Chương 1 TỔNG QUAN VỀ ĐỐI TƯỢNG VÀ PHƯƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU
4.3. Kết luận chương 4
Trong chương này chúng tơi nghiên cứu các tính chất nhiệt của các bán dẫn TMDC đơn lớp, bao gồm tốc độ mất mát năng lượng của electron dưới ảnh
hưởng của tương tác electron-phonon và công suất nhiệt-từ gây ra bởi hiệu ứng phonon-kéo. Các kết quả chính của chương này có thể tóm tắt như sau:
Đã đưa ra biểu thức giải tích và kết quả tính số khảo sát tốc độ mất mát năng lượng của electron và công suất nhiệt-từ gây ra bởi hiệu ứng phonon-kéo trong TMDC đơn lớp đặt trong trường ngoài.
Tốc độ mất mát năng lượng của electron khi có trường ngồi dao động theo từ trường với biên độ dao động tăng khi từ trường tăng. Bên cạnh đó, tốc độ mất mát năng lượng của electron tăng (giảm) theo nhiệt độ (mật độ electron). Tốc độ mất mát năng lượng do tán xạ phonon âm (quang) lớn nhất trong MoS2 và nhỏ nhất trong WSe2 trong miền nhiệt độ electron thấp (cao).
Công suất nhiệt-từ gây ra bởi hiệu ứng phonon-kéo trong MoS2 đơn lớp dao động theo từ trường với biên độ dao động tăng và vị trí đỉnh dịch sang phía từ trường lớn hơn khi nhiệt độ tăng. Cơng suất nhiệt-từ tăng (giảm) theo từ trường (mật độ electron). Trong số các cơ chế tương tác được khảo sát, tương tác electron với phonon âm ngang không bị chắn thông qua thế biến dạng cho đóng góp nổi trội nhất vào công suất nhiệt-từ. Số mũ trong quy luật mô tả sự phụ thuộc vào nhiệt độ của công suất nhiệt-từ dao động xung quanh các giá trị 3 và 5 khi khơng xét và có xét đến hiệu ứng chắn.
Các kết quả chính của chương này được cơng bố trong các cơng trình [2], [4] và [9] trong danh mục các cơng trình khoa học đã cơng bố liên quan đến luận án.
KẾT LUẬN CHUNG
Luận án nghiên cứu về tính chất truyền dẫn quang-từ và tính chất nhiệt của các bán dẫn họ dichalcogenides kim loại chuyển tiếp khi có mặt từ trường vng góc với mặt phẳng của lớp vật liệu. Các kết quả chính mà luận án thu được như
sau:
1. Hệ số hấp thụ quang-từ và độ rộng vạch phổ đối với quá trình hấp thụ mộtvà hai photon đều phụ thuộc mạnh vào từ trường, các thông số của vật liệu, cơ chế tương tác electron-phonon và loại phonon.
2. Vị trí của đỉnh hấp thụ quang học được xác định một cách tường minh vàđược phân chia ra hai vùng có tần số khác nhau: Đối với q trình dịch chuyển nội vùng, vị trí đỉnh hấp thụ không phụ thuộc vào chỉ số mức Landau và nằm ở vùng vi sóng đến vùng hồng ngoại gần; trong khi đó đối với q trình dịch chuyển liên vùng, vị trí đỉnh hấp thụ phụ thuộc vào chỉ số mức Landau và nằm ở vùng hồng ngoại gần đến vùng khả kiến. Vị trí đỉnh hấp thụ của cả hai quá trình dịch chuyển đều phụ thuộc mạnh vào định hướng spin, tương tác spin-quỹ đạo, điện trường ngoài và trường Zeeman.
3. Khi có mặt từ trường ngồi, tốc độ mất mát năng lượng của electron daođộng với biên độ tăng theo từ trường, phụ thuộc mạnh vào loại vật liệu, cơ chế tương tác và mật độ electron. Ở vùng nhiệt độ thấp hơn nhiệt BlochGruăneisen (TBG), tốc độ mất mát năng lượng của
electron tăng nhanh theo nhiệt
độ theo quy luật hàm số mũ, khi T > TBG, tốc độ mất mát năng lượng tiếp tục tăng theo nhiệt độ nhưng với mức độ giảm dần.
