1. Trang chủ
  2. » Luận Văn - Báo Cáo

Tính chất truyền dẫn quang - từ và tính chất nhiệt của các bán dẫn họ dichalcogenides kim loại chuyển tiếp

143 7 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 143
Dung lượng 12,52 MB

Nội dung

Tính chất truyền dẫn quang từ và tính chất nhiệt của các bán dẫn họ dichalcogenides kim loại chuyển tiếp .Tính chất truyền dẫn quang từ và tính chất nhiệt của các bán dẫn họ dichalcogenides kim loại chuyển tiếp .Tính chất truyền dẫn quang từ và tính chất nhiệt của các bán dẫn họ dichalcogenides kim loại chuyển tiếp .Tính chất truyền dẫn quang từ và tính chất nhiệt của các bán dẫn họ dichalcogenides kim loại chuyển tiếp .Tính chất truyền dẫn quang từ và tính chất nhiệt của các bán dẫn họ dichalcogenides kim loại chuyển tiếp .Tính chất truyền dẫn quang từ và tính chất nhiệt của các bán dẫn họ dichalcogenides kim loại chuyển tiếp .Tính chất truyền dẫn quang từ và tính chất nhiệt của các bán dẫn họ dichalcogenides kim loại chuyển tiếp .Tính chất truyền dẫn quang từ và tính chất nhiệt của các bán dẫn họ dichalcogenides kim loại chuyển tiếp .Tính chất truyền dẫn quang từ và tính chất nhiệt của các bán dẫn họ dichalcogenides kim loại chuyển tiếp .

ĐẠI HỌC HUẾ TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM TRẦN NGỌC BÍCH TÍNH CHẤT TRUYỀN DẪN QUANG-TỪ VÀ TÍNH CHẤT NHIỆT CỦA CÁC BÁN DẪN HỌ DICHALCOGENIDES KIM LOẠI CHUYỂN TIẾP LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÝ Huế, 2022 i ĐẠI HỌC HUẾ TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM TRẦN NGỌC BÍCH TÍNH CHẤT TRUYỀN DẪN QUANG-TỪ VÀ TÍNH CHẤT NHIỆT CỦA CÁC BÁN DẪN HỌ DICHALCOGENIDES KIM LOẠI CHUYỂN TIẾP Chuyên ngành: Vật lý lý thuyết vật lý toán Mã số: 44 01 03 LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÝ NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC PGS TS HUỲNH VĨNH PHÚC PGS TS LÊ ĐÌNH Huế, 2022 ii LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan kết trình bày luận án cơng trình nghiên cứu hướng dẫn cán hướng dẫn Các số liệu, kết trình bày luận án hồn tồn trung thực chưa cơng bố cơng trình trước Các liệu tham khảo trích dẫn đầy đủ Tác giả luận án Trần Ngọc Bích iii LỜI CẢM ƠN Tơi xin chân thành cảm ơn Ban giám hiệu, Phòng Đào tạo Sau Đại học, Ban lãnh đạo Khoa Vật lý, Trường Đại học Sư Phạm, Đại học Huế tạo điều kiện học tập nghiên cứu thuận lợi, giúp hồn thành chương trình học tập nghiên cứu sinh hồn thành luận án Tơi xin gửi lời tri ân Thầy, Cô môn Vật lý lý thuyết, Khoa Vật lý Trường Đại học Sư phạm, Đại học Huế giảng dạy, truyền đạt kiến thức kinh nghiệm quý báu học tập nghiên cứu khoa học, giúp tơi hồn thiện thân qua khóa học nghiên cứu sinh Đặc biệt, tơi xin bày tỏ kính trọng lịng biết ơn sâu sắc đến hai Thầy giáo hướng dẫn: PGS TS Lê Đình PGS TS Huỳnh Vĩnh Phúc Hai Thầy tận tình hướng dẫn, định hướng, dìu dắt tơi bước một, động viên, giúp đỡ, truyền đạt kiến thức kinh nghiệm q báu cho tơi q trình nghiên cứu để tơi đạt kết luận án lớn trưởng thành nghiên cứu khoa học công việc sống Tôi xin trân trọng cảm ơn Tập đồn Vingroup Chương trình học bổng đào tạo thạc sĩ, tiến sĩ nước Quỹ Đổi sáng tạo Vingroup, Viện Nghiên cứu Dữ liệu lớn tài trợ học bổng cho hai năm 2020 2021 Tôi xin trân trọng cảm ơn Ban giám hiệu, Ban lãnh đạo Khoa Khoa học bản, Trường Đại học Quảng Bình nơi tơi cơng tác, tạo điều kiện thuận lợi, động viên giúp đỡ tơi hồn thành khóa học nghiên cứu sinh Xin chân thành cảm ơn Thầy, Cô, anh chị nhóm nghiên cứu hai Thầy giáo hướng dẫn, anh chị em đồng nghiệp Trường Đại học Quảng Bình, anh chị em nghiên cứu sinh khóa đồng hành, giúp đỡ, động viên tơi q trình học tập nghiên cứu đề tài luận án Cuối cùng, tơi xin chân thành cảm ơn đại gia đình bên cạnh, yêu thương, động viên, ủng hộ, đồng hành để tơi n tâm học tập, hồn thành khóa học nghiên cứu sinh hồn thành luận án Tôi xin bày tỏ biết ơn trân trọng iv Nghiên cứu sinh Trần Ngọc Bích tài trợ Tập đoàn Vingroup hỗ trợ chương trình học bổng đào tạo thạc sĩ, tiến sĩ nước năm 2020 năm 2021 Quỹ Đổi sáng tạo Vingroup (VINIF), Viện Nghiên cứu Dữ liệu lớn (VinBigdata), mã số VINIF.2020.TS.72 VINIF.2021.TS.063 Tác giả luận án Trần Ngọc Bích v MỤC LỤC LỜI CAM ĐOAN .iii MỞ ĐẦU 1 Lý chọn đề tài