Từ hình 3.7 này cho thấy, các dao động biến dạng, dao động dãn đối xứng và dao động dãn không đối xứng của Si–O–Si vẫn thấy xuất hiện nhưng chỉ có chút biến đổi về số sóng, lần lượt là ở 466 cm-1, 810 cm-1 và 1101 cm-1. Nhưng rõ ràng pic ở số sóng 1101 cm-1 đặc trưng cho dao động hóa trị của các liên kết Si–O–Si trong nanosilica chiếm thành phần chủ yếu. Xuất hiện thêm pic ở 971 cm-1 đặc trưng cho dao động dãn của Si–O trong nhóm silanol. Trong khoảng số sóng 3700 cm-1 - 3000 cm-1 vẫn thấy có pic chân rộng đặc trưng cho dao động hóa trị của liên kết O-H (của H2O liên kết và trong Si–OH) khi có pic ở số sóng 3439 cm-1. Với mẫu NS biến tính bằng TESPT (NSTESPT), trên phổ FTIR có thấy xuất hiện pic mới là dao động đặc trưng cho phân tử silan trên bề mặt NS. Pic ở số sóng 2980 cm-1
được gán cho là dao động biến dạng đối xứng của liên kết C–H trong nhóm metylen (-CH2) (trong khi ở mẫu NS chưa biến tính khơng xuất hiện pic này). Cơ bản trong mẫu nanosilica được biến tính TESPT, các pic có xu hướng dịch chuyển về số sóng thấp hơn một chút so với pic đặc trưng trên phổ FTIR của TESPT (2989 cm-1). Qua đó cho thấy, trên bề mặt của nanosilica đã xuất hiện và có gắn các phân tử TESPT .
b) Giản đồ phân tích nhiệt trọng lượng (TGA)
Hàm lượng và khả năng nhóm TESPT được gắn trên bề mặt NS đã được chúng tôi xác định qua kết quả phân tích giản đồ TGA (phân tích nhiệt trọng lượng). Hình 3.8 và 3.9 là giản đồ TGA của mẫu NS và mẫu NSTESPT ở điều kiện thích hợp.