4. Công suất nhiệt-từ gây ra bởi hiệu ứng phonon-kéo dao động với biên độtăng theo từ trường, phụ thuộc mạnh vào loại vật liệu, cơ chế tương tác và mật độ electron. Luận án đã có phát hiện mới về số mũ trong quy luật mô tả sự phụ thuộc của công suất nhiệt-từ vào nhiệt độ: Số mũ không phải là những hằng số như trong trường hợp khơng có từ trường mà dao động xung quanh các giá trị 3 và 5 khi khơng xét và có xét đến hiệu ứng chắn.
5. Luận án đã phát triển và góp phần hồn thiện lý thuyết về phương phápgần đúng ma trận mật độ áp dụng cho hệ đơn lớp hai chiều: đưa ra được công thức cải tiến cho độ cảm quang tuyến tính và phi tuyến bậc ba. Từ đó áp dụng để thu được hệ số hấp thụ quang-từ và độ thay đổi chiết suất tuyến tính và phi tuyến trong các vật liệu TMDC đơn lớp.
Chúng tơi hy vọng tiếp tục triển khai các bài tốn tương tự để nghiên cứu tính chất truyền dẫn quang-từ và tính chất nhiệt trong TMDC đơn lớp trong trường hợp có tính đến các loại tương tác khác ngoài tương tác electron-phonon như
tương tác electron-electron, electron-tạp chất, hoặc xét tương tác giữa electron với các loại phonon khác như phonon bề mặt, phonon bị giam giữ.
Bên cạnh đó, chúng tơi mong muốn tiếp tục khảo sát sâu hơn tính chất nhiệt, đặc biệt là cơng suất nhiệt-từ của các vật liệu TMDC khác ngoài MoS2 và so sánh kết quả thu được giữa các vật liệu TMDC với nhau.
Ngồi ra, các bài tốn nghiên cứu tính chất truyền dẫn quang-từ và tính chất nhiệt trình bày trong luận án cịn có thể mở rộng để khảo sát cho các vật liệu đơn lớp hai chiều tương tự graphene khác như: phosphorene, silicene, aserene,
DANH MỤC CÁC CƠNG TRÌNH KHOA HỌC ĐÃ CƠNG BỐ LIÊN QUAN ĐẾN LUẬN ÁN
[1] Nguyen D. Hien, Chuong V. Nguyen, Nguyen N. Hieu, S. S. Kubakaddi, C. A. Duque, M. E. Mora-Ramos , Le Dinh, Tran N. Bich and Huynh V.
Phuc (2020), “Magneto-optical transport properties of monolayer transition metal dichalcogenides”, Physical Review B, 101 (4), 045424(1−13).
[2] Tran N. Bich, S. S. Kubakaddi, Le Dinh, Nguyen N. Hieu, and Huynh V. Phuc (2021), “Oscillations of the electron energy loss rate in two-dimensional transition-metal dichalcogenides in the presence of a quantizing magnetic
field”, Physical Review B, 103 (23), 235417(1−10).
[3] Pham Thi Huong, Do Muoi, Tran N. Bich, Huynh V. Phuc, C. A. Duque, Phu Thuong Nhan Nguyen, Chuong V. Nguyen, Nguyen N. Hieu, Le T.
Hoa (2020), “Intra- and inter-band magneto-optical absorption in monolayer WS2”,
Physica E, 124, 114315(1−6).
[4] Huynh V Phuc, S S Kubakaddi, Le Dinh, Tran N. Bich, and Nguyen N Hieu (2022), “Phonon-drag thermopower and thermoelectric performance of MoS2 monolayer in quantizing magnetic field”, Journal of Physics: Con-
densed Matter, 34, 315703(1−13).
[5] Tran N. Bich, Huynh V. Phuc, Le Dinh (2021), “Magneto-optical absorption coefficients of monolayer MoSe2”, Hue University Journal of Science:
Natural Science, 130 (1B), 21−26.
[6] L.V. Tung, N.Q. Bau, T.N. Bich, P.T. Vinh, H.V. Phuc (2021), “Lin-
ear and nonlinear magneto-optical absorption coefficients and refractive in- dex changes in WSe2 monolayer”, VNU Journal of Science: Mathematics – Physics, 37 (4), 59−67.