Mục tiêu nghiên cứu .3 Nội dung nghiên cứu .4 Phương pháp nghiên cứu .4 Phạm vi nghiên cứu Những đóng góp luận án Ý nghĩa khoa học thực tiễn luận án Bố cục luận án Chương TỔNG QUAN VỀ ĐỐI TƯỢNG VÀ PHƯƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU .7 1.1 Tổng quan bán dẫn họ dichalcogenides kim loại chuyển tiếp .7 1.1.1 Giới thiệu vật liệu bán dẫn họ dichalcogenides kim loại chuyển tiếp 1.1.2 Hàm sóng phổ lượng electron bán dẫn TMDC đơn lớp 1.1.3 Biểu thức Hamiltonian tương tác electron-phonon bán dẫn TMDC đơn lớp 17 1.1.4 Phonon bán dẫn TMDC đơn lớp .18 1.2 Tổng quan tính chất truyền dẫn quang-từ 21 1.2.1 Hệ số hấp thụ quang-từ ảnh hưởng tương tác electronphonon 21 1.2.2 Độ rộng phổ hấp thụ Phương pháp profile 25 1.2.3 Hệ số hấp thụ quang-từ độ thay đổi chiết suất tuyến tính phi tuyến 27 1.3 Tổng quan tính chất nhiệt 36 1.3.1 Tốc độ mát lượng electron 36 1.3.1.1 Tổng quan tình hình nghiên cứu 36 1.3.1.2 Tốc độ mát lượng electron ảnh hưởng tương tác 37 1.3.2 Công suất nhiệt-từ gây hiệu ứng phonon-kéo 39 1.4 Kết luận chương 43 Chương TÍNH CHẤT HẤP THỤ QUANG-TỪ CỦA CÁC BÁN DẪN HỌ DICHALCOGENIDES KIM LOẠI CHUYỂN TIẾP ĐƠN LỚP DƯỚI ẢNH HƯỞNG CỦA TƯƠNG TÁC ELECTRON-PHONON 43 2.1 Biểu thức giải tích hệ số hấp thụ quang-từ ảnh hưởng tương tác electron-phonon quang 43 2.2 Biểu thức giải tích hệ số hấp thụ quang-từ ảnh hưởng tương tác electron-phonon âm 46 2.3 Kết tính số thảo luận .48 2.4 Kết luận chương .55 Chương 56 vi TÍNH CHẤT HẤP THỤ QUANG-TỪ TUYẾN TÍNH VÀ PHI TUYẾN CỦA CÁC BÁN DẪN HỌ DICHALCOGENIDES KIM LOẠI CHUYỂN TIẾP ĐƠN LỚP .56 3.1 Biểu thức giải tích hệ số hấp thụ quang-từ tuyến tính phi tuyến .56 3.2 Biểu thức giải tích độ thay đổi chiết suất tuyến tính phi tuyến 58 3.3 Kết tính số thảo luận .58 3.4 Kết luận chương 66 Chương 68 TÍNH CHẤT NHIỆT CỦA CÁC BÁN DẪN HỌ DICHALCOGENIDES KIM LOẠI CHUYỂN TIẾP ĐƠN LỚP 68 4.1 Tốc độ mát lượng electron ảnh hưởng tương tác electron-phonon 68 4.1.1 Biểu thức giải tích tốc độ mát lượng electron .68 4.1.2 Kết tính số thảo luận 70 4.2 Công suất nhiệt-từ gây hiệu ứng phonon-kéo .80 4.2.1 Biểu thức giải tích cơng suất nhiệt-từ .80 4.2.2 Kết tính số thảo luận 82 4.3 Kết luận chương 89 KẾT LUẬN CHUNG .91 TÀI LIỆU THAM KHẢO 95 PHỤ LỤC vii DANH MỤC CÁC TỪ VIẾT TẮT Viết tắt Tiếng Anh Tiếng Việt 2D Dimensions Hai chiều 2DEG 2-Dimensional Electron Gas Khí điện tử hai chiều AC Acoustic Âm học ADP Acoustic Deformation Potential Thế biến dạng õm hc BG Bloch-Gruăneisen Bloch-Gruăneisen DoS Density of States Mt độ trạng thái DP Deformation Potential Thế biến dạng ELR Energy-Loss Rate Tốc độ mát lượng FWHM Full-Width at Half-Maximum Độ rộng phổ toàn phần nửa cực đại HP HomoPolar Đơn cực LA Longitudinal Acoustic Âm dọc LO Longitudial Optical Quang dọc MOAC Magneto-Optical Absorption Coefficient Hệ số hấp thụ quang-từ OAC Optical Absorption Coefficient Hệ số hấp thụ quang ODP Optical Deformation Potential Thế biến dạng quang học OP Optical Quang học PE Piezo-Electric Áp điện RIC Refractive Index Change Độ thay đổi chiết suất TA Transverse Acoustic Âm ngang TMDC Transition-Metal Dichalcogenides Kim loại chuyển tiếp nhóm dichalcogenides TO Transverse Optical Quang ngang DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ Hình 1.1 Mơ hình MX2 đơn lớp viii 11 Hình 1.2 Sự phụ thuộc vào từ trường mức Landau TMDC đơn lớp, có điện trường e∆z = 37.75 meV/d đặt vào trường Zeeman spin vùng Các hình phía trên: (a), (c), (e), (g) hình phía dưới: (b), (d), (f), (h) tương ứng biểu diễn vùng dẫn vùng hóa trị vật liệu Kí hiệu K (K0) ↑ (↓) biểu thị trạng thái điện tử vùng K (K0) với spin hướng lên (hướng xuống) 20 Hình 1.3 Độ rộng vạch phổ tính từ đồ thị hệ số hấp thụ phụ thuộc vào lượng photon 32 Hình 2.1 Sự phụ thuộc vào lượng photon MOAC TMDC đơn lớp ảnh hưởng tương tác electron-phonon âm quang ứng với giá trị từ trường khác Kết tính T = K, e∆z = 37.75 meV/d, spin hướng lên Zs,Zv 6= Các kí hiệu "ac" "op" tương ứng tán xạ phonon âm quang 60 Hình 2.2 Sự phụ thuộc vào nhiệt độ giá trị đỉnh MOAC TMDC đơn lớp gây tán xạ phonon âm (kí hiệu "ac"), phonon quang (kí hiệu "op") tán xạ tạp chất (kí hiệu "im" với hệ số 104) Kết tính B = 10 T, e∆z = 37.75 meV/d, spin hướng lên