... hoá trị Dẫn điện Vùng chung • Đối với điệntử lớp bên trong, nhiễu loạn nguyên tử láng giềng gây yếu nên chúng liên kết mạnh với hạt nhân • Các điệntử lớp chịu ảnh hưởng lớn điệntử láng giềng ... phủ mức lượng lên • Với Si, lớp tạo thành điệntử p điệntử s Khi tinh thể tạo thành vùng mức 3p 3s tách chồng phủ lên nhau, hai điệntử 3s hai điệntử 3p tạo nên vùng đầy gọi vùng hóa trị, bốn ... Liên kết mạng Si • Liên kết cộng hoá trị sử dụng mạng • Nếu có kích thích lượng tạo ion dương điệntửtự • Số lượng điện tích nên không ứngdụngĐiệntử phân bố theo thống kê Fermi-Dirac với xác...
... hoá trị Dẫn điện Vùng chung • Đối với điệntử lớp bên trong, nhiễu loạn nguyên tử láng giềng gây yếu nên chúng liên kết mạnh với hạt nhân • Các điệntử lớp chịu ảnh hưởng lớn điệntử láng giềng ... phủ mức lượng lên • Với Si, lớp tạo thành điệntử p điệntử s Khi tinh thể tạo thành vùng mức 3p 3s tách chồng phủ lên nhau, hai điệntử 3s hai điệntử 3p tạo nên vùng đầy gọi vùng hóa trị, bốn ... Liên kết mạng Si • Liên kết cộng hoá trị sử dụng mạng • Nếu có kích thích lượng tạo ion dương điệntửtự • Số lượng điện tích nên không ứngdụngĐiệntử phân bố theo thống kê Fermi-Dirac với xác...
... hoá trị Dẫn điện Vùng chung • Đối với điệntử lớp bên trong, nhiễu loạn nguyên tử láng giềng gây yếu nên chúng liên kết mạnh với hạt nhân • Các điệntử lớp chịu ảnh hưởng lớn điệntử láng giềng ... phủ mức lượng lên • Với Si, lớp tạo thành điệntử p điệntử s Khi tinh thể tạo thành vùng mức 3p 3s tách chồng phủ lên nhau, hai điệntử 3s hai điệntử 3p tạo nên vùng đầy gọi vùng hóa trị, bốn ... Liên kết mạng Si • Liên kết cộng hoá trị sử dụng mạng • Nếu có kích thích lượng tạo ion dương điệntửtự • Số lượng điện tích nên không ứngdụngĐiệntử phân bố theo thống kê Fermi-Dirac với xác...
... hoá trị Dẫn điện Vùng chung • Đối với điệntử lớp bên trong, nhiễu loạn nguyên tử láng giềng gây yếu nên chúng liên kết mạnh với hạt nhân • Các điệntử lớp chịu ảnh hưởng lớn điệntử láng giềng ... phủ mức lượng lên • Với Si, lớp tạo thành điệntử p điệntử s Khi tinh thể tạo thành vùng mức 3p 3s tách chồng phủ lên nhau, hai điệntử 3s hai điệntử 3p tạo nên vùng đầy gọi vùng hóa trị, bốn ... Liên kết mạng Si • Liên kết cộng hoá trị sử dụng mạng • Nếu có kích thích lượng tạo ion dương điệntửtự • Số lượng điện tích nên không ứngdụngĐiệntử phân bố theo thống kê Fermi-Dirac với xác...