[7] Trần Ngọc Bích, Nguyễn Ngọc Hiếu, Tạ Thị Thơ, Lê Thị Ngọc Tú và Huỳnh Vĩnh Phúc (2021), “Độ thay đổi chiết suất tuyến tính và phi tuyến trong MoSe2 đơn lớp”, Dong Thap
[8] Trần Ngọc Bích, Lê Thị Hóa, Huỳnh Vĩnh Phúc (2021), “Hệ số hấp thụ quang-từ của hệ WTe2 đơn lớp”, Kỷ yếu Hội thảo khoa học Quốc gia các nhà nghiên cứu trẻ 2021, Trường
Đại học Sư phạm, Đại học Huế, 217−224.
[9] Trần Ngọc Bích, Huỳnh Vĩnh Phúc, Lê Đình, “Cơng suất nhiệt-từ trong hệ WS2 đơn lớp”,
đã được nhận đăng ở Tạp chí Khoa học, Trường Đại học Sư phạm, Đại học Huế, số 3(63)/2022.
TÀI LIỆU THAM KHẢO
[1] Castro Neto A. H., Guinea F., Peres N. M. R., et al. (2009). The electronic properties of graphene. Rev. Mod. Phys., 81 (1), 109–162.
[2] Liao L., Lin Y.-C., Bao M., et al. (2010). High-speed graphene transistors with a self-aligned nanowire gate. Nature, 467 (7313), 305–308.
[3] Schwierz F. (2010). Graphene transistors. Nat. Nanotechnol., 5 (7), 487– 496.
[4] Kara A., Enriquez H., Seitsonen A. P., et al. (2012). A review on silicene - New candidate for electronics. Surf. Sci. Rep., 67 (1), 1–18.
[5] Sone J., Yamagami T., Aoki Y., et al. (2014). Epitaxial growth of silicene on ultra-thin Ag(111) films. New J. Phys., 16 (9), 095004(1–15).
[6] Davila M. E., Xian L., Cahangirov S., et al. (2014). Germanene: a novel two-dimensional germanium allotrope akin to graphene and silicene. New J. Phys., 16 (9), 095002(1–10).
[7] Fang H., Chuang S., Chang T. C., et al. (2012). High-performance single layered WSe2 p- FETs with chemically doped contacts. Nano Lett., 12 (7), 3788–3792.
[8] Fuhrer M. S. and Hone J. (2013). Measurement of mobility in dual-gated MoS2 transistors. Nat. Nanotechnol., 8 (3), 146–147.
[9] Geim A. K. and Grigorieva I. V. (2013). Van der Waals heterostructures. Nature, 499 (7459), 419–425.
[10] Li X., Zhang F., and Niu Q. (2013). Unconventional Quantum Hall Effect and Tunable Spin Hall Effect in Dirac Materials: Application to an
Isolated MoS2 Trilayer. Phys. Rev. Lett., 110 (6), 066803(1–5).
[11] Lu H.-Z., Yao W., Xiao D., et al. (2013). Intervalley Scattering and Localization Behaviors of Spin-Valley Coupled Dirac Fermions. Phys. Rev. Lett., 110 (1), 016806(1– 5).
[12] Wang H., Yu L., Lee Y.-H., et al. (2012). Integrated circuits based on bilayer MoS2 transistors. Nano Lett., 12 (9), 4674–4680.
[13] Xiao D., Liu G.-B., Feng W., et al. (2012). Coupled Spin and Valley
Physics in Monolayers of MoS2 and Other Group-VI Dichalcogenides. Phys. Rev. Lett., 108 (19), 196802(1–5).
[14] Liu G.-B., Shan W.-Y., Yao Y., et al. (2013). Three-band tight-binding model for monolayers of group-VIB transition metal dichalcogenides. Phys. Rev. B, 88 (8), 085433(1–10).
[15] Kuc A., Zibouche N., and Heine T. (2011). Influence of quantum confinement on the electronic structure of the transition metal sulfide TS2. Phys. Rev. B, 83 (24), 245213(1– 4).
[16] Eda G. and Maier S. A. (2013). Two-Dimensional Crystals: Managing Light for Optoelectronics. ACS Nano, 7 (7), 5660–5665.