Zs,Zv 6= 62 Hình 2.3 Sự phụ thuộc vào từ trường FWHM đỉnh cộng hưởng hình 2.1 63 Hình 2.4 Sự phụ thuộc vào nhiệt độ FWHM gây tán xạ phonon vật liệu TMDC Kết tính trường hợp e∆z = 37.75 meV/d, spin hướng lên, Zs,Zv 6= B = 10 T Hình 3.1 Sự phụ thuộc vào lượng photon MOAC TMDC đơn lớp gây dịch chuyển nội vùng dẫn điều kiện d∆z = B = 10 T ứng với spin hướng lên hướng xuống Các hình (a), (b), (c), (d) MOAC tuyến tính hai trường hợp khơng có xét đến trường Zeeman Các hình ix 65 (e), (f), (g), (h) MOAC tuyến tính, phi tuyến bậc ba tổng xét đến trường Zeeman 72 Hình 3.2 Sự phụ thuộc vào lượng photon MOAC TMDC đơn lớp gây dịch chuyển nội vùng dẫn điều kiện d∆z = 0, Zs,Zv 6= spin hướng lên ứng với giá trị từ trường khác Các hình (a), (b), (c), (d) biểu diễn MOAC tuyến tính Các hình (e), (f), (g), (h) MOAC tuyến tính, phi tuyến bậc ba tổng 74 Hình 3.3 Sự phụ thuộc vào lượng photon MOAC tuyến tính TMDC đơn lớp gây dịch chuyển nội vùng dẫn điều kiện B = 10 T, Zs,Zv 6= spin hướng lên ứng với hai giá trị khác điện trường: d∆z = 0, d∆z = (λv − λc)/4 75 Hình 3.4 Sự phụ thuộc vào lượng photon RIC tuyến tính, phi tuyến tổng TMDC đơn lớp gây dịch chuyển nội vùng dẫn điều kiện B = 10 T, Zs,Zv 6= d∆z = ứng với hai trạng thái spin hướng lên hướng xuống 77 Hình 3.5 Sự phụ thuộc vào lượng photon RIC tuyến tính, phi tuyến tổng TMDC đơn lớp gây dịch chuyển nội vùng dẫn trạng thái spin hướng lên, Zs,Zv 6= d∆z = ứng với giá trị khác từ trường 78 Hình 3.6 Sự phụ thuộc vào lượng photon MOAC tuyến tính, phi tuyến tổng TMDC đơn lớp gây dịch chuyển liên vùng điều kiện d∆z = 0, Zs,Zv 6= spin hướng lên: hình (a), (b), (c), (d) B = 10 T, hình (e), (f), (g), (h) biểu diễn ba dịch chuyển liên vùng ba giá trị khác từ trường 80 Hình 3.7 Sự phụ thuộc vào lượng photon RIC tuyến tính, phi tuyến tổng TMDC đơn lớp gây dịch chuyển liên vùng điều kiện d∆z = 0, Zs,Zv 6= spin hướng lên: hình (a), (b), (c), (d) B = 10 T, hình (e), (f), (g), (h) biểu diễn ba dịch chuyển liên vùng ba giá trị khác từ trường x 82 (PL.26) Thay vào điều kiện chuẩn hóa ta (PL.27) Do (PL.28) Thay vào phương trình (PL.23) ta biểu thức hàm sóng điện tử vùng K0 , (PL.29) (PL.30) Ta đặt m = n+1 sau chuyển m → n để thu biểu thức hàm sóng thống với trường hợp vùng K sau (PL.31) Phụ lục Chứng minh phương trình (1.54) (1.55) Để đơn giản ta tính tích phân I2 trước Ta có Z +∞ I2 = (PL.32) eiqxxφ∗n0(x − x0)φn(x − x0)dx, −∞ φn(x − x0) hàm sóng dao động tử điều hịa có dạng , với Hn(x) đa thức Hermite bậc n P5 (PL.33) (PL.34) Đổi biến số cách đặt ta (PL.35) Thực phép biến đổi (PL.36) ta đặt: Từ ta có (PL.37) Sử dụng cơng thức , (m n), với giả thiết n < n0, ta Đặt (PL.38) , ta thu P6 (PL.39) Tính tốn tương tự, ta thu kết cho tích phân I1 phương trình (1.54) Phụ lục Chứng minh phương trình (1.77) Ta tính hα00|x|αi sau (PL.40) Để đơn giản ta tính J2 trước Sử dụng biểu thức dạng hàm sóng dao động tử điều hịa (PL.33), ta có (PL.41) Đổi biến số cách đặt ta (PL.42) Trong đó, ta sử dụng cơng thức (PL 43) (PL.44) Tính tương tự cho J1, ta thu P7 (PL.45) Thay (PL.45) (PL.42) vào (PL.40), ta (PL.46) Phụ lục Chứng minh phương trình (1.113) Theo phương trình (1.97) với n = (PL.47) Thay vào (1.112) đồng thời sử dụng (1.96) cân hệ số e−iωt, ta (PL.48) Phụ lục Chứng minh phương trình (1.118) (1) (1) Tính số hạng ρα,α(Ω) ρα,α(−Ω) Từ phương trình (1.94) với n = 1, ta có (PL.49) ˆ Sử dụng phương trình (1.95), giao hốn tử [H int,ρˆ(0)(t)]α,α tính sau (PL.50) Vì thế, phương trình (PL.49) viết lại −iΩρ(1)α,α(Ω)e−iΩt + iΩρ(1)α,α(−Ω)eiΩt = −γα,α[ρ(1)α,α(Ω)e−iΩt + ρ(1)α,α(−Ω)eiΩt] Cân hệ số e−iΩt, ta P8 (PL.51) (PL.52) − iΩρ(1)α,α(Ω) = −γα,αρ(1)α,α(Ω) → ρ(1)α,α(Ω) = Hoàn toàn tương tự, cân hệ số eiΩt, ta thu iΩρ(1)α,α(−Ω) = −γα,αρ(1)α,α(−Ω) → ρ(1)α,α(−Ω) = Các số hạng (PL.53) Từ phương trình (1.94) với n = 1, ta có (PL.54) ˆ Sử dụng phương trình (1.95), giao hốn tử [H int,ρˆ(0)(t)]α0,α0 tính sau (PL.55) Vì thế, phương trình (PL.54) viết lại (PL.56) Cân hệ số e−iΩt, ta (PL.57) Hoàn toàn tương tự, cân hệ số eiΩt, ta thu (PL.58) Thay phương trình (PL.52), (PL.53), (PL.57), (PL.58), (1.104) (1.106) vào phương trình (1.117), ta thu Bỏ qua số hạng không cộng hưởng (PL.59) , viết lại phương trình (PL.59) sau P9 (PL.60) Phụ lục Chứng minh phương trình (1.119) Từ phương trình (1.94) với n = 2, ta có (PL.61) ˆ Sử dụng phương trình (1.95), giao hốn tử [H int,ρˆ(1)(t)]α,α tính sau Thế phương trình (PL.62) vào (PL.61), đồng thời thay số hạng thành phần không đổi tương ứng chúng, lưu ý đến (PL.62) và lấy thành phần dc E(t), thu phương trình (PL.63) Chúng ta cần tìm biểu thức Từ phương trình (1.94), với n = 1, có ˆ Sử dụng phương trình (1.95), giao hốn tử [H int,ρˆ(0)(t)]α0,α tính tương tự (1.102) kết P10 (PL.64) (PL.65) Thế phương trình (1.89) (PL.65) vào (PL.64) thu (PL.66) Cân hệ số e−iΩt, ta có (PL.67) Vậy (PL.68) Cân hệ số eiΩt, ta (PL.69) Vậy, biểu thức cho (PL.70) Từ phương trình (PL.68) (1.106) nhận thấy số hạng số hạng khơng cộng hưởng, bỏ qua số hạng tính tốn, phương trình (PL.63) viết gọn lại thành (PL.71) Thay (1.104) (PL.70) vào (PL.71), ta có Phụ lục 10 Chứng minh phương trình (1.120) P11 (PL.72) Từ phương trình (1.94) với n = 2, ta có (PL.73) ˆ Sử dụng phương trình (1.95), giao hốn tử [H int,ρˆ(1)(t)]α0,α0 tính sau Thế phương trình (PL.74) vào (PL.73), đồng thời thay số hạng thành phần không đổi tương ứng chúng, lưu ý đến thành phần dc E(t), thu phương trình (PL.74) lấy (PL.75) Bỏ qua số hạng không cộng hưởng, ta thu (PL.76) (PL.77) Thay (1.104) (PL.70) vào (PL.76), ta có Phụ lục 11 Chứng minh công thức (2.3) (2.4) Tính I3: Thực đổi biến tích phân I3 sang biến u , ta (PL.78) Sử dụng biểu thức thừa số dạng trường hợp dịch chuyển nội vùng (τ = τ0) phương trình (1.58), ta có P12 (PL.79) Sử dụng cơng thức tích phân phụ lục (A.3) tài liệu tham khảo [154] , (PL.80) ta có (PL.81) , (PL.82) sử dụng cơng thức phụ lục (A.2) tài liệu tham khảo [117] (PL.83) Từ ta có (PL.84) Tiếp theo ta tính I4 (PL.85) P13 Sử dụng công thức phụ lục (A.3) (A.4) tài liệu tham khảo [117] (PL.86) (PL.87) Từ (PL.86) ta có (PL.88) + j{j + 3[2(k − 1) + 1]} = + 6k(k − 1) + j[j + 3(2k − 1)] Do (PL.89) Phụ lục 12 Chứng minh công thức (2.12) Thực đổi biến tích phân sang biến u, ta P14 (PL.90) Sử dụng tính chất trực giao đa thức Laguerre, ta thu , (PL.91) (PL.92) (PL.93) Vậy ta có (PL.94) Phụ lục 13 Chứng minh công thức (3.1) ˆ Vì H tốn tử Hermite nên ta có ˆ ˆ ˆ ˆ ˆ hα0|[H 0,rˆ]|αi = hα0|H 0rˆ− rˆH 0|αi = hα0|H 0rˆ|αi − hα0|rˆH 0|αi ˆ (PL.95) ˆ = hH 0α0|rˆ|αi − hα0|rˆ|H 0αi = hEα0|rˆ|αi − hα0|rˆ|Eαi = (Eα0 − Eα)hα0|rˆ|αi Do P15 (PL.96) Phụ lục 14 Chứng minh công thức (3.3) (PL.97) ˆ [H 0,xˆ] = [vF τσxπx,xˆ] = vF τσx[πx,xˆ], πx = px + eAx, với A = (0,Bx,0) Suy πx = px Do ˆ [H 0,xˆ] = vF τσx[pˆx,xˆ] = −i~vF τσx Phụ lục 15 Chứng minh phương trình (3.12) (PL.98) Ta viết lại biểu thức tenxơ độ cảm phi tuyến bậc ba sau (PL.99) Biến đổi biểu thức ta (PL.100) Suy phần ảo độ cảm quang phi tuyến bậc ba Tiếp tục biến đổi lượng dấu { } ta thu P16 (PL.102) Từ ta thu biểu thức hệ số hấp thụ phi tuyến bậc ba (PL.103) với mật độ ánh sáng tới Phụ lục 16 Chứng minh phương trình (3.14) Để tính độ thay đổi chiết suất phi tuyến bậc ba ta tìm phần thực độ cảm phi tuyến bậc Từ biểu thức (PL.100) ta có (PL.104) Biến đổi lượng dấu { } ta thu P17 (PL.105) Từ ta thu biểu thức độ thay đổi chiết suất phi tuyến bậc ba (PL.106) P18 P18 ...ĐẠI HỌC HUẾ TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM TRẦN NGỌC BÍCH TÍNH CHẤT TRUYỀN DẪN QUANG-TỪ VÀ TÍNH CHẤT NHIỆT CỦA CÁC BÁN DẪN HỌ DICHALCOGENIDES KIM LOẠI CHUYỂN TIẾP Chuyên ngành:... khảo sát tính chất truyền dẫn quang-từ tính chất nhiệt bán dẫn họ dichalcogenides kim loại chuyển tiếp đơn lớp: MoS2, MoSe2, WS2 WSe2 2.2.Mục tiêu cụ thể - Khảo sát tính chất truyền dẫn quang-từ. .. thống tính chất truyền dẫn quang-từ bán dẫn họ TMDC, có tính đến ảnh hưởng trường Zeeman Bên cạnh tính chất truyền dẫn quang-từ, chúng tơi cịn bị thu hút tính chất nhiệt hệ điện tử bán dẫn thấp

Ngày đăng: 17/07/2022, 15:01

Nguồn tham khảo

Tài liệu tham khảo Loại Chi tiết
[1] Castro Neto A. H., Guinea F., Peres N. M. R., et al. (2009). The electronic properties of graphene. Rev. Mod. Phys., 81 (1), 109–162 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Rev. Mod. Phys
Tác giả: Castro Neto A. H., Guinea F., Peres N. M. R., et al
Năm: 2009
