Thời gian Công suất P (%)
5 phút đầu 30
10 phút tiếp theo 50
5 phút cuối 30
Sau khi phá mẫu, chuẩn bị các dung dịch chuẩn Se có nồng độ lần lượt là 10ppb, 25ppb, 50ppb, 100ppb, 200ppb. Tiến hành đo và thu được một đường chuẩn của Se tổng. Sau đó tiến hành đo song song trên mẫu trắng và mẫu thực trên máy ICP-MS.
Quy trình phân tích dạng Se
Phân tích mẫu: Rã đơng mẫu đến nhiệt độ phịng. Dùng xilanh 1 mL có chia
vạch 100 μL bơm thể tích mẫu đúng 100 μL vào van bơm mẫu của thiết bị HPLC. Tiến hành quy trình phân tích mẫu trên hệ HPLC-ICP-MS theo trình tự vận hành và trình tự phân tích của thiết bị. Thời gian cho mỗi phép tách sắc ký trên HPLC là 25 phút. Sắc đồ chất phân tích được hiển thị trên phần mềm ELAN 6.0 trong suốt thời gian phép tách sắc ký diễn ra. Dựng sắc đồ đường chuẩn 4 dạng Se có sử dụng nội chuẩn Se(VI) của Merck ở dải nồng độ 25ppb, 50ppb, 100ppb, 200ppb, 300ppb, 400ppb, 500ppb bằng phần mềm Xcalibur ver2.1 (Thermo Scientific, Mỹ). Nhập sắc đồ của mẫu cùng với đường chuẩn có nội chuẩn để định tính (thời gian lưu) và định lượng (nồng độ) các dạng Se có trong mẫu nghiên cứu.
38
CHƯƠNG 3. KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 3.1. Tách và xác định các dạng selen 3.1. Tách và xác định các dạng selen
3.1.1. Tối ưu các điều kiện phân tích Se bằng ICP-MS
Trong nghiên cứu này, ICP-MS được sử dụng như một detector của hệ HPLC. Do đó, các điều kiện đo, xác định Se bằng ICP-MS được tối ưu hóa nhằm mục đích đạt được độ nhạy cao nhất và chọn lọc nhất cho phép đo nói riêng và phép phân tích nói chung. Trong nghiên cứu này các điều kiện làm việc của ICP-MS nói chung được chuẩn hóa bằng cách sử dụng dung dịch chuẩn máy của hãng đi kèm với thiết bị phân tích (Perkin Elmer ELAN9000). ICP-MS được chuẩn và kiểm tra độ nhạy trước khi phân tích. Dung dịch để kiểm tra độ nhạy của thiết bị gồm Be, Co, In và U với nồng độ 10 ppb (Perkin Elmer No N8125031). Bên cạnh đó, các điều kiện đo tối ưu cho nguyến tố cần phân tích, cụ thể trong nghiên cứu này là Se, được khả sát và tối ưu. Có rất nhiều yếu tố ảnh hưởng tới tín hiệu phân tích trong phép đo ICP-MS, ví dụ như vị trí nguồn ion hóa (torch position), nhiệt độ nguồn ion hóa, tốc độ dẫn mẫu…. Trong các điều kiện của đo của ICP-MS, 3 thông số quan trọng là công suất nguồn cao tần cảm ứng plasma (RF power), tốc độ khí Ar tạo sol khí (nebulizer gas flow) và thế của thấu kính hội tụ ion (lens voltage). Do đó, ba thơng số này được khảo sát, đánh giá và chọn giá trị tối ưu nhằm đạt được tín hiệu phân tích cao nhất cho phép đo. Dung dịch chuản 200 ppb của Se (VI) được chuẩn bị bằng cách pha loãng dung dịch chuẩn gốc (1000 ppm, Merck, Sigapore) trong dung dịch HNO3 2%. Dung dịch này được sử dụng để tối ưu hóa ba thơng số đề cập ở trên bằng phương pháp bơm mẫu trực tiếp vào hệ ICP-MS.
3.1.1.1. Công suất nguồn cao tần cảm ứng plasma
Công suất của nguồn cao tần cảm ứng plasma có liên qua trực tiếp tới nhiệt độ và cân bằng ion hóa trong plasma. Trong nghiên cứu này, khoảng công suất của nguồn ICP-MS được khảo sát từ 900 – 1450 W. Cường độ tín hiệu của 78Se+ và 82Se+ thu được biểu diễn theo công suất của nguồn ICP-MS được biểu diễn trong hình 3.1 và bảng 3.1.