[17] Baugher B. W. H., Churchill H. O. H., Yang Y., et al. (2014). Optoelectronic devices based on electrically tunable p-n diodes in a monolayer
dichalcogenide. Nat. Nanotechnol., 9 (4), 262–267.
[18] Jones A. M., Yu H., Ghimire N. J., et al. (2013). Optical generation of excitonic valley coherence in monolayer WSe2. Nat. Nanotechnol., 8 (9), 634–638.
[19] Pospischil A., Furchi M. M., and Mueller T. (2014). Solar-energy conversion and light emission in an atomic monolayer p-n diode. Nat. Nanotech-
nol., 9 (4), 257–261.
[20] Yin Z., Li H., Li H., et al. (2011). Single-layer MoS2 phototransistors.
ACS Nano, 6 (1), 74–80.
[21] Huffaker D., Park G, Zou Z, et al. (1998). 1.3 µm room-temperature GaAs-based quantum-dot laser. Appl. Phys. Lett., 73 (18), 2564–2566.
[22] Pan D., Towe E., and Kennerly S. (1998). Normal-incidence intersubband (In, Ga)As/GaAs quantum dot infrared photodetectors. Appl. Phys. Lett., 73 (14), 1937– 1939.
[23] Wood T., Burrus C., Miller D., et al. (1984). High-speed optical modulation with GaAs/GaAlAs quantum wells in ap-i-n diode structure. Appl. Phys. Lett., 44 (1), 16–18.
[24] Radisavljevic B., Radenovic A., Brivio J., et al. (2011). Single-layer MoS2 transistors. Nat. Nanotechnol., 6 (3), 147–150.
[25] Splendiani A., Sun L., Zhang Y., et al. (2010). Emerging photolumines- cence in monolayer MoS2. Nano Lett., 10 (4), 1271–1275.
optoelectronics of two-dimensional transition metal dichalcogenides. Nat. Nanotechnol., 7 (11), 699–712.
[27] Liu H., Neal A. T., and Ye P. D. (2012). Channel length scaling of MoS2 MOSFETs. ACS Nano, 6 (10), 8563–8569.
[28] Yoon Y., Ganapathi K., and Salahuddin S. (2011). How good can mono- layer MoS2 transistors be? Nano Lett., 11 (9), 3768–3773.
[29] Reed J. C., Zhu A. Y., Zhu H., et al. (2015). Wavelength tunable microdisk cavity light source with a chemically enhanced MoS2 emitter. Nano Lett., 15 (3), 1967–1971.
[30] Al E. B., Ungan F., Yesilgul U., et al. (2015). Effects of applied electric and magnetic fields on the nonlinear optical properties of asymmetric GaAs/Ga1-xAlxAs double inverse parabolic quantum well. Opt. Mater.,
47, 1–6.
[31] Karabulut I. and Baskoutas S. (2008). Linear and nonlinear optical absorption coefficients and refractive index changes in spherical quantum dots: Effects of impurities, electric field, size, and optical intensity. J. Appl. Phys., 103 (7), 073512(1– 5).
[32] Unluă S., Karabulut I., and Safak H. (2006). Linear and nonlinear inter-ă subband optical absorption coefficients and refractive index changes in a
quantum box with finite confining potential. Physica E, 33 (2), 319–324.
[33] Vali M., Dideban D., and Moezi N. (2015). A scheme for a topological insulator field effect transistor. Physica E, 69, 360–363.
[34] Zheng J., Zhang Y., Li L., et al. (2015). An equivalent-stepped-indexcoupled DFB semiconductor laser and laser array realized by stepping the duty cycle of the Sampled Bragg grating. Opt. Laser Technol., 67, 38–43.
[35] Huant S., Najda S. P., and Etienne B. (1990). Two-dimensional D− cen- ters. Phys. Rev. Lett., 65 (12), 1486–1489.
[36] Rajagopal A. K. and Ryan J. C. (1991). Quantum-state representations
in a strong quantizing magnetic field: Pairing theory of superconductivity. Phys. Rev. B,
44 (18), 10280–10285.
