CHƢƠNG 3 : KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN
3.2. Đặc trƣng hình thái học của vật liệu GO và G khử nhiệt
3.2.1. Phương pháp nhiễu xạ ti aX (XRD)
Hình 3.6. Phổ XRD của GO và G sau khi tổng hợp.
Hình (3.6B) cho thấy các phổ nhiễu xạ tia X của graphit, GO và G. Graphit nguyên liệu với pic đặc trưng cường độ cao và sắc nét ở 26,5o, tương ứng với khoảng cách các lớp là 0,336 nm [32, 47, 63]. Sau q trình oxi hóa, ta thấy pic đặc trưng của graphit ở 26.5o hầu như khơng cịn và thay vào đó là sự xuất hiện của pic ở 11,2o đặc trưng cho vật liệu GO [48]. Điều này chứng tỏ các nhóm chức có chứa oxi đã được hình thành chèn vào khoảng khơng gian giữa các lớp graphit, làm cho khoảng cách giữa các lớp tăng lên khoảng 0,782 nm [29, 30] và 1,2 nm cho mẫu ngậm nước tính theo cơng thức Bragg [73] dẫn tới sự chuyển dịch về giá trị nhỏ hơn (từ 26,5o xuống 11,2o) [67, 77]. Đồng thời, sự tồn tại của pic với cường độ nhỏ ở 25,8o và 8,8o chứng tỏ trong GO vẫn còn một lượng nhỏ cấu trúc graphit, chỉ khác nhau là khoảng cách giữa các lớp đã tăng lên. Đối với GOVS quá trình sử dụng tác nhân nhiệt cao trong thời gian ngắn làm các gốc -OH và H2O sẽ bị khử và bay hơi nhanh chóng tạo ra lượng khí lớn đẩy các lớp GO ra xa, làm cho lực liên kết của chúng yếu đi qua đo cũng làm khoảng cách của các lớp GO tăng lên [38], do vậy pic đặc trưng vẫn nằm ở khoảng 11otuy nhiên cường độ pic đã giảm cũng như độ rộng chân pic đã tăng hơn nhiều so với GO trước vi sóng. Sau quá trình khử GO bằng nhiệt ở 600 oC để loại bỏ các nhóm chức trên bề mặt chúng ta thấy đỉnh phổ đặc trưng của GO ở 11o có sự giảm dần và thay vào đó là sự chuyển dịch đỉnh phổ
về 25,8o đặc trưng cho vật liệu G. Ta nhận thấy ở pic đặc trưng ở G [12, 30, 26] có sự giảm về độ cao cũng như không được sắc nét so với vật liệu graphit ban đầu điều này là do G tổng hợp được có những khuyết tật so với graphit ban đầu [6].