Nghiên cứu tính chất quang của cấu trúc nano dị thể một chiều znomos2 chế tạo bằng phương pháp bốc bay nhiệt

TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI LUẬN VĂN THẠC SĨ Nghiên cứu tính chất quang cấu trúc nano dị thể chiều ZnO/MoS2 chế tạo phương pháp bốc bay nhiệt LƯU THỊ HÀ THU Ngành Vật lý kỹ thuật Giảng viên hướng dẫn: TS Nguyễn Duy Hùng GS.TS Phạm Thành Huy Viện: Vật lý kỹ thuật HÀ NỘI, 2021 TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI LUẬN VĂN THẠC SĨ Nghiên cứu tính chất quang cấu trúc nano dị thể chiều ZnO/MoS2 chế tạo phương pháp bốc bay nhiệt LƯU THỊ HÀ THU Ngành Vật lý kỹ thuật Giảng viên hướng dẫn: TS Nguyễn Duy Hùng Chữ ký GVHD GS.TS Phạm Thành Huy Chữ ký GVHD Viện: Vật lý kỹ thuật HÀ NỘI, 2021 CỘNG HÒA XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM Độc lập – Tự – Hạnh phúc BẢN XÁC NHẬN CHỈNH SỬA LUẬN VĂN THẠC SĨ Họ tên tác giả luận văn : Lưu Thị Hà Thu Đề tài luận văn: Nghiên cứu tính chất quang cấu trúc nano dị thể chiều ZnO/MoS2 chế tạo phương pháp bốc bay nhiệt Chuyên ngành: Vật lý kỹ thuật Mã số SV: CB190223 Tác giả, Người hướng dẫn khoa học Hội đồng chấm luận văn xác nhận tác giả sửa chữa, bổ sung luận văn theo biên họp Hội đồng ngày 27/11 với nội dung sau: Giới thiệu 1.1 Bỏ nội dung (trang 02): “(i) điều chỉnh tâm phát quang vật liệu ZnO/MoS2 vùng ánh sáng xanh lục (550 nm), (ii) điều chỉnh tâm phát quang vật liệu vùng ánh sáng đỏ (680 nm) (iii) tổng hợp vật liệu ZnO/MoS2 từ chất bán dẫn MoS2 loại p, ZnO loại n ngược lại.” 1.2 Điều chỉnh mục tiêu đề tài Mục tiêu đề tài cũ - Chế tạo thành công vật liệu dị thể chiều ZnO/MoS2 phương pháp bốc bSuaay nhiệt đồng thời bốc bay nhiệt kết hợp với thủy nhiệt hỗ trợ vi sóng - Khảo sát hình thái cấu trúc tính chất quang vật liệu từ tìm điều kiện công nghệ tối ưu để tổng hợp vật liệu Điều chỉnh thành: - Chế tạo thành công vật liệu dị thể chiều ZnO/MoS2 phương pháp bốc bay nhiệt đồng thời làm dập tắt phát xạ vùng nhìn thấy, tăng cường phát xạ bờ vùng ZnO so với vật liệu ZnO - Khảo sát hình thái cấu trúc tính chất quang vật liệu từ tìm điều kiện cơng nghệ tối ưu để tổng hợp vật liệu Kết thảo luận 2.1 Sửa nội dung phần 3.3 Nội dung cũ: “Nghiên cứu cấu trúc tính chất vật liệu ZnO/MoS2 chế tạo phương pháp bốc bay nhiệt kết hợp thủy nhiệt” Chỉnh sửa thành: “Nghiên cứu cấu trúc tính chất vật liệu ZnO/MoS2 chế tạo phương pháp khác nhau” 2.2 Bỏ phần 3.4 2.3 Sửa lỗi tả ngữ pháp 2.4 Cập nhật lại tài liệu tham khảo theo nội dung văn chỉnh sửa Ngày Giáo viên hướng dẫn tháng năm Tác giả luận văn CHỦ TỊCH HỘI ĐỒNG LỜI CẢM ƠN Đầu tiên, em xin gửi lời cảm ơn sâu sắc đến thầy GS.TS Phạm Thành Huy thầy TS Nguyễn Duy Hùng hướng dẫn, định hướng giúp đỡ em suốt trình thực luận văn Em xin trân trọng cảm ơn TS Nguyễn Tư, TS Đỗ Quang Trung thầy nhóm Quang điện tử tận tình giúp đỡ em Em xin trân trọng cảm ơn thầy cô Viện AIST - Trường đại học Bách Khoa Hà Nội tạo điều kiện thuận lợi cho em trình học tập nghiên cứu Em xin gửi lời cảm ơn chân thành đến gia đình, bạn bè, người thân ln động viên, giúp đỡ em trình thực luận văn Em xin trân trọng cảm ơn Quỹ NAFOSTED hỗ trợ kinh phí thực luận văn thơng qua đề tài mã số: 103.02-2017.365 Hà Nội, ngày tháng Tác giả Lưu Thị Hà Thu năm 2022 TÓM TẮT NỘI DUNG LUẬN VĂN Trong nghiên cứu sử dụng phương pháp khác gồm bốc bay nhiệt đồng thời, bốc bay nhiệt kết hợp thủy nhiệt bốc bay nhiệt kết hợp với hỗ trợ vi sóng nhằm tìm phương pháp tối ưu để chế tạo vật liệu nano dị thể chiều ZnO/MoS2 Vật liệu sau chế tạo khảo sát pha tinh thể phương pháp đo giản đồ XRD, phổ Raman, hình thái bề mặt quan sát ảnh FESEM, tính chất quang khảo sát phổ PL, PLE Kết khảo sát cho thấy vật liệu chế tạo có cấu trúc chiều với đường kính khoảng 100 nm tới 500 nm, chiều dài tới hàng chục µm Trên cấu trúc chiều chế tạo được, thành phần vật liệu tồn đông thời Zn, O, Mo, S, chứng tỏ vật liệu chế tạo bao gồm thành phần theo mong muốn Phổ PL vật liệu có thêm thành phần Mo, S cho thấy phát quang sai hỏng bị dập tắt đáng kể so với ZnO thuần, đồng thời có dịch chuyển bước sóng phát xạ Các kết nghiên cứu vật liệu chế tạo phương pháp bốc bay nhiệt đồng thời cho kết tốt so với phương pháp khác Học viên Lưu Thị Hà Thu MỤC LỤC DANH MỤC HÌNH VẼ iii DANH MỤC BẢNG BIỂU vi DANH MỤC CÁC CHỮ VIẾT TẮT VÀ KÍ HIỆU vii MỞ ĐẦU 1 Lý chọn đề tài Mục tiêu đề tài Nội dung nghiên cứu Phương pháp nghiên