lượng tử InN/GaN là tính toán được cấu hình nhám thông qua việc sử dụng mật độ hấp thụ tích hợp trong giếng lượng tử được chế tạo từ hai loại vật liệu bán dẫn InN và GaN.