- Tần số: Số chu kỳ của dòng điện thực hiện trong một giây gọi là tần số, ký hiệu là f.
1. Linh kiện điện tử cơ bản Điện trở
1.5.2. Nguyên lý hoạt động
Để phân tích nguyên lý hoạt động của transistor ta xét các trường hợp sau: a. Loại NPN
Hình 3.23: Sơ đồ nguyên lý của Transistor loại NPN
- Xét trường hợp cực B hở (hình 3.23)
Ta nối cực E vào âm nguồn E1, cực C vào dương nguồn E2, do tác dụng của lực tĩnh điện nên các điện tử trong vùng bán dẫn N của cực E và C dịch chuyển theo hướng từ cực E về cực C. Do cực B hở nên electron trong vùng bán dẫn N của cực E không thể sang vùng bán dẫn P của cực B để tái hợp với lỗ trống nên khơng có dịng điện qua transistor.
Hình 3.23: Sơ đồ cấu tạo
- Trường nối cực B với nguồn điện áp dương E1: với VC > VB > VE
hai vùng bán dẫn PN của cực B và cực E giống một đi ốt BE được phân cực thuận nên dẫn điện. Electron từ lớp N tại cực E sang lớp P của cực B để tái hợp với lỗ trống. Nhưng do mật độ hạt dương tại đây quá ít nên các điện tử tiếp tục xuyên dẫn đến cực dương của nguồn E1 tạo nên dòng IB (qui ước ngược lại)
Cực C nối vào điện áp dương cao hơn nên hút hầu hết electron trong vùng bán dẫn N tại cực E xuyên dãn sang cực C tạo thành dòng IC (qui ước ngược lại)
Cực E nối với nguồn điện áp âm nên khi vùng bán dẫn N bị mất electron sẽhút điện tích âm từ nguồn âm E1 lên thế chổ tạo thành dòng IE (qui ước ngược lại)
Số lượng electron bị hút từ cực E đều chạy sang cực B và C nên dòng điện IB và IC đều chạy sang cực E.
59 Như vậy: IE = IB + IC; với IB << IC, IE Như vậy: IE = IB + IC; với IB << IC, IE
Về cấu tạo transistor NPN được xem như hai đi ốt ghép ngược như hình 3.23. b. Loại PNP
Hình 3.24: Sơ đồ nguyên lý Transistor loại PNP
- Xét trường hợp cực B hở như hình 3.24:
Ta nối cực E vào dương nguồn E1, cực C vào âm nguồn E2, do tác dụng của lực tĩnh điện nên các điện tử trong vùng bán dẫn P của cực E và C dịch chuyển theo hướng từ cực E về cực C. Do cực B hở nên lỗ trống trong vùng bán dẫn P của cực E không thể sang vùng bán dẫn N của cực B để tái hợp với electron nên khơng có dịng điện qua transistor.
Hình 3.25: Sơ đồ cấu tạo
- Trường nối cực B với nguồn điện áp âm E1: với VE > VB > VC.Hai vùng bán dẫn PN của
cực B và cực E giống một đi ốt BE được phân cực thuận nên dẫn điện. Lỗ trống từ lớp P tại cực E sang lớp N của cực B để tái hợp với electron. Nhưng do mật độ hạt điện tử tại đây quá ít nên các lỗ trống tiếp tục xuyên dẫn đến cực âm củanguồn E1 tạo nên dòng IB
Cực C nối vào điện áp âm cao hơn nên hút hầu hết lỗ trống trong vùng bán dẫn P tại cực E xuyên dãn sang cực C tạo thành dòng IC
Cực E nối với nguồn điện áp dương nên khi vùng bán dẫn P bị mất lỗ trống sẽ hút điện tích dương từ nguồn dương E1 lên thế chổ tạo thành dòng IE
Số lượng lỗ trống bị hút từ cực E đều chạy sang cực B và C nên dòng điện IB và IC đều từ cực E chạy sang.
Như vậy: IE = IB + IC; với IB << IC, IE
Về cấu tạo transistor PNP được xem như hai đi ốt ghép ngược như hình 3.25.