Công nghệ sản xuất tế bào quang điện: Pin mặt trời có thể chế tạo từ nhiều loại
vật liệu khác nhau và rất đa dạng gồm : silic tinh thể, GaAs, a – Si (silic vơ định hình) CdS, CdTe. Công nghệ được sử dụng để sản xuất pin mặt trời cũng rất phong phú như công nghệ bốc bay tạo pin mặt trời màng mỏng. Công nghệ khuếch tán, công nghệ Ruban, công nghệ phân hủy silan tạo PMT silic vơ định hình...
Tuy nhiên vật liệu chủ yếu sử dụng trong công nghiệp chế tạo PMT hiện nay là Silic tinh thể và Silic vơ định hình. Hướng vật liệu này sẽ cịn phát triển vào đầu thế kỷ 21 nhờ đặc tính ổn định và kinh tế của chúng.
Pin mặt trời tinh thể Silic: Từ vật liệu ban đầu là cát (SiO2) người ta tinh chế ra Silic rồi sau đó tạo Silic đa tinh thể bằng cơng nghệ đúc khối hoặc kéo thành đơn tinh thể theo công nghệ Choxranski. Khi đã có khối vật liệu tinh thể Silic, người ta cưa, cắt chúng bằng dao kim cương, laser ... thành các phiến tinh thể Silic dày khoảng 400 μm. Qua các cơng đoạn cưa, cắt, xử lý hóa học, mài, tẩy sạch bề mặt để chuẩn bị và các bước công nghệ tiếp theo vật liệu đã bị tiêu hao khoảng 50%. Sau khi đã có phiến Silic tinh thể tiêu chuẩn, người ta tiến hành bước quan trọng nhất trong công nghệ làm PMT là tạo lớp chuyển tiếp p – n bằng cách pha Brôm (Br), photpho (P) vào phiến pin Silic từ các nguồn
4 20 10 30 Hiệu Suất % 300 400 500 600 T(K) Si GaAs
47
Br, P rắn ở nhiệt độ 900 – 10000C. Đây là một chu trình địi hỏi sự chính xác cao vì nó quyết định hiệu suất của PMT.