CHƯƠNG 1 : TỔNG QUAN ĐỀ TÀI
2.8 Các kỹ thuật sử dụng trong thiết kế vật lý
2.8.1 Kỹ thuật xen kẽ
Hình 2.48 Kỹ thuật xen kẽ
Kỹ thuật xen kẽ được sử dụng để làm cho các thiết bị tương đồng với nhau khi chịu sự tác động của những yếu tố gradient( độ dày lớp oxide, nhiệt đô,..). Kỹ thuật sắp xếp này có thể loại bỏ các yếu tố linear gradient(tác động theo đường thẳng) khi cân bằng các tác động lên những thiết bị khác nhau.
Người hướng dẫn: TS. Võ Tuấn Minh SVT
H
2.8.2 Kỹ thuật đối xứng qua tâm
Hình 2.49 Kỹ thuật đối xứng qua tâm
Kỹ thuật đối xứng qua tâm cũng được sử dụng để tạo ra sự tương đồng giữa những thiết bị với nhau, và có thể loại bỏ được các yếu tố linear và non- linear gradient(tác động không theo đường thẳng). Do đó những tác động bên ngoài sẽ ảnh hưởng đồng đều hơn. Tuy nhiên nhược điểm là khó đi dây và kết nối cổng poly.
2.8.3 Kỹ thuật che chắn
Hình 2.50 Kỹ thuật che chắn
Khi đi dây kim loại, có rất nhiều các đường tín hiệu trong một mạch, những tín hiệu này tạo ra tụ kí sinh, ví dụ CLK và Sin.Tụ kí sinh làm cho tín hiệu Sin bị nhiễu khi CLK thay đổi. Do đó cần 1 đường dây che chắn những tín hiệu này lại nhằm bảo vệ chúng khỏi nhiễu.
Người hướng dẫn: TS. Võ Tuấn Minh SVT
H
Mạch truyền tín hiệu vi sai điện áp thấp sử dụng công nghệ FinFET
2.8.4 Kỹ thuât sử dụng thiết bị giả
Hình 2.51 Thiết bị giả
Thiết bị giả được sử dụng để tránh các hiệu ứng không lý tưởng trong quá trình chế tạo. Đặt dummy 2 bên nhằm làm giảm các tác nhân xấu ảnh hưởng đến các thiết bị chính, gây sai lệch về hoạt động, hiệu suất của mạch.
2.8.5 Kỹ thuật sử dụng vòng bảo vệ
Hình 2.52 Vòng bảo vệ
Vòng bảo vệ đóng vai trò như một cực Bulk của thiết bị, nó còn được gọi là tap. P- tap được dùng cho NMOS, ngược lại N-tap được dùng cho PMOS. Vòng bảo vệ còn có thể loại bỏ nhiễu chất nền của các khối được đặt liền kề nhau bằng cách đặt nó vào giữa hai khối.