][ Pe Q n R
2.2.4. Phún xạ magnetron
Phún xạ magnetron (với cả nguồn một chiều và xoay chiều) đ−ợc sử dụng rất thông dụng để chế tạo các màng mỏng từ. Cấu hình của các hệ phún xạ nh− vậy chỉ đ−ợc cải tiến chút ít bằng cách đặt một đĩa nam châm ở phía sau (d−ới) bia vật liệu (hình 2.12). Từ tr−ờng của nam châm này có tác dụng bẫy các điện tử lại gần bia và làm tăng hiệu ứng ion hoá của chúng. Trong các cấu hình phún xạ không có nam châm, chỉ vài phần trăm nguyên tử khí trơ đ−ợc ion hoá. Trong cấu hình này, thành phần từ tr−ờng vuông góc với điện tr−ờng sẽ làm tăng quãng đ−ờng của các điện tử ion hoá. Vì nam châm đ−ợc đặt ở phía sau bia, từ tr−ờng bẫy các điện tử và ion ở gần bề mặt bia và tăng số lần va chạm giữa các điện tử và các nguyên tử khí. Do đó, các hệ phún xạ magnetron có các −u điểm nh−: tốc độ lắng đọng cao; sự bắn phá của các điện tử và ion trên màng giảm, làm giảm nhiệt độ đế và sự phóng điện phát sáng có thể đ−ợc duy trì ở áp suất phún xạ thấp hơn.
L−u ý rằng, trong tr−ờng hợp phún xạ các vật liệu từ, hiệu suất phún xạ giảm đi rất nhiều vì mật độ từ thông bên trong bia trở nên rất cao. Khi đó, ta phải dùng các bia càng mỏng càng tốt.
ảnh chụp một hệ phún xạ magnetron sử dụng cả nguồn một chiều và xoay chiều đã và đang vận hành tại Trung tâm Khoa học Vật liệu (ĐHQG Hà Nội) đ−ợc minh họa trên hình 2.13.
Ar Hút chân không S N S N S N Đế Giá đỡ đế mẫu Vùng ăn mòn Bia Nam châm
Hình 2.12. Sơ đồ nguyên lý hệ thống phún xạ magnetron
Hình 2.13. Hệ phún xạ magnetron sử dụng cả nguồn một chiều và nguồn xoay chiều tại Trung tâm Khoa học Vật liệu, ĐHQGHN