- Độ dẫn điện của môi trƣờng: Độ dày của lớp điện tích kép phụ thuộc vào loại, nồng độ của các ion trong dung dịch và có thể đƣợc tính từ độ ion hóa của mơi trƣờng. Độ ion hóa càng cao, càng nén các lớp điện tích kép. Hóa trị của các ion cũng ảnh hƣởng đến độ dày của lớp điện tích kép. Ion hóa trị 3 sẽ nén lớp điện tích kép mạnh hơn so với ion hóa trị 2 và hóa trị 1, hệ càng kém ổn định.
- Nồng độ của các cấu tử hợp phần trong hệ: Tác động của nồng độ các cấu tử hợp phần trong hệ cũng nhƣ ảnh hƣởng của các tạp chất đến thế zeta rất phức tạp, phụ thuộc vào đặc trƣng cụ thể của từng hệ và chỉ xác định bằng thực nghiệm để có
2.2.13. Phương pháp xác định hiệu quả đóng gói
Các hạt nano chitosan/DNA tạo ra đƣợc bảo quản - 4oC cho đến khi sử dụng. Khả năng mang plasmid DNA đƣợc xác định bằng cách ly tâm dung dịch 12000 v/ph trong 30 phút. Phân tích DNA dịch nổi trên máy nanodrop ở bƣớc sóng 260 nm. Theo Mao và cs (2001) khả năng đóng gói đƣợc tính bằng cách đo sự khác biệt giữa DNA thêm vào dung dịch và số lƣợng DNA còn lại trong dịch nổi.
CHƢƠNG 3: KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN
3.1. Thiết kế vector pcDNA3.1(+) mang đoạn gen mã hóa cho epitope của telomerase reverse transcriptase (hTERT) telomerase reverse transcriptase (hTERT)
3.1.1. Tổng hợp đoạn gen hTERT
Tổng hợp gen nhân tạo là một phƣơng pháp đƣợc sử dụng để tạo ra các đoạn DNA mong muốn đƣợc sử dụng rất rộng dãi hiện nay. Đoạn DNA đƣợc thiết kế là đoạn gen chứa trình tự epitope GV1001 của hTERT (gọi tắt là đoạn gen hTERT).
Đoạn gen bao gồm 2 trình tự oligonucleotit nhƣ sau:
F: 5’-ATCCATGGCGTCGCAAGTCAGGCCCGCCCTGCTGACGTCCAGACTC CGCTTCATCCCCAAGCTCGAGCATCATCATCATCATCATTAAT-3'
R: 5’-CTAGATTAATGATGATGATGATGATGCTCGAGCTTGGGGATGAAGCG GAGTCTGGACGTCAGCAGGGCGGGCCTGGCTTCGCACGCCATG-3’
Sau khi tạo đƣợc đoạn gen hTERT nhƣ trình bày ở mục 2.2.1, đoạn gen hồn chỉnh có cấu trúc nhƣ hình 3.1.
GATCCATGGCGTCGCAAGTC………………………TAAT
GTACCGCAGCGTTC..................................................AGATC