Mục tiêu của đề tài Khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử InN/GaN là khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử được chế tạo từ hai loại vật liệu bán dẫn InN và GaN. Mời các bạn cùng tham khảo nội dung chi tiết.
THÔNG TIN TÀI LIỆU
Thông tin cơ bản
| Định dạng | |
|---|---|
| Số trang | 93 |
| Dung lượng | 9,79 MB |
Nội dung
Mục tiêu của đề tài Khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử InN/GaN là khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử được chế tạo từ hai loại vật liệu bán dẫn InN và GaN. Mời các bạn cùng tham khảo nội dung chi tiết.
Ngày đăng: 31/08/2022, 15:43
TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG
TÀI LIỆU LIÊN QUAN