[2] Liao L., Lin Y.-C., Bao M., et al. (2010). High-speed graphene transistors with a self-aligned nanowire gate. Nature, 467 (7313), 305–308 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Nature
Tác giả: Liao L., Lin Y.-C., Bao M., et al
Năm: 2010
[4] Kara A., Enriquez H., Seitsonen A. P., et al. (2012). A review on silicene - New candidate for electronics. Surf. Sci. Rep., 67 (1), 1–18 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Surf. Sci. Rep
Tác giả: Kara A., Enriquez H., Seitsonen A. P., et al
Năm: 2012
[5] Sone J., Yamagami T., Aoki Y., et al. (2014). Epitaxial growth of silicene on ultra-thin Ag(111) films. New J. Phys., 16 (9), 095004(1–15) Sách, tạp chí
Tiêu đề: New J. Phys
Tác giả: Sone J., Yamagami T., Aoki Y., et al
Năm: 2014
[6] Davila M. E., Xian L., Cahangirov S., et al. (2014). Germanene: a novel two-dimensional germanium allotrope akin to graphene and silicene. New J. Phys., 16 (9), 095002(1–10) Sách, tạp chí
Tiêu đề: New J. Phys
Tác giả: Davila M. E., Xian L., Cahangirov S., et al
Năm: 2014
[7] Fang H., Chuang S., Chang T. C., et al. (2012). High-performance single layered WSe 2 p- FETs with chemically doped contacts. Nano Lett., 12 (7), 3788–3792 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Nano Lett
Tác giả: Fang H., Chuang S., Chang T. C., et al
Năm: 2012
[8] Fuhrer M. S. and Hone J. (2013). Measurement of mobility in dual-gated MoS 2 transistors. Nat. Nanotechnol., 8 (3), 146–147 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Nat. Nanotechnol
Tác giả: Fuhrer M. S. and Hone J
Năm: 2013
[9] Geim A. K. and Grigorieva I. V. (2013). Van der Waals heterostructures. Nature, 499 (7459), 419–425 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Nature
Tác giả: Geim A. K. and Grigorieva I. V
Năm: 2013
[10] Li X., Zhang F., and Niu Q. (2013). Unconventional Quantum Hall Effect and Tunable Spin Hall Effect in Dirac Materials: Application to anIsolated MoS 2 Trilayer. Phys. Rev. Lett., 110 (6), 066803(1–5) Sách, tạp chí
Tiêu đề: Phys. Rev. Lett
Tác giả: Li X., Zhang F., and Niu Q
Năm: 2013
[11] Lu H.-Z., Yao W., Xiao D., et al. (2013). Intervalley Scattering and Localization Behaviors of Spin-Valley Coupled Dirac Fermions. Phys. Rev. Lett., 110 (1), 016806(1–5) Sách, tạp chí
Tiêu đề: Phys. Rev. Lett
Tác giả: Lu H.-Z., Yao W., Xiao D., et al
Năm: 2013
[12] Wang H., Yu L., Lee Y.-H., et al. (2012). Integrated circuits based on bilayer MoS 2 transistors. Nano Lett., 12 (9), 4674–4680 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Nano Lett
Tác giả: Wang H., Yu L., Lee Y.-H., et al
Năm: 2012
[13] Xiao D., Liu G.-B., Feng W., et al. (2012). Coupled Spin and ValleyPhysics in Monolayers of MoS 2 and Other Group-VI Dichalcogenides. Phys. Rev. Lett., 108 (19), 196802(1–5) Sách, tạp chí
Tiêu đề: Phys. Rev. Lett
Tác giả: Xiao D., Liu G.-B., Feng W., et al
Năm: 2012
[14] Liu G.-B., Shan W.-Y., Yao Y., et al. (2013). Three-band tight-binding model for monolayers of group-VIB transition metal dichalcogenides. Phys. Rev. B, 88 (8), 085433(1–10) Sách, tạp chí
Tiêu đề: Phys. Rev. B
Tác giả: Liu G.-B., Shan W.-Y., Yao Y., et al
Năm: 2013
[15] Kuc A., Zibouche N., and Heine T. (2011). Influence of quantum confinement on the electronic structure of the transition metal sulfide T S 2 . Phys. Rev. B, 83 (24), 245213(1–4) Sách, tạp chí
Tiêu đề: T"S2. "Phys. Rev. B
Tác giả: Kuc A., Zibouche N., and Heine T
Năm: 2011
[16] Eda G. and Maier S. A. (2013). Two-Dimensional Crystals: Managing Light for Optoelectronics. ACS Nano, 7 (7), 5660–5665 Sách, tạp chí
Tiêu đề: ACS Nano
Tác giả: Eda G. and Maier S. A
Năm: 2013
[17] Baugher B. W. H., Churchill H. O. H., Yang Y., et al. (2014). Optoelectronic devices based on electrically tunable p-n diodes in a monolayerdichalcogenide. Nat. Nanotechnol., 9 (4), 262–267 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Nat. Nanotechnol
Tác giả: Baugher B. W. H., Churchill H. O. H., Yang Y., et al
Năm: 2014
[18] Jones A. M., Yu H., Ghimire N. J., et al. (2013). Optical generation of excitonic valley coherence in monolayer WSe 2 . Nat. Nanotechnol., 8 (9), 634–638 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Nat. Nanotechnol
Tác giả: Jones A. M., Yu H., Ghimire N. J., et al
Năm: 2013