[37] Spector H. N. (1983). Free-carrier absorption in quasi-two-dimensional semiconducting structures. Phys. Rev. B, 28 (2), 971–976.
[38] Eseanu N. (2011). Intense laser field effect on the interband absorption in differently shaped near-surface quantum wells. Phys. Lett. A, 375 (6), 1036–1042.
[39] Niculescu C. E. and Burileanu M. L. (2010). Nonlinear optical absorption in inverse V- shaped quantum wells modulated by high-frequency laser field. Eur. Phys. J. B, 74 (1), 117–122.
[40] Ozturk E., Sari H., and Sokmen I. (2004). The dependence of the intersubband transitions in square and graded QWs on intense laser fields. Solid State Commun., 132 (7), 497– 502.
[41] Ozturk E, Sari H, and Sokmen I (2005). Electric field and intense laser field effects on the intersubband optical absorption in a graded quantum
well. J. Phys. D: Appl. Phys., 38 (6), 935–941.
[42] Ungan F., Yesilgul U., Kasapoglu E., et al. (2012). The effects of hydrostatic pressure and intense laser field on the linear and nonlinear optical
properties of a square quantum well. Opt. Commun., 285 (3), 373–377.
[43] Nguyen C. V., Hieu N. N., Duque C. A., et al. (2017). Linear and nonlinear magneto- optical absorption coefficients and refractive index changes in
graphene. Opt. Mater., 69, 328–332.
[44] Nguyen C. V., Hieu N. N., Duque C. A., et al. (2017). Linear and nonlinear magneto- optical properties of monolayer phosphorene. J. Appl. Phys., 121 (4), 045107(1–6).
[45] Nguyen C. V., Hieu N. N., Muoi D., et al. (2018). Linear and nonlinear magneto-optical properties of monolayer MoS2. J. Appl. Phys., 123 (3), 034301(1–7).
[46] Nguyen C. V., Hieu N. N., Poklonski N. A., et al. (2017). Magneto-optical transport properties of monolayer MoS2 on polar substrates. Phys. Rev. B, 96 (12), 125411(1–14).
[47] Koperski M., Molas M. R., Arora A., et al. (2019). Orbital, spin and valley contributions to Zeeman splitting of excitonic resonances in MoSe2, WSe2
and WS2 Monolayers. 2D Mater., 6 (1), 015001(1–9).
[48] Pham K. D., Tung L. V., Thuan D. V., et al. (2019). Phonon-assisted cyclotron resonance in Păoschl-Teller quantum well. J. Appl. Phys., 126 (12), 124301(1–9).
[49] Hoi B. D., Phuong L. T. T., and Phong T. C. (2018). Magneto-optical absorption and cyclotron-phonon resonance in graphene monolayer. J. Appl. Phys., 123 (9), 094303(1– 6).
[50] Koshino M. and Ando T. (2008). Magneto-optical properties of multilayer graphene. Phys. Rev. B, 77 (11), 115313(1–8).
[51] Santra K. and Sarkar C. K. (1993). Energy-loss rate of hot carriers in semiconductors with nonequilibrium phonon distribution in the extreme
quantum limit at low temperatures. Phys. Rev. B, 47 (7), 3598–3602.
[52] Tao Z. C., Ting C. S., and Singh M. (1993). Energy loss rate of hot
electrons in a semiconductor: The role of anharmonic interactions. Phys. Rev. Lett., 70 (16), 2467–2470.
[53] Fletcher R., Pudalov V. M., Feng Y., et al. (1997). Thermoelectric and hot-electron properties of a silicon inversion layer. Phys. Rev. B, 56 (19), 12422–12428.
[54] Kubakaddi S. S., Suresha K., and Mulimani B. G. (2002). Hot-electron energy relaxation in GaAs/GaAlAs two-dimensional structures: importance
of two-phonon processes. Semicond. Sci. Technol., 17 (6), 557–564.
[55] Ma Y., Fletcher R., Zaremba E., et al. (1991). Energy-loss rates of twodimensional electrons at a GaAs/AlxGa1−xAs interface. Phys. Rev. B, 43 (11), 9033–9044.
[56] Bhargavi K. S. and Kubakaddi S. S. (2014). High field transport properties of a bilayer graphene. Physica E, 56, 123–129.
