2.1.2. Quy trình chế tạo điện cực ZnO/FTO cấu trúc nano bằng phƣơng pháp phủ trải pháp phủ trải
Phân tán 1,0 g bột ZnO cấu trúc hạt nano (mua từ công ty Sigma- Aldrich) trong 1,0 ml dung dịch acid acetic pha loãng nồng độ 0,1 M bằng cách rung siêu âm trong khoảng thời gian 15 phút, ta đƣợc một hỗn hợp đồng nhất có dạng keo. Trong môi trƣờng dung dịch acid acetic, bề mặt ZnO bị ăn mòn để tạo thành dạng ZnAc2 hoạt động nhƣ yếu tố kết dính các hạt ZnO lân cận với nhau và tăng cƣờng khả năng bám dích với đế.
Hỗn hợp dạng keo chế tạo đƣợc ở trên đƣợc phủ trải một lớp lên trên đế điện cực FTO bởi phƣơng pháp Doctor blade, sau đó mẫu đƣợc xử lý nhiệt ở nhiệt độ 450oC với thời gian 2 giờ trong không khí để hình thành điện cực quang ZnO cấu trúc hạt nano.
2.1.3. Quy trình chế tạo điện cực CuInS2/ZnO bằng phƣơng pháp thủy nhiệt nhiệt
Hòa tan 0,1933 g Cu(NO3)2 với 50 ml nƣớc cất sử dụng máy khuấy từ trong thời gian 30 phút. Tiếp theo hòa tan 0,356 g In(NO3)2 với 50 ml nƣớc cất sử dụng máy khuấy từ trong thời gian 30 phút. Sau đó, trộn lẫn hai dung dịch trên mỗi dung dịch 1 ml với 18 ml nƣớc cất rồi cho thêm vào dung dịch này 0,01 g C2H5NS và tiếp tục khuấy từ trong thời gian 30 phút tạo
thành dung dịch đồng nhất gọi là dung dịch mọc thủy nhiệt.
Mẫu ZnO chế tạo ở trên đƣợc sử dụng nhƣ một cái đế cho bƣớc mọc thủy nhiệt. Quá trình mọc thủy nhiệt đƣợc tiến hành tại 90°C với thời gian mọc thay đổi 5 phút, 10 phút, 15 phút, và 30 phút. Sau khi mọc thủy nhiệt xong, mẫu đƣợc rửa sạch bằng nƣớc cất và cho vào lò sấy khô tại 60°C trong thời gian 30 phút. Kết quả là hình thành các cấu trúc 5pCuInS2/ZnO, 10pCuInS2/ZnO, 15pCuInS2/ZnO và 30pCuInS2/ZnO.