cứu Ý nghĩa khoa học thực tiễn đề tài CHƯƠNG TỔNG QUAN 1.1 Cơ sở lý thuyết vật liệu nano 1.1.1 Giới thiệu vật liệu nano 1.1.2 Hiệu ứng bề mặt vật liệu nano 1.1.3 Hiệu ứng giam giữ lượng tử vật liệu nano 1.2 Vật liệu ZnO 1.3 Vật liệu nano MoS2 1.4 Cơ chế hấp thụ phát xạ vật liệu bán dẫn 1.4.1 Cơ chế hấp thụ 1.4.2 Cơ chế tái hợp phát xạ 1.5 Tính chất quang vật liệu nano ZnO, MoS2 ZnO/MoS2 1.5.1 Tính chất quang vật liệu nano ZnO 1.5.2 Tính chất quang vật liệu nano MoS2 13 1.5.3 Tính chất quang số vật liệu kết hợp với ZnO MoS2 14 1.5.4 Tính chất quang vật liệu ZnO/MoS2 16 CHƯƠNG 2: PHƯƠNG PHÁP THỰC NGHIỆM VÀ PHÂN TÍCH CẤU TRÚC CỦA VẬT LIỆU 18 2.1 Giới thiệu 18 2.2 Tổng hợp cấu trúc 1D ZnO/MoS2 ZnO phương pháp bốc bay nhiệt 18 2.2.1 Quy trình chế tạo ZnO/MoS2 phương pháp bốc bay nhiệt đồng thời 19 2.2.2 Quy trình chế tạo ZnO chiều phương pháp bốc bay nhiệt 19 2.3 Tổng hợp cấu trúc nano dị thể ZnO/MoS2 phương pháp bốc bay nhiệt kết hợp với phương pháp thủy nhiệt phương pháp hỗ trợ vi sóng 20 2.3.1 Quy trình chế tạo cấu trúc nano dị thể ZnO/MoS2 phương pháp thủy nhiệt 20 i 2.3.2 Quy trình chế tạo cấu trúc nano dị thể ZnO/MoS2 phương pháp hóa với hỗ trợ vi sóng 21 2.4 Các phương pháp phân tích, khảo sát cấu trúc tính chất vật liệu 22 2.4.1 Kính hiển vi điện tử phát xạ trường FESEM 22 2.4.2 Phổ tán sắc lượng tia X 23 2.4.3 Giản đồ nhiễu xạ tia X 23 2.4.4 Phổ tán xạ Raman 24 2.4.5 Phổ huỳnh quang 24 CHƯƠNG 3: KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 26 3.1 Nghiên cứu hình thái cấu trúc tính chất nano chiều ZnO 26 3.1.1 Hình thái bề mặt thành phần vật liệu nano chiều ZnO 26 3.1.2 Cấu trúc pha tinh thể cấu trúc nano chiều ZnO 28 3.1.3 Tính chất huỳnh quang vật liệu nano chiều ZnO 29 3.2 Nghiên cứu cấu trúc tính chất vật liệu ZnO/MoS2 chế tạo phương pháp bốc bay nhiệt đồng thời 30 3.2.1 Hình thái bề mặt thành phần vật liệu 30 3.2.2 Cấu trúc tinh thể vật liệu nano chiều ZnO/MoS2 32 3.2.3 Tính chất quang vật liệu nano chiều ZnO/MoS2 33 3.3 Ảnh hưởng phương pháp chế tạo lên hình thái, pha tinh thể tính chất vật liệu nano chiều ZnO/MoS2 35 3.3.1 Hình thái bề mặt thành phần vật liệu nano chiều ZnO/MoS2 35 3.3.2 Cấu trúc pha tinh thể vật liệu ZnO/MoS2 36 3.3.3 Tính chất quang vật liệu nano chiều ZnO/MoS2 chế tạo phương pháp khác 38 KẾT LUẬN 40 KIẾN NGHỊ 41 TÀI LIỆU THAM KHẢO 42 ii DANH MỤC HÌNH VẼ Hình 1.1 Ảnh minh họa cấu trúc nano phân loại theo hình dạng Hình 1.2 Cấu trúc hexagonal wurzite ZnO Hình 1.3 a) Cấu trúc lập phương giả kẽm zinblende b) cấu trúc rocksal ZnO Hình 1.4 Cấu trúc tinh thể MoS2 a) Cấu trúc hóa học hai lớp MoS2, b) hai dạng đơn lớp MoS2: trigonal prismatic (2H) and octahedral (1T), c) sơ đồ minh họa hai mode phonon hoạt động Raman điển hình (E12g, A1g) [9] Hình 1.5 Cấu trúc vùng lượng a) MoS2 dạng khối, b) bốn lớp MoS2, c) lớp MoS2 d) đơn lớp MoS2 [23] Hình 1.6 Phổ PL ZnO nguồn gốc phát xạ chúng [25] 10 Hình 1.7 Phổ PL ZnO nhiệt độ thấp phụ thuộc PL vào nhiệt độ từ 15 – 200K [29] 12 Hình 1.8 Phổ PL MoS2 đơn lớp [34] 13 Hình 1.9 Phổ PL MoS2 từ – lớp đế SiO2 phụ thuộc độ rộng vùng cấm vào số lớp [35] 14 Hình 1.10 Phổ PL ZnO (1, 3) ZnO/C (2, 4) đế thủy tinh (1, 2) sợi thủy tinh (fiberglass) kích thích bước sóng λ 337 nm (a) 325 nm (b) nhiệt độ phòng [36] 15 Hình 1.11 Phổ PL vật liệu CdS, MoS2 vật liệu CdS@MoS2 cấu trúc lõi – vỏ [37] 15 Hình 1.12 a) Sơ đồ PL vùng micro cấu trúc nano dị thể đơn ZnO/MoS2 bước sóng 670 nm, b) phổ PL vật liệu nano dị thể ZnO/MoS2 c) sơ đồ PL cấu trúc nano dị thể đơn ZnO/MoS2 [38] 16 Hình 1.13 Ảnh hưởng MoS2 MoO3 phủ nano ZnO phổ PL, với nguồn laser kích thích bước sóng 325 nm [8] 17 Hình 2.1 Sơ đồ lị nung quy trình chế tạo vật liệu nano ZnO/MoS2 phương pháp bốc bay nhiệt 18 Hình 2.2 Hình ảnh lị bốc bay nhiệt điều khiển lưu lượng khí trường đại học Phenikaa 19 Hình 2.3 a) Sơ đồ tổng hợp cấu trúc nano dị thể ZnO/MoS2 phương pháp thủy nhiệt, b) hình vẽ minh họa trình tổng hợp cấu trúc nano dị thể ZnO/MoS2 phương pháp thủy nhiệt 21 iii Hình 2.4 Sơ đồ tổng hợp cấu trúc nano dị thể ZnO/MoS2 phương pháp hóa với hỗ trợ lị vi sóng 22 Hình 2.5 Thiết bị đo FESEM JSM – 7600F (Jeol, Nhật Bản) tích hợp hệ đo EDS X – MAX50 viện AIST, Trường Đại học Bách khoa Hà Nội 23 Hình 2.6 Thiết bị đo giản đồ XRD 23 Hình 2.7 Thiết bị đo phổ Raman Horiba – MacroRam trường đại học Phenikaa (Hà Nội) 24 Hình 2.8 Thiết bị đo