Ứng suất nén được tính theo cơng thức sau:
( ) 1 2 C f R C S C C C S S E T T E t E t (2.27) 2.5.2.3 Độ bám dính
Sự bám dính của lớp phủ với vật liệu nền là một trong những yếu tố quan trọng được nhiều nhà khoa học nghiên cứu. Độ bám dính của lớp phủ bao gồm độ bền bám dính giữa lớp phủ với nền và giữa các phần tử bên trong lớp phủ. Trong đĩ, độ bám dính của lớp phủ với nền (liên kết bền chặt) là yếu tố đựợc chú trọng bởi chúng thường khác nhau về vật liệu, trạng thái, tính chất vật lý, hĩa học,... Các liên kết tạo thành lớp phủ chủ yếu là liên kết cơ học, chúng được quyết định bởi mức độ va đập của hạt phun đối với nền [73]. Nhiều nghiên cứu cho thấy nhiệt độ hạt phun và độ nhấp nhơ (độ nhám) của bề mặt chi tiết phun là hai thơng số tạo điều kiện để sự bám dính lớp phủ được tốt nhất. Khi động năng của hạt càng lớn, hạt phun bị nĩng chảy cục bộ hoặc tồn phần khi va đập sẽ bị biến dạng mạnh hơn, tăng diện tích tiếp xúc và tăng bám dính cơ học cũng như lực hấp dẫn giữa các lớp nguyên tử hai kim loại. Đối với nhĩm hạt phun khơng bị nĩng chảy hoặc đã bị nguội, khi đến bề mặt chúng chỉ cĩ sự bám dính hồn tồn bằng lực cơ học. Tốc độ va đập càng cao, năng lượng chuyển thành nhiệt năng càng lớn, vật liệu phun dễ bị nĩng chảy hoặc chuyển thành trạng thái dẻo, hạt dễ biến dạng và bám lên bề mặt chi tiết phun [74]. Đây chính là ưu điểm của phương pháp phun HVOF bởi vận tốc hạt cao, điều này giải thích tại sao lớp phủ HVOF thường cĩ độ bền bám dính lớn hơn các phương pháp phun thơng dụng khác, kể cả trường hợp phun cùng vật liệu.
51
Ngồi ra, theo nghiên cứu của tác giả D. Sen và các cộng sự [75] để đạt được độ bám dính tốt nhất giữa vật liệu phủ là WC-12Co và nền là thép cacbon trung bình thì độ nhám bề mặt chi tiết (sau phun hạt Al2O3) nền cần phải đạt 4 µm.
2.6 Nhiễu xạ tia X và ứng dụng đo ứng suất dư 2.6.1 Định luật Bragg và điều kiện nhiễu xạ
Khi chiếu tia X cĩ bước sĩng (10-4
– 102
0
) tương ứng với khoảng cách giữa các mặt phẳng nguyên tử vào vật rắn tinh thể sẽ xuất hiện các tia nhiễu xạ với cường độ và các phương khác nhau, các phương nhiễu xạ phụ thuộc vào bước sĩng của bức xạ tới và bản chất của mẫu tinh thể. Định luật Bragg thiết lập mối quan hệ giữa bước sĩng tia X và khoảng cách giữa các mặt nguyên tử (Hình 2.18).