[19] Pospischil A., Furchi M. M., and Mueller T. (2014). Solar-energy conversion and light emission in an atomic monolayer p-n diode. Nat. Nanotech-nol., 9 (4), 257–261 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Nat. Nanotech-"nol
Tác giả: Pospischil A., Furchi M. M., and Mueller T
Năm: 2014
[20] Yin Z., Li H., Li H., et al. (2011). Single-layer MoS 2 phototransistors.ACS Nano, 6 (1), 74–80 Sách, tạp chí
Tiêu đề: ACS Nano
Tác giả: Yin Z., Li H., Li H., et al
Năm: 2011
[21] Huffaker D., Park G, Zou Z, et al. (1998). 1.3 à m room-temperature GaAs-based quantum-dot laser. Appl. Phys. Lett., 73 (18), 2564–2566 Sách, tạp chí
Tiêu đề: à"m room-temperatureGaAs-based quantum-dot laser. "Appl. Phys. Lett
Tác giả: Huffaker D., Park G, Zou Z, et al
Năm: 1998

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

Hình 1.1. Mơ hình MX2 đơn lớp....... ....... ....... .. 11 - Tính chất truyền dẫn quang - từ và tính chất nhiệt của các bán dẫn họ dichalcogenides kim loại chuyển tiếp
Hình 1.1. Mơ hình MX2 đơn lớp....... ....... ....... .. 11 (Trang 8)
DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ - Tính chất truyền dẫn quang - từ và tính chất nhiệt của các bán dẫn họ dichalcogenides kim loại chuyển tiếp
DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ (Trang 8)
Bảng 1.1: Bảng các thông số đặc trưng cho tương tác spin-quỹ đạo và nửa độ rộng vùng cấm của các TMDC đơn lớp. - Tính chất truyền dẫn quang - từ và tính chất nhiệt của các bán dẫn họ dichalcogenides kim loại chuyển tiếp
Bảng 1.1 Bảng các thông số đặc trưng cho tương tác spin-quỹ đạo và nửa độ rộng vùng cấm của các TMDC đơn lớp (Trang 21)
Hình 1.1: Mơ hình MX2 đơn lớp. - Tính chất truyền dẫn quang - từ và tính chất nhiệt của các bán dẫn họ dichalcogenides kim loại chuyển tiếp
Hình 1.1 Mơ hình MX2 đơn lớp (Trang 21)
Hình 1.2 biểu diễn sự phụ thuộc vào từ trường của các giá trị năng lượng - Tính chất truyền dẫn quang - từ và tính chất nhiệt của các bán dẫn họ dichalcogenides kim loại chuyển tiếp
Hình 1.2 biểu diễn sự phụ thuộc vào từ trường của các giá trị năng lượng (Trang 28)
1.2.2. Độ rộng phổ hấp thụ. Phương pháp profile - Tính chất truyền dẫn quang - từ và tính chất nhiệt của các bán dẫn họ dichalcogenides kim loại chuyển tiếp
1.2.2. Độ rộng phổ hấp thụ. Phương pháp profile (Trang 38)
1.3.1.1. Tổng quan tình hình nghiên cứu - Tính chất truyền dẫn quang - từ và tính chất nhiệt của các bán dẫn họ dichalcogenides kim loại chuyển tiếp
1.3.1.1. Tổng quan tình hình nghiên cứu (Trang 48)
Hình 2.1: Sự phụ thuộc vào năng lượng photon của MOAC trong TMDC đơn lớp dưới ảnh hưởng của tương tác electron-phonon âm và quang ứng với các giá trị từ trường khác nhau - Tính chất truyền dẫn quang - từ và tính chất nhiệt của các bán dẫn họ dichalcogenides kim loại chuyển tiếp
Hình 2.1 Sự phụ thuộc vào năng lượng photon của MOAC trong TMDC đơn lớp dưới ảnh hưởng của tương tác electron-phonon âm và quang ứng với các giá trị từ trường khác nhau (Trang 62)
Hình 2.2: Sự phụ thuộc vào nhiệt độ của giá trị đỉnh MOAC trong TMDC đơn lớp gây bởi tán xạ phonon âm (kí hiệu &#34;ac&#34;), phonon quang (kí hiệu &#34;op&#34;) và tán xạ tạp chất (kí hiệu &#34;im&#34; với hệ số 104) - Tính chất truyền dẫn quang - từ và tính chất nhiệt của các bán dẫn họ dichalcogenides kim loại chuyển tiếp
Hình 2.2 Sự phụ thuộc vào nhiệt độ của giá trị đỉnh MOAC trong TMDC đơn lớp gây bởi tán xạ phonon âm (kí hiệu &#34;ac&#34;), phonon quang (kí hiệu &#34;op&#34;) và tán xạ tạp chất (kí hiệu &#34;im&#34; với hệ số 104) (Trang 64)
Hình 2.3: Sự phụ thuộc vào từ trường của FWHM của các đỉnh cộng hưởng trên hình 2.1. - Tính chất truyền dẫn quang - từ và tính chất nhiệt của các bán dẫn họ dichalcogenides kim loại chuyển tiếp
Hình 2.3 Sự phụ thuộc vào từ trường của FWHM của các đỉnh cộng hưởng trên hình 2.1 (Trang 65)
Hình 3.1: Sự phụ thuộc vào năng lượng photon   của   MOAC trong   TMDC   đơn H   L H d∆L   lớp   gây   ra   bởi các   dịch   chuyển   nội vùng   dẫn   trong   điều kiện z = 0 và B = 10 T ứng   với   spin   hướng lên và hướng xuống - Tính chất truyền dẫn quang - từ và tính chất nhiệt của các bán dẫn họ dichalcogenides kim loại chuyển tiếp
