Trong chương này tỏc giả đó thành cụng trong việc chế tạo dõy nano SnO2 bằng phương phỏp bốc bay nhiệt ở nhiệt độ 700-800 oC sử dụng vật liệu nguồn là bột Sn và ở nhiệt độ 920-980 oC sử dụng dụng bột SnO. Cỏc quy trỡnh này cú nhiều ưu điểm như đơn giản, dễ chế tạo, độ lặp lại cao và cú thể điều khiển chiều dài và đường kớnh dõy nano. Một ưu điểm nổi bật trong quy trỡnh chế tạo dõy nano của chỳng tụi là khụng cần sử dụng khớ mang nờn vật liệu cú thể mọc ở cả hai phớa của vật liệu nguồn với chất lượng tương đối đồng đều. Đặc biệt là quy trỡnh này dễ dàng lặp lại trờn cỏc hệ bốc bay nhiệt khỏc nhau. Ngoài ra, chỳng tụi đó tiến hành khảo sỏt hỡnh thỏi, cấu trỳc của vật liệu bằng cỏc kỹ thuật như XRD, FE-SEM, TEM, phổ huỳnh quang, … Cỏc kết quả chỉ ra rằng dõy nano chế tạo được là đơn tinh thể với cấu trỳc pha Rutile, đường kớnh trung bỡnh của dõy nano khoảng 80-150 nm và chiều dài cú thể lờn tới hàng trăm micro một.
Đó khảo sỏt một số yếu tố ảnh hưởng đến quỏ trỡnh chế tạo dõy nano SnO2 bằng phương phỏp bốc bay nhiệt như tốc độ nõng nhiệt, thời gian mọc và chiều dày lớp xỳc tỏc. Trờn cơ sở cỏc kết quả khảo sỏt, chỳng tụi tỡm ra được cỏc điều kiện cụng nghệ tối ưu cho quy trỡnh chế tạo dõy nano là tốc độ nõng nhiệt là 30 độ/phỳt, chiều dày lớp xỳc tỏc Au là 5 nm. Đối với thời gian mọc thỡ tựy theo định hướng ứng dụng khỏc nhau sẽ điều chỉnh sao cho phự hợp nhất.
Đó chế tạo thành cụng cảm biến khớ trờn cơ sở dõy nano SnO2 bằng 4 phương phỏp là cạo phủ, nhỏ phủ, mọc trực tiếp lờn điện cực kiểu bắc cầu và mạng lưới cũng như khảo sỏt tớnh chất nhạy khớ NO2 của cảm biến. Trong đú phương phỏp chế tạo bằng cỏch mọc trực tiếp dõy nano lờn điện cực kiểu bắc cầu và kiểu mạng lưới cú độ đỏp ứng khớ được cải thiện đỏng kể, đõy là một phỏt hiện cú ý nghĩa quan trọng của luận ỏn.
72
CHƯƠNG 3:
CẢM BIẾN KHÍ CO2 TRấN CƠ SỞ DÂY NANO SnO2 BIẾN TÍNH LaOCl
3.1. Mở đầu