phổ PL Nanolog, Horiba Jobin Yvon Viện AIST, Trường Đại học Bách khoa Hà Nội 25 Hình 3.1 a, Ảnh FESEM đai nano ZnO b, ảnh FESEM nano ZnO tổng hợp phương pháp bốc bay nhiệt điều kiện chế tạo 26 Hình 3.2 Phổ EDS mẫu ZnO 27 Hình 3.3 Giản đồ XRD mẫu ZnO 28 Hình 3.4 Phổ tán xạ Raman mẫu ZnO 29 Hình 3.5 a) Phổ PLE b) phổ PL mẫu ZnO với bước sóng kích thích 290 nm 30 Hình 3.6 Ảnh FESEM vật liệu nano dị thể chiều ZnO/MoS2 31 Hình 3.7 Phổ EDS mẫu ZnO/MoS2 chế tạo phương pháp bốc bay nhiệt đồng thời 31 Hình 3.8 Giản đồ XRD mẫu ZnO/MoS2 chế tạo phương pháp bốc bay nhiệt đồng thời 32 Hình 3.9 Phổ Raman vật liệu ZnO ZnO/MoS2 chế tạo phương pháp bốc bay nhiệt 33 Hình 3.10 a) Phổ PL chuẩn hóa vật liệu ZnO ZnO/MoS2 phương pháp bốc bay nhiệt, b) phổ PL ZnO, c) phổ PL ZnO/MoS2 34 Hình 3.11 a) Ảnh FE - SEM vật liệu ZnO/MoS2 chế tọa phương pháp bốc bay nhiệt đồng thời, b) ZnO sau phủ MoS2 phương pháp thủy nhiệt c) ZnO sau phủ MoS2 phương pháp hóa sử dụng lị vi sóng 35 Hình 3.12 a) Phổ EDS mẫu ZnO/MoS2 chế tạo phương pháp bốc bay nhiệt đồng thời, b) ZnO/MoS2 chế tạo phương pháp bốc bay nhiệt kết hợp thủy nhiệt c) bốc bay nhiệt kết hợp phương pháp hóa sử dụng lị vi sóng 36 iv Hình 3.6 Ảnh FESEM vật liệu nano chiều ZnO/MoS2 Để xác định thành phần nguyên tố có vật liệu nano chiều ZnO/MoS2 chế tạo được, phổ EDS khảo sát, kết Hình 3.7 Từ phổ EDS cho thấy mẫu thu nguyên tố: O, Zn, S, Mo Si (thành phần đế ni) khơng phát thêm ngun tố khác Tuy nhiên, thành phần Mo có mẫu thấp so với mong đợi Cụ thể, phần trăm nguyên tố mẫu với tỷ lệ phần trăm sau: O: 85%, Zn: 13%, S: 1,2% Mo 0,8% Hình 3.7 Ảnh SEM phổ EDS cấu trúc chiều ZnO/MoS2 chế tạo phương pháp bốc bay nhiệt đồng thời 31 3.2.2 Cấu trúc tinh thể vật liệu nano chiều ZnO/MoS2 Hình 3.8 Giản đồ XRD mẫu ZnO/MoS2 chế tạo phương pháp bốc bay nhiệt đồng thời Cấu trúc tinh thể vật liệu ZnO/MoS2 chế tạo phương pháp bốc bay nhiệt nghiên cứu giản đồ XRD Hình 3.8 cho thấy vật liệu chế tạo thu gồm pha ZnO, MoS2, ZnS Au Trong đó, góc nhiễu xạ 2θ = 32; 34,7; 36,5; 47,8; 56,9; 63,1° tương ứng với mặt mạng (100), (002), (101), (102), (110) (103) thuộc cấu trúc haxegonal wurzite ZnO, nhóm khơng gian P36mc theo thẻ chuẩn JCPDS 36-1451 [40][44] Ngồi góc 2θ: 33,2; 39,2; 44,6 56,1° tương ứng với mặt nhiễu xạ (101), (103), (006) (106) cấu trúc haxegonal MoS2 theo thẻ chuẩn JCPDS 37-1492 [45] Thêm vào với góc 2θ = 34,2° thuộc cấu trúc haxegonal ZnS theo thẻ chuẩn 36-1450 [46] Từ kết XRD cho thấy vật liệu chế tạo không tồn pha tinh thể vật liệu ZnO MoS2, mà xuất thêm pha tinh thể ZnS Sự xuất ZnS có mẫu ZnO bị sunfua hóa với nguồn S có tiền chất ban đầu có hình thành liên kết ZnO với MoS2 Để khẳng định rõ hình thành pha tinh thể liên kết chúng cấu trúc nano chiều chế tạo được, mẫu ZnO ZnO/MoS2được tiến hành phân tích phổ tán xạ Raman 32 Hình 3.9 Phổ Raman vật liệu ZnO ZnO/MoS2 chế tạo phương pháp bốc bay nhiệt Phổ tán xạ Raman vật liệu ZnO ZnO/MoS2 chế tạo phương pháp bốc bay nhiệt điều kiện chế độ đo trình bày Hình 3.9 Kết phổ Raman thu cho thấy vật liệu cấu trúc nano chiều ZnO có kiểu dao động ZnO đỉnh tán xạ 100 cm-1 (E2 low ) 435 cm-1 (E2 high) [25][29] Ngoài ra, mẫu tồn kiểu dao động đặc trưng đế Si bước sóng 306 cm-1, 468 cm-1 521 cm-1 ứng với kiểu dao động Si-LA, liên kết Si-O-Si Si-TO [41][47] Đối với vật liệu ZnO/MoS2 kiểu dao động đặc trưng ZnO 100 cm-1 Si số sóng 309 cm-1, 468 cm-1 520 cm-1 xuất kiểu dao động đặc trưng 1T 2H MoS2, cụ thể bước sóng 226 cm-1 ứng với mode dao động 1T MoS2 [48] 410 cm-1 tương ứng với mode dao động A1g 2H MoS2 [34] Kết phổ Raman thu cho thấy trùng khớp với kết phổ EDS giản đồ XRD nêu 3.2.3 Tính chất quang vật liệu nano chiều ZnO/MoS2 Phổ PL vật liệu nano chiều ZnO/MoS2 ZnO chế tạo phương pháp bốc bay nhiệt điều kiện chế tạo đo nhiệt độ phịng trình bày Hình 3.10 Qua phân tích cho thấy so với vật liệu ZnO, cường độ phát xạ vùng UV vật liệu nano chiều ZnO/MoS2 tăng cường rõ rệt 33 so với vật liệu nano chiều ZnO Sự tăng cường phát xạ bờ vùng ZnO sai hỏng nội Zn, O điền kẽ khuyết thiếu ZnO giảm Sự suy giảm tâm phát quang chúng liên kết với MoS2 để tạo thành cấu trúc dị thể Để có minh chứng cụ thể cho nhận định cần tiếp tục phân tích phép phân tích XPS Tuy nhiên điều kiện Việt Nam tiến hành phép đo thời gian thực đề tài ngắn nên tiếp tục nghiên cứu bổ sung thêm kết minh chứng cho nhận định Để phân tích sâu tính