Hình 3.1 Sự phụ thuộc vào năng lượng photon của MOAC trong TMDC đơn H L H d∆L lớp gây ra bởi các dịch chuyển nội vùng dẫn trong điều kiện z = 0 và B = 10 T ứng với spin hướng lên và hướng xuống (Trang 72)
Tiếp theo chúng tôi khảo sát ảnh hưởng của từ trường lên MOAC. Hình 3.2 thể hiện sự phụ thuộc vào năng lượng photon của MOAC trong TMDC đơn lớp gây ra bởi các dịch chuyển nội vùng dẫn trong điều kiện d∆z = 0, khi xét đến các trường Zeeman (Zs,Zv 6= 0) và  - Tính chất truyền dẫn quang - từ và tính chất nhiệt của các bán dẫn họ dichalcogenides kim loại chuyển tiếp
i ếp theo chúng tôi khảo sát ảnh hưởng của từ trường lên MOAC. Hình 3.2 thể hiện sự phụ thuộc vào năng lượng photon của MOAC trong TMDC đơn lớp gây ra bởi các dịch chuyển nội vùng dẫn trong điều kiện d∆z = 0, khi xét đến các trường Zeeman (Zs,Zv 6= 0) và (Trang 73)
và spin hướng lên ứng với các giá trị từ trường khác nhau. Các hình (a), (b), (c), (d) biểu diễn MOAC tuyến tính - Tính chất truyền dẫn quang - từ và tính chất nhiệt của các bán dẫn họ dichalcogenides kim loại chuyển tiếp
v à spin hướng lên ứng với các giá trị từ trường khác nhau. Các hình (a), (b), (c), (d) biểu diễn MOAC tuyến tính (Trang 74)
Hình 3.4: Sự phụ thuộc vào năng lượng photon của RIC tuyến tính, phi tuyến và tổng trong TMDC đơn lớp gây ra bởi các dịch chuyển nội vùng dẫn trong điều kiện B = 10 T, Zs,Zv 6= 0 và d∆z = 0 ứng với hai trạng thái spin hướng lên và hướng xuống. - Tính chất truyền dẫn quang - từ và tính chất nhiệt của các bán dẫn họ dichalcogenides kim loại chuyển tiếp
Hình 3.4 Sự phụ thuộc vào năng lượng photon của RIC tuyến tính, phi tuyến và tổng trong TMDC đơn lớp gây ra bởi các dịch chuyển nội vùng dẫn trong điều kiện B = 10 T, Zs,Zv 6= 0 và d∆z = 0 ứng với hai trạng thái spin hướng lên và hướng xuống (Trang 76)
Hình 3.5: Sự phụ thuộc vào năng lượng photon của RIC tuyến tính, phi tuyến và tổng trong TMDC đơn lớp gây ra bởi các dịch chuyển nội vùng dẫn trong trạng thái spin hướng lên, Zs,Zv - Tính chất truyền dẫn quang - từ và tính chất nhiệt của các bán dẫn họ dichalcogenides kim loại chuyển tiếp
Hình 3.5 Sự phụ thuộc vào năng lượng photon của RIC tuyến tính, phi tuyến và tổng trong TMDC đơn lớp gây ra bởi các dịch chuyển nội vùng dẫn trong trạng thái spin hướng lên, Zs,Zv (Trang 77)
Hình 3.6: Sự phụ   thuộc   vào năng   lượng photon   của MOAC   tuyến tính, phiH L   H L H - Tính chất truyền dẫn quang - từ và tính chất nhiệt của các bán dẫn họ dichalcogenides kim loại chuyển tiếp
Hình 3.6 Sự phụ thuộc vào năng lượng photon của MOAC tuyến tính, phiH L H L H (Trang 79)
Hình 3.7: Sự phụ thuộc vào năng lượng photon của RIC tuyến tính, phi tuyế nH - Tính chất truyền dẫn quang - từ và tính chất nhiệt của các bán dẫn họ dichalcogenides kim loại chuyển tiếp
Hình 3.7 Sự phụ thuộc vào năng lượng photon của RIC tuyến tính, phi tuyế nH (Trang 81)
Để tính số, chúng tơi sử dụng các thông số cho MoS2 đơn lớp được liệt kê trong bảng 4.1 - Tính chất truyền dẫn quang - từ và tính chất nhiệt của các bán dẫn họ dichalcogenides kim loại chuyển tiếp
t ính số, chúng tơi sử dụng các thông số cho MoS2 đơn lớp được liệt kê trong bảng 4.1 (Trang 86)
Trên hình 4.1 chúng tôi biểu diễn sự phụ thuộc vào từ trường B của ELR trong MoS2 đơn lớp tại Te = 2 K và T = 0 K - Tính chất truyền dẫn quang - từ và tính chất nhiệt của các bán dẫn họ dichalcogenides kim loại chuyển tiếp
r ên hình 4.1 chúng tôi biểu diễn sự phụ thuộc vào từ trường B của ELR trong MoS2 đơn lớp tại Te = 2 K và T = 0 K (Trang 87)
Hình 4.2: Sự phụ thuộc vào từ trường của ELR trong TMDC đơn lớp gây ra bởi tương tác giữa electron với phonon LA-DP khi không tính đến hiệu ứng chắn - Tính chất truyền dẫn quang - từ và tính chất nhiệt của các bán dẫn họ dichalcogenides kim loại chuyển tiếp
Hình 4.2 Sự phụ thuộc vào từ trường của ELR trong TMDC đơn lớp gây ra bởi tương tác giữa electron với phonon LA-DP khi không tính đến hiệu ứng chắn (Trang 89)
Hình 4.3: Sự phụ thuộc vào nhiệt độ electro nT của ELR gây ra bởi tương tác giữa electron với phonon âm với các cơ chế tương tác khác nhau (hình (a) và (b)), với các giá trị mật độ electron khác nhau (hình (c)), với các giá trị nhiệt độ mạng tinh thể khác - Tính chất truyền dẫn quang - từ và tính chất nhiệt của các bán dẫn họ dichalcogenides kim loại chuyển tiếp
