Nhiệt độ khuếch tán phải được khống chế ở độ xác chính cao để có được độ sâu khuếch tán mong muốn. Người ta đã áp dụng phương pháp cấy ion để giải quyết độ chính xác và tự động hóa của cơng đoạn chế tạo này. Tiếp theo, các nhà công nghệ phải tạo lớp tiếp xúc (contact) mặt trước và mặt sau để lấy điện ra và phủ lên bề mặt lớp màng chống phản xạ A.R.C – (Anti Reflection Coating).
Khi có ánh sáng chiếu tới, hai loại hạt tải tự do được tạo ra trong lòng bán dẫn Silic gồm các điện tử tự do mang điện tích âm ở vùng dẫn và các lỗ trống tự do mang điện tích dương ở vùng hóa trị. Q trình chuyển hóa quang năng mặt trời thành điện năng xảy ra khi các hạt tải tự do này được các photon ánh sáng kích hoạt và di chuyển theo hai chđiều ngược nhau dưới tác dụng của nội điện trường ở vùng chuyển tiếp p – n, dòng điện được lấy ra nhờ hai contact ở mặt trước và mặt sau của phiến PMT.
Cấu trúc tiêu biểu của một phiến PMT silic tinh thể được mơ tả trên hình 3.15. Trên cùng là lớp contact mặt trước được chế tạo bằng công nghệ in lưới, kế tiếp là màng chống phản xạ nhằm tăng cao hiệu suất chuyển hóa. Phần quan trọng nhất của phiến pin là lớp chuyển tiếp p – n tiếp theo là lớp contact mặt sau. Từ 2 lớp contact mặt trước và
48
sau người ta hàn các dây Ni-Cr để lấy điện ra. Thông thường mỗi phiến PMT cho thế hở mạch khoảng 0,5V còn dòng ngắn mạch tùy thuộc theo diện tích của phiến PMT.
Pin mặt trời Silic vô định hình: Pin mặt trời Silic vơ định hình ra đời sau cùng nhất. Ra mắt lần đầu tiên vào năm 1974 tại phịng thí nghiệm RCA của Mỹ. Tuy nhiên giá thành của nó rẻ hơn các loại khác nhờ q trình chế tạo có nhiều ưu thế, chu trình khép kín, khả năng làm diện tích rộng. Do vậy mà pin mặt trời Silic vơ định hình đã nhanh chóng chiếm lĩnh thị trường
Màng TIO