chất quang vật liệu nano chiều ZnO/MoS2, phổ PL làm khớp với hàm Gauss trình bày hình Hình 3.10b,c Hình 3.10 a) Phổ PL chuẩn hóa vật liệu ZnO ZnO/MoS2 phương pháp bốc bay nhiệt, b) phổ PL ZnO, c) phổ PL ZnO/MoS2 Hình 3.10b trình bày phổ PL vật liệu nano chiều ZnO fit hàm gaus với đỉnh 485 nm, 552 nm 563 nm Nguồn gốc đỉnh phát xạ xanh lam 485 nm tái hợp điện từ vị trí nút khuyết oxi lần (Vo+) điền kẽ kẽm (Zni) lỗ trống đỉnh vùng hóa trị [49] Phát xạ xanh lục 522 nm có nguồn gốc điện tử chuyển điện tử từ vũng dẫn đến mức tâm sâu nút khuyết oxi bao gồm nút khuyết oxi lần (Vo+), nút khuyết oxi lần hai (Vo++) [50] Phát xạ 563 nm điện tử chuyển từ vị trí điền kẽ oxi trở đỉnh vùng hóa trị [25] Phổ PL vật liệu nano chiều ZnO/MoS2 sau làm khớp trình bày Hình 3.10c Kết thu ba đỉnh phát xạ 495 nm, 559 nm 616 nm Nguồn gốc đỉnh phát xạ xanh lục 495 nm có nguyên nhân từ tái hợp điện tử từ mức tâm sâu nút khuyết oxi (Vo) lỗ trống vùng hóa trị [25][28] Phát xạ 559 nm điện tử chuyển từ vị trí điền kẽ oxi (Oi) trở đỉnh vùng hóa trị [25] Phát xạ đỏ bước sóng 616 nm có nguồn gốc từ chuyển dịch điện tử từ vùng dẫn đến mức lượng điền kẽ oxi (Oi) 34 từ mức tâm sâu điền kẽ kẽm (Zni) đến điền kẽ oxi (Oi) [51] Từ đỉnh phổ sau làm khớp cho thấy đỉnh phổ tâm phát quang ZnO dịch chuyển phía bước sóng dài Theo nhận định chúng tơi dịch chuyển kết hợp MoS2 vật liệu nano chiều ZnO 3.3 Ảnh hưởng phương pháp chế tạo lên hình thái, pha tinh thể tính chất vật liệu nano chiều ZnO/MoS2 3.3.1 Hình thái bề mặt thành phần vật liệu nano chiều ZnO/MoS2 Hình 3.11 a) Ảnh FE - SEM vật liệu ZnO/MoS2 chế tọa phương pháp bốc bay nhiệt đồng thời, b) kết hợp thủy nhiệt c) hỗ trợ vi sóng Hình thái mẫu ZnO sau phủ MoS2 phương pháp khác trình bày hình Hình 3.11 Từ ảnh FESEM cho thấy bề mặt vật liệu ZnO/MoS2 chế tạo phương pháp khác thu vật liệu nano chiều có hình thái bề mặt khác Đối với phương pháp bốc bay đồng thời bề mặt sần sùi vật liệu chế tạo phương pháp bốc bay nhiệt kết hợp thủy nhiệt xuất hạt nhỏ đường kính từ vài nm tới khoảng 500 nm mọc xung quanh cấu trúc nano chiều ZnO Trong đó, vật liệu chế tạo phương pháp bốc bay nhiệt có hỗ trợ vi sóng cho thấy vật liệu thu có cấu trúc dạng lõi – vỏ với lõ cấu trúc nano chiều ZnO phía ngồi vật liệu MoS2 Từ hình ảnh vật liệu ZnO/MoS2 chế tạo bẳng ba phương pháp khác thấy vật liệu chế tạo có lớp vỏ sần sùi với mức độ khác Để khẳng định vật liệu thu có thành phần nguyên tố mong muốn, phổ EDS mẫu chế tạo phương pháp khác khảo sát trình bày Hình 3.12 Đối với vật liệu ZnO/MoS2 chế tạo phương pháp bốc bay nhiệt đồng thời thành phần nguyên tố trình bày Quan sát phổ EDS mẫu chế tạo phương pháp lại thu nguyên tố Mo, Zn, S, O Trong phần trăm nguyên tố mẫu chế tạo bốc bay nhiệt kết hợp thủy nhiệt với Zn (45,8%), O (10,4%), S (34,6%) Mo (3,9%) Tương tự, thành phần nguyên tố mẫu chế tạo 35 phương pháp bốc bay nhiệt với hỗ trợ vi sóng Zn (17,3%), O (49,5%), S (20,5%) Mo (12,7%) Hình 3.12 a) Phổ EDS mẫu ZnO/MoS2 chế tạo phương pháp bốc bay nhiệt đồng thời, b) kết hợp thủy nhiệt c) hỗ trợ vi sóng Từ kết phổ EDS thấy vật liệu chế tạo ba phương pháp khác xuất nguyên tố Zn, O, Mo S , điều chứng tỏ vật liệu chế tạo bao gồm thành theo mong muốn 3.3.2 Cấu trúc pha tinh thể vật liệu ZnO/MoS2 Cấu trúc tinh thể vật liệu ZnO chế tạo phương pháp bốc bay nhiệt ZnO/MoS2 chế tạo ba phương khác pháp thủy nhiệt nghiên cứu giản đồ XRD Hình Giản đồ XRD vật liệu ZnO/MoS2 chế tạo phương pháp bốc bay nhiệt đồng thời trình bày Hình a Kết phân tích vật liệu phần Đối với vật liệu chế tạo phương pháp bốc bay nhiệt kết hợp thủy nhiệt Giản đồ nhiễu xạ thu vật liệu xuất đỉnh nhiễu xạ đặc trưng ZnO mặt (102), (110) (103) ứng với góc nhiễu xạ 2θ = 48,4; 57; 63,3° theo thẻ chuẩn JCPDS 36-1451 [40][44] Ngồi cịn có xuất pha MoS2 MoO3 Trong đó, góc nhiễu xạ 2θ: 29,8; 49; 51,8° tương ứng với mặt (300), (008) (330) pha hexagonal MoO3 theo thẻ chuẩn JCPDS 21-0569 [52] Với góc nhiễu xạ 2θ = 33,1; 39,2 58° ứng với mặt (101), (103) (110) hexagonal MoS2 theo thẻ chuẩn JCPDS 37-1492 [45] Giản đồ XRD mẫu không xuất kiểu dao động đặc trưng cho ZnS mẫu chế tạo phương pháp bốc bay nhiệt đồng thời lại xuất đỉnh đặc trưng cho dao động MoO3 Sự xuất MoO3 q trình chế tạo MoS2 bị oxi hóa thành MoO3 Mo thay vị trí Zn hình thành liên kết với ZnO 36 Hình 3.13 Giản đồ XRD vật liệu ZnO/MoS2 chế tạo a) phương pháp bốc