[57] Katti V. S. and Kubakaddi S. S. (2013). Effect of chiral property on hot phonon distribution and energy loss rate due to surface polar phonons in
a bilayer graphene. J. Appl. Phys., 113 (6), 063705(1–5).
[58] Kubakaddi S. S. (2018). The role of vector potential coupling in the hot electron cooling power in bilayer graphene at low temperature. Physica
E, 95, 144–148.
[59] Kubakaddi S. S. and Phuc H. V. (2020). Power loss of hot Dirac fermions in silicene and its near equivalence with graphene. Semicond. Sci. Tech-
nol., 36 (2), 025005(1–11).
[60] Kaasbjerg K., Bhargavi K. S., and Kubakaddi S. S. (2014). Hot-electron cooling by acoustic and optical phonons in monolayers of MoS2 and other
transition-metal dichalcogenides. Phys. Rev. B, 90 (16), 165436(1–13).
[61] Kubakaddi S. S. and Biswas T. (2018). Hot electron cooling in Dirac semimetal Cd3As2 due to polar optical phonons. J. Phys.: Condens. Mat-
ter, 30 (26), 265303(1–10).
[62] Kubakaddi S. S. (2021). Large power dissipation of hot Dirac fermions in twisted bilayer graphene. J. Phys.: Condens. Matter, 33 (11), 115704(1–
7).
[63] Bhat J. S., Kapatkar S. B., Kubakaddi S. S., et al. (1998). Energy Loss Rate of Hot Electrons Due to Confined and Interface Optical Phonons in Semiconductor Quantum Wells in Quantizing Magnetic Field. Phys.
Status Solidi B, 209 (1), 37–47.
[64] Hollering R. W. J., Berendschot T. T. J. M., Bluyssen H. J. A., et al. (1988). Energy relaxation of lower-dimensional hot carriers studied with
picosecond photoluminescence. Phys. Rev. B, 38 (18), 13323–13334.
[65] Reinen H. A. J. M., Berendschot T. T. J. M., Kappert R. J. H., et al. (1988). Electron- phonon interaction of a two-dimensional electron gas in
a strong magnetic field. Solid State Commun., 65 (12), 1495–1499.
[66] Biswas T. and Ghosh T. K. (2013). Phonon-drag magnetothermopower in Rashba spin- split two-dimensional electron systems. J. Phys.: Condens. Matter, 25 (41), 415301(1– 7).
[67] Cantrell D. G. and Butcher P. N. (1987). A calculation of the phonondrag contribution to the thermopower of quasi-2D electrons coupled to
3D phonons. I. General theory. J. Phys. C: Solid State Phys., 20 (13), 1985–1992.
[68] Buscema M., Barkelid M., Zwiller V., et al. (2013). Large and Tunable Photothermoelectric Effect in Single-Layer MoS2. Nano Lett., 13 (2), 358– 363.
[69] Hippalgaonkar K., Wang Y., Ye Y., et al. (2017). High thermoelectric power factor in two-dimensional crystals of MoS2. Phys. Rev. B, 95 (11), 115407(1–9).
[70] Bhargavi K. S. and Kubakaddi S. S. (2014). Phonon-drag thermopower in a monolayer MoS2. J. Phys.: Condens. Matter, 26 (48), 485013(1–6).
[71] Fletcher R (1999). Magnetothermoelectric effects in semiconductor sys- tems. Semicond. Sci. Technol., 14 (4), R1–R15.
[72] Fletcher R., Maan J. C., Ploog K., et al. (1986). Thermoelectric properties of GaAs-
Ga1−xAlxAs heterojunctions at high magnetic fields. Phys. Rev. B, 33 (10), 7122–7133.
[73] Fromhold T. M., Butcher P. N., Qin G., et al. (1993). Phonon-drag magnetothermopower oscillations in GaAs/AsxGa1−xAs heterojunctions. Phys. Rev. B, 48 (8), 5326–5332.
[74] Gibson G. A., Tedrow P. M., and Meservey R. (1989). Tunneling study of Fermi-liquid effects in amorphous gallium. Phys. Rev. B, 40 (1), 137–147.
