Cảm biến khớ trờn cơ sở vật liệu oxit kim loại bỏn dẫn lần đầu được chế tạo vào năm 1962 bởi nhúm nghiờn cứu của Seiyama [133]. Kể từ đú đến nay, những nghiờn cứu về cảm biến khớ luụn thu hỳt được sự quan tõm của cỏc nhà khoa học trờn toàn thế giới. Trong số cỏc cụng trỡnh nghiờn cứu về vật liệu oxit kim loại bỏn dẫn một chiều ứng dụng trong cảm biến khớ được cụng bố từ năm 2002 đến nay thỡ SnO2 chiếm 32 %, ZnO-32 %, In2O3- 10 %, TiO2-8 %, WO3-5 %, cũn lại là Fe2O3, Ga2O3, CuO, NiO và V2O5 [75]. Cảm biến khớ trờn cơ sở dõy nano cú nhiều tớnh chất vượt trội so với cảm biến truyền thống trờn cơ sở màng dày [140]: (i) Độ đỏp ứng khớ cao, thời gian đỏp ứng ngắn do kớch thước dõy nhỏ và tỷ số diện tớch bề mặt trờn thể tớch lớn. Chớnh vỡ những lý do trờn mà cảm biến cú thể phỏt
10
hiện khớ ở nồng độ thấp. Lieber và cộng sự [157] đó chế tạo cảm biến trờn cơ sở đơn sợi polymer nhạy hơi ẩm với thời gian đỏp ứng là 30 mili giõy và cú thể phỏt hiện NO2 cũng như NH3 ở nồng độ nhỏ (ppb); (ii) Độ chọn lọc và độ ổn định cao hơn [113]; (iii) Khối lượng nhỏ, tiờu thụ năng lượng ớt và cú thể kết nối khụng dõy [33]; (iv) Hoạt động ở nhiệt độ thấp [58,81]. Bờn cạnh những ưu điểm của vật liệu dõy nano oxit kim loại bỏn dẫn ứng dụng trong chế tạo cảm biến khớ kể trờn thỡ vẫn cũn một số hạn chế nhất định như độ ổn định và độ chọn lọc kộm, ảnh hưởng nhiều bởi cỏc yếu tố của mụi trường làm việc như nhiệt độ cũng như độ ẩm, v.v.