bay nhiệt đồng thời, b) kết hợp thủy nhiệt c) hỗ trợ vi sóng Giản đồ XRD vật liệu chế tạo phương pháp bốc bay nhiệt có hỗ hỗ trợ vi sóng trình bày Hình c Tương tự trên, ngồi đỉnh nhiễu xạ đặc trưng cho pha ZnO thu pha ZnS, MoS2 MoO3 Trong đó, góc 2θ = 31,8; 34,6; 36,4; 47,7; 56,9° tương ứng với mặt nhiễu xạ (100), (002), (101), (102) (110) thuộc cấu trúc haxegonal wurzite ZnO, nhóm khơng gian P36mc theo thẻ chuẩn JCPDS 36-1451 [40][44] Với góc 2θ = 27,1; 28,7; 30,7; 52; 55,8 57,8° tương ứng với mặt mạng (100), (002), (101), (103), (200) (112) thuộc cấu trúc hexegonal ZnS theo thẻ chuẩn 361450 [46] Các góc 2θ: 33,1; 39,8 63° tương ứng với (100), (103) (107) cấu trúc haxegonal MoS2 theo thẻ chuẩn JCPDS 37-1492 [45] góc nhiễu xạ 2θ = 61,8° đặc trưng cho mặt (430) cấu trúc hexagonal MoO3 theo thẻ chuẩn JCPDS 21-0569 [52] Sự xuất hợp chất ZnS MoO3 có mẫu tương tự nêu lên Từ kết thấy vật liệu chế tạo phương pháp cho thấy có xuất pha tinh thể ZnO, MoS2 ba phương pháp Đối với phương pháp bốc bay nhiệt đồng thời cịn có xuất pha tinh thể ZnS, phương pháp kết hợp với thủy nhiệt hỗ trợ vi sóng xuất thêm pha tinh thể MoO3 Sự xuất ZnS MoO3 mong đợi có kết hợp ZnO với Mo S cấu trúc nano chiều tạo lai hóa vật liệu ZnO MoS2 Để sáng tỏ khả lai hóa vật liệu chế tạo phương pháp khác nhau, phổ tán xạ Raman vật liệu nano chiều ZnO/MoS2 khảo sát trình bày Hình 3.13 Kết phân tích phổ tán xạ Raman vật liệu chế tạo phương pháp bốc bay nhiệt đồng thời trình bày phần Hình 3.13b trình bày phổ tán xạ Raman vật liệu chế tạo phương pháp bốc bay kết hợp với thủy nhiệt cho thấy tồn đỉnh 100 cm-1 439 cm-1 đặc trưng cho kiểu dao động E2 low E2 high ZnO [25][29], kiểu dao động đặc trưng Si từ đế 309 cm-1 521 cm-1 [41][47] Các đỉnh 222 cm-1 ứng với kiểu dao động 1T MoS2 406 cm-1 tương ứng kiểu dao động 𝐸2𝑔 2H MoS2 37 [34][48][53] Tuy nhiên mẫu kiểu dao động đặc trưng cho ZnS không quan sát cho thấy kết phù hợp với kết phân tích XRD Hình 3.13 Phổ Raman vật liệu ZnO/MoS2 chế tạo a) phương pháp bốc bay nhiệt đồng thời, b) phương pháp bốc bay nhiệt kết hợp thủy nhiệt c) phương pháp bốc bay nhiệt kết hợp sử dụng vi sóng Đối với vật liệu chế tạo phương pháp hóa với hỗ trợ vi sóng trình bày Hình 3.13c Phổ Raman thu cho thấy tồn cá đỉnh đặc trưng cho kiểu dao động E2L E2H ZnO dao động đặc trưng cho Si từ đế Sau phủ MoS2 lên ZnO thu phổ Raman với mode dao động đặc trưng cửa ZnS, ZnO, MoS2 đế Si Trong mode dao động E2L ZnO E2H ZnO quan sát 100 cm-1 432 cm-1, so với ZnO ta thấy mode dao động E2H ZnO dịch chuyển từ 436 sang 432 cm-1 Mode dao động 1T 𝐸2𝑔 2H MoS2 quan sát 221 275 cm-1 [34][48][53] Tại 268 cm-1 ứng với mode dao động ZnS TO [54] Kết phổ Raman thu đồng với phép đo EDS XRD trình bày Từ phép đo phổ Raman vật liệu ZnO/MoS2 chế tạo ba phương pháp khác thấy vật liệu thu có xuất kiểu dao động đặc trưng cho ZnO MoS2 Chính tỏ chế tạo thành cơng vật liệu ZnO/MoS2 ba phương pháp 3.3.3 Tính chất quang vật liệu nano chiều ZnO/MoS2 chế tạo phương pháp khác Phổ PL vật liệu nano chiều ZnO ZnO/MoS2 chế tạo phương pháp khác trình bày Hình 3.14 Quan sát phổ PL mẫu ZnO/MoS2 chế tạo phương pháp khác thấy mẫu ZnO/MoS2 có phát xạ bờ vùng ZnO tăng cường đáng kể so với ZnO, tỷ lệ tăng cường độ PL vùng UV vật liệu nano chiều ZnO/MoS2 so với mẫu nano chiều ZnO ~ lần (bốc bay nhiệt đồng thời), ~100 lần (bốc bay nhiệt kết hợp với thủy nhiệt) ~100 lần (bốc bay nhiệt có hỗ trợ vi sóng), so với vùng nhìn thấy, tỷ lệ tăng ~100 lần Nguyên nhân thay đổi phát quang 38 vùng UV mẫu chế tạo phương pháp bốc bay nhiệt kết hợp với thủy nhiệt có hỗ trợ vi sóng giải thích tương tự trường hợp chế tạo bốc bay nhiệt đồng thời trình bày phần Cũng vùng phát xạ UV đỉnh phát xạ phương pháp bốc bay nhiệt kết hợp với thủy nhiệt có hỗ trợ vi sóng có chút dịch đỉnh phía bước sóng dài mở rộng so với bốc bay nhiệt đồng thời Sự thay đổi đỉnh phát xạ UV thay đổi độ vùng cấm vật liệu ZnO điều thường cho hình thành cấu trúc dị thể vật liêu Để chứng minh nhận định rõ ràng cần có phép phân tích rõ ràng Tuy nhiên phép tích khơng thể thực Việt Nam khuôn khổ thới gia thực luận văn khơng đủ để chúng tơi thực Vì vấn đề tiếp tục nghiên cứu thời gian tới Hình 3.14 a) Phổ PL chuẩn hóa vật liệu nano chiều ZnO trước sau phủ MoS2 phương pháp bốc bay nhiệt dồng thời, b) bốc bay nhiệt kết hợp với thủy nhiệt c) bốc bay nhiệt hỗ trợ vi sóng 39 KẾT LUẬN