[75] Lyo S. K. (1989). Magnetoquantum oscillations of the phonon-drag ther- moelectric power in heterojunctions. Phys. Rev. B, 40 (9), 6458–6461.
[76] Tsaousidou M., Butcher P. N., and Kubakaddi S. S. (1999). Quantitative Interpretation of Thermopower Data for Composite Fermions in a HalfFilled Landau Level. Phys. Rev. Lett., 83 (23), 4820–4823.
[77] Kubakaddi S. S., Biswas T., and Kanti Ghosh T. (2017). Phonon-drag magnetoquantum oscillations in graphene. J. Phys.: Condens. Matter, 29
(30), 305301(1–8).
[78] Ochoa H. and Roldán R. (2013). Spin-orbit-mediated spin relaxation in monolayer MoS2. Phys. Rev. B, 87 (24), 245421(1–8).
[79] Hien N. D., Nguyen C. V., Hieu N. N., et al. (2020). Magneto-optical
transport properties of monolayer transition metal dichalcogenides. Phys. Rev. B, 101 (4), 045424(1–13).
[80] Li Z. and Carbotte J. P. (2013). Phonon structure in dispersion curves and density of states of massive Dirac fermions. Phys. Rev. B, 88 (4), 045417.
[81] Tahir M., Vasilopoulos P., and Peeters F. M. (2016). Quantum magnetotransport properties of a MoS2 monolayer. Phys. Rev. B, 93 (3), 035406(1–
9).
[82] Lê Đình (chủ biên), Trần Cơng Phong (2012), Giáo trình Cơ học lượng
tử, Nhà xuất bản Đại học Huế.
[83] Wang C. M. and Lei X. L. (2015). Linear magnetotransport in monolayer
MoS2. Phys. Rev. B, 92 (12), 125303(1–10).
[84] Tabert C. J. and Nicol E. J. (2013). Valley-Spin Polarization in the Magneto-Optical Response of Silicene and Other Similar 2D Crystals. Phys. Rev. Lett., 110 (19), 197402(1–5).
[85] Bhargavi K. S., Patil S., and Kubakaddi S. S. (2015). Acoustic phonon assisted free- carrier optical absorption in an n-type monolayer MoS2 and other transition-metal dichalcogenides. J. Appl. Phys., 118 (4), 044308(1– 7).
[86] Kaasbjerg K., Thygesen K. S., and Jacobsen K. W. (2012). Phonon-
limited mobility in n-type single-layer MoS2 from first principles. Phys. Rev. B, 85 (11), 115317(1–16).
[87] Jin Z., Li X., Mullen J. T., et al. (2014). Intrinsic transport properties of electrons and holes in monolayer transition-metal dichalcogenides. Phys.
Rev. B, 90 (4), 045422(1–7).
[88] Li X., Mullen J. T., Jin Z., et al. (2013). Intrinsic electrical transport properties of monolayer silicene and MoS2 from first principles. Phys. Rev. B, 87 (11), 115418(1–9).
[89] Thilagam A. (2016). Ultrafast exciton relaxation in monolayer transition metal dichalcogenides. J. Appl. Phys., 119 (16), 164306(1–8).
[90] Kaasbjerg K., Thygesen K. S., and Jauho A.-P. (2013). Acoustic phonon limited mobility in two-dimensional semiconductors: Deformation potential and piezoelectric scattering in monolayer MoS2 from first principles. Phys. Rev. B, 87 (23), 235312(1–15).
[91] Nguyen Q. B., Nguyen V. N., and Tran C. P. (2002). Calculations of the absorption coefficient of a weak electromagnetic wave by free carriers in doped superlattices by using the Kubo-Mori method. J. Korean Phys. Soc., 41 (1), 149–154.
[92] Nguyen Q. B. and Nguyen V. H. (2013). The quantum acoustoelectric cur-
rent in a doped superlattice GaAs:Si/GaAs:Be. Superlattices Microstruct., 63, 121–130.
[93] Nguyen Q. B., Nguyen V. H., and Nguyen V. N. (2012). Calculations of the acoustoelectric current in a quantum well by using a quantum kinetic
equation. J. Korean Phys. Soc., 61 (12), 2026–2031.
[94] Nguyen Q. B. and Bui D. H. (2012). Influence of a strong electromagnetic wave (laser