Để cải thiện cỏc thụng số của cảm biến khớ CO chỳng tụi sử dụng điện cực thương phẩm. Cảm biến được sử dụng trong nghiờn cứu này là cảm biến dạng màng mỏng được chế tạo bằng cỏch mọc trực tiếp dõy nano lờn điện cực thương phẩm của hóng Huyndai (Hàn Quốc), sau đú biến tớnh bề mặt dõy nano bằng hạt Pd. Cấu tạo của điện cực này được trỡnh bày trờn Hỡnh 4.9.
Hỡnh 4.9. Ảnh quang học (a-c), sự thay đổi cụng suất theo nhiệt độ (d) của điện cực thương phẩm.
Trờn một điện cực thương phẩm gồm 2 mặt: Mặt trờn là kim loại Au được chế tạo ở mặt trờn bằng cụng nghệ in lưới cú khoảng cỏch giữa hai khe là 1 mm (Hỡnh 4.9a) và mặt dưới là lũ vi nhiệt được làm từ RuO2 cú điện trở khoảng 30 (Hỡnh 4.9b). Tất cả được chế tạo trờn đế Al2O3 sử dụng cụng nghệ in lưới. Nhiệt độ hoạt động của cảm biến chưa được xỏc định chớnh xỏc theo điện ỏp cấp cho dõy đốt vỡ cấu tạo của cảm biến khụng bao gồm dõy cảm biến nhiệt điện trở. Bởi vậy muốn chế tạo thiết bị cảm biến sử dụng điện cực này cần phải đo
111
nhiệt độ cấp bởi dõy đốt giỏn tiếp qua việc chuẩn húa điện trở của cảm biến. Sự phụ của cụng suất làm việc của cảm biến theo nhiệt độ lũ vi nhiệt được thể hiện trờn Hỡnh 4.9d.
Điện cực thương phẩm được phủ một lớp Au khoảng 5 nm làm lớp xỳc tỏc cho quỏ trỡnh mọc dõy nano bằng phương phỏp phỳn xạ. Sau đú sử dụng điện cực này mọc trực tiếp dõy nano SnO2 bằng phương phỏp bốc bay nhiệt ở nhiệt độ 750 oC trong 30 phỳt sử dụng vật liệu nguồn là bột Sn. Quy trỡnh chế tạo tương tự như được trỡnh bày ở mục 2.2.2. Tiếp theo lấy điện cực đem đi biến tớnh bề mặt bằng hạt nano Pd sử dụng phương phỏp khử trực tiếp theo quy trỡnh như trờn và tiến hành ủ ở 600 oC trong 2 giờ. Sau đú, chỳng tụi tiến hành hàn dõy và đúng gúi cảm biến (Hỡnh 4.9c), cuối cựng đem đi khảo sỏt cỏc hỡnh thỏi, cấu trỳc của vật liệu cũng như tớnh chất nhạy khớ CO.