Trên sở nội dung nghiên cứu trình bày luận văn, so với mục tiêu nghiên cứu ban đầu đề đạt kết sau: Đã xây dựng quy trình chế tạo thành công vật liệu phương pháp bốc bay nhiệt Đã khảo sát điều kiện chế tạo chế tạo vật liệu nano chiều ZnO chiều phương pháp bốc bay nhiệt làm sở cho việc chế tạo đánh giá đặc trưng vật liệu dị thể ZnO/MoS2 chế tạo Xây dựng 03 quy trình chế tạo cấu trúc nano chiều ZnO/MoS2 phương pháp lý hóa như: phương pháp bốc bay nhiệt đồng thời, phương pháp bốc bay nhiệt kết hợp với thủy nhiệt phương pháp bốc bay nhiệt có hỗ trợ vi sóng Vật liệu nano chiều ZnO/MoS2 chế tạo phương pháp kể khảo sát, phân tích hình thái, cấu trúc tinh thể tính chất quang Cụ thể đặc trưng vật liệu chế tạo sau: +) Vật liệu nano chiều ZnO/MoS2 có dạng dây với đường kính nằm khoảng từ 100 - 300 nm, dài cỡ hàng chục µm Vật liệu chế tạo xuất pha tinh thể ZnO, MoS2, bên cạnh cịn xuất thêm pha tinh thể ZnS (bốc bay nhiệt đồng thời) MoO3 (bốc bay nhiệt kết hợp với thủy nhiệt hỗ trợ vi sóng) +) Vật liệu nano chiều ZnO/MoS2 chế tạo phương pháp kể làm tăng cường phát xạ bờ vùng ZnO so với vật liệu nano chiều ZnO làm dịch đỉnh phổ vùng UV Sự dịch đỉnh phổ phát xạ vùng UV nhận định lai hóa vật liệu ZnO MoS2 Với kết nhận trình bày cho thấy vật liệu nano dị thể chiều ZnO/MoS2 chế tạo thành công Vật liệu có tiềm ứng dụng chế tạo linh kiện quang điện tử như: laser UV, đầu thu tín hiệu quang vùng UV … 40 KIẾN NGHỊ Một số kết nghiên cứu phần đánh giá lai hóa vật liệu nano dị thể chiều ZnO/MoS2 chưa sáng tỏ cần tiếp tục nghiên cứu Do chưa đánh giá xác hình thành vật liệu nano dị thể chiều ZnO/MoS2 nên chúng tơi chưa thể kết luận xác phương pháp chế tạo tối ưu để chế tạo vật liệu Vì vấn đề nghiên cứu cần tiếp tục nghiên cứu để đưa kết luận rõ ràng Do kiến nghị tiếp tục thực nghiên cứu sâu phương pháp phân tích đại thời gian tới 41 TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] H Yu, C M Liu, X Y Huang, and M Y Lei, “The microstructure and photoluminescence of ZnO-MoS2 core shell nano-materials,” Mater Res Express, vol 4, pp 015024, 2017 A Splendiani, L Sun, Y Zhang, T Li, J Kim, “Emerging Photoluminescence in Monolayer MoS2,” Nano Lett., vol 10, pp 1271– 1275, 2010 S Tongay, S S Varnmoosfaderani, B R Appleton, J Wu, and A Hebard, “Magnetic properties of MoS2 : Existence of ferromagnetism,” Appl Phys Lett., vol 101, pp 123105, 2012 H Zheng, B Yang, R Han, X Du, and Y Yan, “Tuning magnetism of monolayer MoS2 by doping vacancy and applying strain.” Appl Phys Lett., vol 104, pp 132403, 2014 R Ganatra, Q Zhang, N Centre, and E Engineering, “Few-Layer MoS2: A Promising Layered Semiconductor,” ACS Nano, vol 8, pp 4074–4099, 2014 P Liang, B Tai, H Shu, T Shen, and Q Dong, “Doping properties of MoS2/ZnO (0001) Het- erojunction Ruled by Interfacial micro-struc- ture: from first principles,” Solid State Commun., vol 204, pp 67–71, 2015 G prasad Awasthi, S P Adhikari, S Ko, H joo Kim, C H Park, and C S Kim, “Facile synthesis of ZnO flowers modified graphene like MoS2 sheets for enhanced visible-light-driven photocatalytic activity and antibacterial properties,” J Alloys Compd., vol 682, pp 208 - 215, 2016 M Y Lei, C M Liu, Y G Zhou, Z H Yan, S B Han, W Liu, X Xiang, X T Zu, “Microstructure and photoluminescence of MoS2 decorated ZnO nanorods,” Chinese Journal of Physics, vol 54, pp 51–59, 2016 K Zhang, Y Zhang, T Zhang, W Dong, T Wei, Y Sun, X Chen, G Shen and N Dai, “Vertically coupled ZnO nanorods on MoS2 monolayers with enhanced Raman and photoluminescence emission,” nano Res., vol 8, pp 743–750, 2014 Y H Tan, K Yu, J Z Li, H Fu, and Z Q Zhu, “MoS2@ZnO nanoheterojunctions with enhanced photocatalysis and field emission properties,” Journal of Applied Physics, vol 116, pp 064305, 2014 L Chen, F Xue, X Li, X Huang, L Wang, J Kou, and Z Lin Wang, “e Strain-Gated Field Effect Transistor of a MoS2−ZnO 2D−1D Hybrid Structure,” ACS Nano, vol 10, pp 1546–1551, 2016 H Dong, J Li, M Chen, H Wang, X Jiang, Y Xiao, B Tian, X Zhang, “High-throughput production of ZnO-MoS2-graphene heterostructures for highly efficient photocatalytic hydrogen evolution,” Materials, vol 12, 2019 K Rahimi, M Moradi, R Dehghan, and A Yazdani, “Enhancement of sunlight-induced photocatalytic activity of ZnO nanorods by few-layer MoS2 nanosheets,” Materials Letters, vol 234 pp 134–137, 2019 Y.