Hình 4.3 Sự phụ thuộc vào nhiệt độ electro nT của ELR gây ra bởi tương tác giữa electron với phonon âm với các cơ chế tương tác khác nhau (hình (a) và (b)), với các giá trị mật độ electron khác nhau (hình (c)), với các giá trị nhiệt độ mạng tinh thể khác (Trang 90)
Hình 4.4: Sự phụ thuộc vào vectơ sóng phonon q của tốc độ tán xạ electronphonon quang Γ(q) đối với: (a) các tương tác khác nhau, (b) nhiệt độ electron khác nhau, (c) mật độ electron khác nhau và (d) các vật liệu khác nhau. - Tính chất truyền dẫn quang - từ và tính chất nhiệt của các bán dẫn họ dichalcogenides kim loại chuyển tiếp
Hình 4.4 Sự phụ thuộc vào vectơ sóng phonon q của tốc độ tán xạ electronphonon quang Γ(q) đối với: (a) các tương tác khác nhau, (b) nhiệt độ electron khác nhau, (c) mật độ electron khác nhau và (d) các vật liệu khác nhau (Trang 92)
electron-phonon quang đối với cơ chế ODP bậc khơng tăng theo sự tăng của nhiệt độ (hình 4.4(b)) và mật độ electron (hình 4.4(c)) - Tính chất truyền dẫn quang - từ và tính chất nhiệt của các bán dẫn họ dichalcogenides kim loại chuyển tiếp
electron phonon quang đối với cơ chế ODP bậc khơng tăng theo sự tăng của nhiệt độ (hình 4.4(b)) và mật độ electron (hình 4.4(c)) (Trang 93)
Hình 4.6: Sự phụ thuộc vào nhiệt độ electron của ELR đối với: (a) các cơ chế liên kết khác nhau, (b) các vật liệu khác nhau, (c) và (d): các giá trị mật độ electron khác nhau - Tính chất truyền dẫn quang - từ và tính chất nhiệt của các bán dẫn họ dichalcogenides kim loại chuyển tiếp
Hình 4.6 Sự phụ thuộc vào nhiệt độ electron của ELR đối với: (a) các cơ chế liên kết khác nhau, (b) các vật liệu khác nhau, (c) và (d): các giá trị mật độ electron khác nhau (Trang 95)
Hình 4.7: Sự phụ thuộc của mật độ trạng thái tại mức Fermi, DF, vào từ trường đối với: (a) các trạng thái với cách định hướng spin và vùng khác nhau, khi ne  =  n0  và (b) các giá trị mật độ electron khác nhau, khi γ = 0.2 meV T−1/2. - Tính chất truyền dẫn quang - từ và tính chất nhiệt của các bán dẫn họ dichalcogenides kim loại chuyển tiếp
Hình 4.7 Sự phụ thuộc của mật độ trạng thái tại mức Fermi, DF, vào từ trường đối với: (a) các trạng thái với cách định hướng spin và vùng khác nhau, khi ne = n0 và (b) các giá trị mật độ electron khác nhau, khi γ = 0.2 meV T−1/2 (Trang 98)
Hình 4.8: Sự phụ thuộc của cơng suất nhiệt-từ gây ra bởi hiệu ứng phonon-kéo trong MoS2 đơn - Tính chất truyền dẫn quang - từ và tính chất nhiệt của các bán dẫn họ dichalcogenides kim loại chuyển tiếp
Hình 4.8 Sự phụ thuộc của cơng suất nhiệt-từ gây ra bởi hiệu ứng phonon-kéo trong MoS2 đơn (Trang 100)
Hình 4.9: Sự phụ thuộc của cơng suất nhiệt-từ gây bởi tương tác phonon TADP, , vào từ trường: (a) với các giá trị nhiệt độ khác nhau khi ne = 1012 cm−2, (b) với các giá trị mật độ electron khác nhau khi T = 2 K. - Tính chất truyền dẫn quang - từ và tính chất nhiệt của các bán dẫn họ dichalcogenides kim loại chuyển tiếp
Hình 4.9 Sự phụ thuộc của cơng suất nhiệt-từ gây bởi tương tác phonon TADP, , vào từ trường: (a) với các giá trị nhiệt độ khác nhau khi ne = 1012 cm−2, (b) với các giá trị mật độ electron khác nhau khi T = 2 K (Trang 102)
Hình 4.9(b) khảo sát ảnh hưởng của mật độ electron lên công suất nhiệt-từ khi =2 K. Chúng tôi nhận thấy, khi mật độ electron tăng lên, độ cao đỉnh dao động giảm do Sxxg  tỉ lệ nghịch với ne (phương trình (4.18)) - Tính chất truyền dẫn quang - từ và tính chất nhiệt của các bán dẫn họ dichalcogenides kim loại chuyển tiếp
Hình 4.9 (b) khảo sát ảnh hưởng của mật độ electron lên công suất nhiệt-từ khi =2 K. Chúng tôi nhận thấy, khi mật độ electron tăng lên, độ cao đỉnh dao động giảm do Sxxg tỉ lệ nghịch với ne (phương trình (4.18)) (Trang 103)
Hình 4.11: Sự phụ thuộc vào nhiệt độ củacông suất nhiệt-từ Sxx g, và số mũ δe trong quy luật  - Tính chất truyền dẫn quang - từ và tính chất nhiệt của các bán dẫn họ dichalcogenides kim loại chuyển tiếp
Hình 4.11 Sự phụ thuộc vào nhiệt độ củacông suất nhiệt-từ Sxx g, và số mũ δe trong quy luật (Trang 105)

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

TRÍCH ĐOẠN

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w