Hình 3.6 và 3.7 lần lượt thể hiện tính chất I-V của các cảm biến ZnO-H và Pt(2,5)/ZnO-H. Các đường cong I-V của các cảm biến dựa trên cấu trúc ZnO-H và Pt(2,5)/ZnO-H đều thể hiện tính chất tuyến tính, điều này cho thấy một tiếp xúc Ohmic thu được giữa các lớp nhạy và các điện cực Au tại tất cả các nhiệt độ làm việc đã khảo sát của cảm biến. Tính chất tuyến tính của mối quan hệ I-V của tất cả các mẫu còn lại cũng thu được theo cách đo tương tự.
Điện trở của các các cảm biến được tính toán từ các phép đo I-V tổng kết trên Hình 3.8. Kết quả thu được cho thấy điện trở của tất cả các mẫu giảm khi tăng nhiệt độ (ngoại trừ các mẫu hàm lượng Pt thấp). Mối quan hệ này cho thấy tính chất bán dẫn được thể hiện trong hầu hết tất cả các cấu trúc của lớp nhạy. Điện trở của các cảm biến Pt/ZnO-H hầu như cao hơn điện trở của mẫu ZnO-H tại tất cả các vùng nhiệt độ làm việc. Điều này chúng tôi cho rằng sự hình thành các hạt nano Pt trên ZnO làm gia tăng độ rộng vùng nghèo do sự hình thành tiếp xúc Schottky giữa Pt và ZnO cũng như tính chất xúc tác của các hạt nano Pt trong việc gia tăng sự hấp phụ của các ion oxy trong môi trường không khí khô. Ngoài ra, các cảm biến với hàm lượng Pt thấp thể hiện một sự tăng điện trở ban đầu đến giá trị cực đại tại nhiệt độ 170C, sau đó điện trở giảm khi nhiệt độ làm việc của cảm biến tăng lên. Hiện tượng này có thể liên quan đến sự cạnh tranh giữa tính chất xúc tác tốt của các hạt nano Pt có kích thước nhỏ và độ linh động của hạt tải điện tăng do pha tạp trong vùng nhiệt độ làm việc thấp của cảm biến.
Hình 3.6. Tính chất điện của cảm biến ZnO-H ở các nhiệt độ làm việc khác nhau.
Hình 3.7. Tính chất điện của cảm biến Pt (2,5)/ZnO-H ở các nhiệt độ làm việc khác nhau.
Hình 3.8. Sự thay đổi điện trở trong môi trường không khí khô của các cảm biến đã chế tạo theo nhiệt độ làm việc.