-J Yuan, F Wang, B Hu, H.-W Lu, Z.-T Yu, and Z.-G Zou, “Significant Enhancement in Photocatalytic Hydrogen Evolution from 42 [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] Water by MoS2 Nanosheet-coated ZnO Heterostructure Photocatalyst.” Dalton Trans, vol 44, pp 10997–11003, 2015 D C Agrawal, “Introduction to nanoscience and nanomaterials,” World Scientific, 2013 F Divsar, "Quantum Dots: Fundamental and Applications," NATO Science Series, 2020 P J P Espitia, N de F F Soares, J S dos R Coimbra, N J de Andrade, R S Cruz, and E A A Medeiros, “Zinc Oxide Nanoparticles: Synthesis, Antimicrobial Activity and Food Packaging Applications,” Food and Bioprocess Technology, vol 5, pp 1447–1464, 2012 X W Sun and Y Yang, "ZnO Nanostructures and Their Applications," Jenny Stanford Publishing, 2016 P A Rodnyi and I V Khodynk, “Optical and Luminescence Properties of Zinc Oxide.” vol 111, pp 814–824, 2011 N Tư, “Ngiên cứu chế tạo tính chất quang vật liệu ZnO, ZnO pha tạp Các bon.” Luận án Tiến Sĩ, đại học Bách Khoa Hà Nội, 2016 X Li and H Zhu, “Two-dimensional MoS2: Properties, preparation, and applications,” J Mater., vol 1, pp 33–44, 2015 G Eda, H Yamaguchi, D Voiry, T Fujita, M Chen, and M Chhowalla, “Photoluminescence from Chemically Exfoliated MoS2,” Nano Lett., vol 11, pp 5111–5116, 2011 A Splendiani, L Sun, Y Zhang, T Li, J Kim, C.Y Chim, G Galli and F Wang, “Emerging photoluminiscence in Monolayer MoS2.” Nano Lett., vol 10, pp 1271–1275, 2010 P Q P Phùng Hồ, “Giáo trình Vật liệu bán dẫn,” NXB Khoa học Kỹ thuật pp 2–4, 2008 A Báez-Rodríguez, L Zamora-Peredoa, M.G Soriano-Rosalesa, J Hernández-Torresa, L García-Gonzáleza, R.M Calderón-Olverab, M García-Hipólitob, J Guzmán-Mendozac and C Falcony, “ZnO nanocolumns synthesized by chemical bath process and spray pyrolysis: Ultrasonic and mechanical dispersion of ZnO seeds and their effect on optical and morphological properties.” J Lumin, vol 218, pp 116830, 2020 J Kaupužs, A Medvids, P Onufrijevs, and H Mimura, “Origin of n-type conductivity in ZnO crystal and formation of Zn and ZnO nanoparticles by laser radiation,” Opt Laser Technol, vol 111 pp 121–128, 2019 K Rahimi and A Yazdani, “Improving photocatalytic activity of ZnO nanorods: A comparison between thermal decomposition of zinc acetate under vacuum and in ambient air,” Mater Sci Semicond, vol 80 pp 38–43, 2018 S Kumar, P D Sahare, and S Kumar, “Optimization of the CVD parameters for ZnO nanorods growth: Its photoluminescence and field emission properties,” Mater Res Bull, vol 105 pp 237–245, 2018 R Zhang, P.-G Yin, W Ning, and L Guo, “Photoluminescence and Raman scattering of ZnO nanorods.” Solid State Sci., vol.11, pp 865–869, 2009 43 [30] D Das and P Mondal, “Photoluminescence phenomena prevailing in c-axis oriented intrinsic ZnO thin films prepared by RF magnetron sputtering,” RSC Advances, vol 4, pp 35735–35743, 2014 [31] A Simimol, N T Manikandanath, A A Anappara, P Chowdhury, and H C Barshilia, “Tuning of deep level emission in highly oriented electrodeposited ZnO nanorods by post growth annealing treatments,” J Appl Phys., vol 116, pp 074309, 2014 [32] S Choi, B C Johnson, S Castelletto, C T That, M R Phillips, and I Aharonovich, “Single photon emission from ZnO nanoparticles.” Appl Phys Lett., vol 104, pp 261101, 2014 [33] S V Kurudirek, K C Pradel, and C J Summers, “Low-temperature hydrothermally grown 100 μm vertically well-aligned ultralong and ultradense ZnO nanorod arrays with improved PL property.” J Alloys Compd., vol 702, pp 700–709, 2017 [34] A A Murthy, Y Li, E Palacios, Q Li, S Hao, J G DiStefano, C Wolverton, K Aydin, X Chen, and V P Dravid, “Optically Active 1D MoS2 Nanobelts.” ACS Appl Mater Interfaces, vol 10, pp 6799−6804, 2018 [35] M Tamulewicz, J Kutrowska-Girzycka, K Gajewski, J Serafińczuk, A Sierakowski, J Jadczak, L Bryja and T P Gotszalk, “Layer number dependence of the work function and optical properties of single and few layers MoS2: effect of substrate,” Nanotechnology, vol 30, pp 245708, 2019 [36] N M Denisov, E B Chubenko, T A Shevtsova, V P Bondarenko, and V E Borisenko, “Photoluminescence of ZnO/C Nanocomposites Formed by the Sol-Gel Method,” J Appl Spectrosc., vol 85, no pp 422–427, 2018 [37] S R Kadam, S W Gosavi, B B Kale, N Suzuki, and C Terashima, “Unique cdS@MoS2 core Shell Heterostructure for Efficient Hydrogen Generation Under natural Sunlight,” Sci Rep, vol 9, pp 12036, 2019 [38] K Zhang et al., “Vertically coupled ZnO nanorods on MoS2 monolayers with enhanced Raman and photoluminescence emission.” Nano Research vol 8, pp 743–750, 2014 [39] P Basnet, D Samanta, T I C Chanu, J Mukherjee, and S Chatterjee, “Assessment of synthesis approaches for tuning the photocatalytic property of ZnO nanoparticles Parita.” SN Appl Sci., vol 1, pp 633, 2019 [40] S Tachikawa, A Noguchi, T Tsuge, M Hara, O Odawara, and H Wada, “Optical Properties of ZnO Nanoparticles Capped with Polymers.” Materials, vol 4, pp 1132–1143, 2011 [41] X Jia, Z Lin, T Zhangb, B Puthen-Veettilb, T Yang, K Nomotob, J Dinga, G Conibeerb and I Perez-Wurfl, “Accurate analysis of the size distribution and crystallinity of boron doped Si nanocrystals via Raman and PL spectra.” RSC Adv., vol pp 34244–34250, 2017 [42] J Fang, H Fan, Y Ma, Z Wang, and Q Chang, “Surface defects control for ZnO nanorods synthesized by quenching and their anti-recombination in 44 [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] photocatalysis.” Appl Surf Sci., Vol 332, pp 47-54, 2015 X Xu, C Xu, Z Shi, C Yang, and B Yu, “Identification of visible emission from ZnO quantum dots: Excitation- dependence and size-dependence.” J Appl Phys., vol 111, pp 083521, 2012 K Tian, Y Zhang, S Zhang, and Y Dong, “Electrogenerated Chemiluminescence of ZnO/MoS2 Nanocomposite and Its Application for Cysteine Detection.” J Electrochem Soc., vol 166, pp H527, 2019 A Saravanan, B.-R Huang, J P Chu, A Prasannan, and H.-C Tsai, “Interface engineering of ultrananocrystalline diamond/MoS2-ZnO heterostructures and its highly enhanced hydrogen gas sensing properties.” Sens Actuators B Chem., vol 292, pp 70–79, 2019 A M Palve and S S Garje, “Preparation of zinc sulfide nanocrystallites from single-molecule precursors.” J Cryst Growth, vol 326 pp 157–162, 2011 R K Biswas, P Khan, S Mukherjee, A K Mukhopadhyay, J Ghosh, and K Muraleedharan, “Study of short range structure of amorphous Silica from PDF using Ag radiation in laboratory XRD system, RAMAN and NEXAFS.” J Non Cryst Solids, Vol 488, pp 1-9, 2018 Z Lei, J Zhan, L Tang, Y Zhang, and Y Wang, “Recent Development of Metallic (1T) Phase of Molybdenum Disulfide for Energy Conversion and Storage,” Adv Energy Mater., vol 8, 2018 I Biswas, P Roy, P K Sinha, M Kanu, and A K Chakraborty, “Activating ZnO nanorods photoanodes in visible light by CdS surface sensitiser Indranil,” Micro Nano Lett., vol 14, pp 941–946, 2019 X Xu, C Xu, J Lin, and J Hu, “Comparison on Photoluminescence and Magnetism between Two Kinds of Undoped ZnO Nanorods,” J Phys Chem C, vol 117, no 46, pp 24549–24553, 2013 X L Wu, G G Siu, and H C Ong, “Photoluminescence and cathodoluminescence studies of stoichiometric and oxygen-deficient ZnO films,” Appl Phys Lett., vol 78, pp 2285, 2001 A Chithambararaj and A Chandra Bose, “Structural And Thermal Study Of Hydrothermally Grown h-MoO3,” AIP Conf Proc., vol 1536, pp 1314, 2013 Y Yao, K Ao, P Lv, and Q Wei, “MoS2 coexisting in 1T and 2H phases synthesized by common hydrothermal method for hydrogen evolution reaction,” Nanomaterials, vol 9, pp 844, 2019 G Meng, X Fang, R Tao, W Dong, Z Deng, and S Zhou, “Fabrication and characterization of ZnO nanowires grown on Ti substrate,” Proc SPIE, vol 7381, pp 73811, 2009 J Trajić, R Kostića, N Romčevića, M Romčevića, M Mitrićb, V Lazovića, P Balažc, D Stojanović, “Raman spectroscopy of ZnS quantum dots,” J Alloys Compd., vol 637 pp 401–406, 2015 B.-J Lee, S.-I J Jo, and G.-H J Jeong, “Synthesis of ZnO Nanomaterials Using Low-Cost Compressed Air as Microwave Plasma Gas at Atmospheric Pressure,” Nanomater Artic., vol 9, pp 942, 2019 45 ... trúc nano chiều ZnO chế tạo phương pháp bốc bay nhiệt trước Do trước chế tạo vật liệu dị thể ZnO/MoS2 để khảo sát tính chất chúng vật liệu cấu trúc nano chiều ZnO chế tạo phương pháp bốc bay nhiệt. .. tinh thể, tính chất quang vật liệu chiều chế tạo Phương pháp nghiên cứu Phương pháp nghiên cứu sử dụng nghiên cứu luận văn thực nghiệm: - Phương pháp chế tạo mẫu: Vật liệu dị thể chiều ZnO/MoS2 chế. .. pháp bốc bay nhiệt 19 2.3 Tổng hợp cấu trúc nano dị thể ZnO/MoS2 phương pháp bốc bay nhiệt kết hợp với phương pháp thủy nhiệt phương pháp hỗ trợ vi sóng 20 2.3.1 Quy trình chế tạo cấu trúc nano