... 11 1 98 Hình 4 .19 Đồ thị biểu thị phụ thuộc hệ số giãn nở nhiệt vào hàm lượng MWCNT 11 2 99 Hình 4.20 Ảnh hưởng hàm lượng MWCNT tới điện trở suất vật liệu 11 3 10 0 Hình 4. 21 Công suất chíp LED 11 4 ... độ cứng vật liệu 10 5 4.2.2.3 Hệ số ma sát 10 7 4.2.2.4 Tính chất nhiệt điện 11 1 4.3 Thử nghiệm vật liệu compozit MWCNT/Cu cho ứngdụng tản nhiệt LED 11 3 4.3 .1 LED ... khoảng nhiệt độ phòng 12 Hình 1. 9 Hệ số dãn nở nhiệt SWCNT (5,5), (9.0) theo nhiệt độ hướng khảo sát khác 13 10 Hình 1. 10 Cấu trúc vùng lượng graphen đơn lớp 14 11 Hình 1. 11 Hàm phân bố lượng a)...
... sơ đồ hình 1. 17 Hình 1. 17 Các phương pháp chế tạo compozit CNT/kim loại 1. 3.2 Các tính chất vật liệu 1. 3.3 Các ứngdụng vật liệu Vật liệu compozit thông thường có chứa sợi cácbon ứngdụng rộng ... hiệu S0.5, S1, S1.5, S2 tương ứng với mẫu bột P0.5, P1, P1.5, P2 Hình 3 .17 Ảnh SEM mẫu compozit MWCNT/Al với tỷ lể gia cường khác Hình 3 .18 Phổ tán xạ raman mẫu vât liệu MWCNT, P1 S1 Từ kết ta ... Trinh, P.V et al Physics of the Solid State 57(2 015 )11 85 -11 91 Trinh, P V., Luan, N V., Minh, P N., Phuong, D D Powder Metallurgy Progress, 15 (2 015 )253 -2 61 Phuong, D D;Trinh,P V.; An, N V.; Luan, N...
... 36 SW1A = Pos SW1B = +5V SW1C = +12 V SW1D = +15 V SW1F = 10 -50V SW1G= 50-200V SW1H = 60-300V MDA2B PL6 PL5 MD29 SW1A SW1B SW1C SW1D RV1 SW1F SW1G SW1H LK1 (Lựa chọn) TB1 PL3 R10 R 11 +10 V -10 V Tốc ... Độ PL4 R12 TB2 10 11 TB4 TB3 Dòng điện 21 F1 (Stop) 31 ENABLE 12 DA 21 22 F2 (IR) 32 RESET 13 DA22 23 F3 (IF) 33 +24V DA23 F7 34 35 36 37 Cực ST3 24 25 26 27 F4 (RR) GP4 14 15 16 17 Nhiệt 18 ST4 ... (1- 16) L L L R R R R u k ba u (1- 17) k L ba L L W2 W1 (1- 18) R ba R R W2 W1 (1- 19) a b c U2a U2b U2c E L + T1 T2 T3 R T1 T2 T3 R Id Hình 1. 5 : Sơ đồ nối dây sơ đồ thay chỉnh l-u tia pha 1. 2 .1. 1...
... 626 626 6 31 6 31 6 31 6 31 30 30 30 30 0 0 0 18 3 1. 500 18 3 15 00 0 18 0 1. 467 18 0 1. 467 0 - Lý thay đổi (nếu có): Các văn hành trình thực đề tài/dự án: (Liệt kê định, văn quan quản lý từcông đoạn ... 6 -12 Bảng Ảnh hưởng số ion kim loại lên hoạt tính lipaza từ chủng P pastoris LP4.28 Hoạt tính lipaza Ion kim loại (1mM) (10 mM) Mẫu đối chứng 10 0 10 0 Zn2+ 10 6 67 K+ 12 0 91 Fe2+ 71 98 Mn2+ 12 5 10 2 ... tinh Dịch enzym thô 420000 310 13 54,8 10 0 Enzym sau tủa 212 394 10 4, 51 2032,2 50,57 1, 5 26880 1, 19 22489,68 6,4 16 ,6 phân đoạn (NH4)2SO4 5070% Dịch enzym qua cột Sephadex G100 Như vậy, tinh kết tủa...
... 0 ,14 10 Ti (K) 30 ,17 13 ,85 24 ,18 14 ,37 5,85 11 ,44 11 Fe (K) 1, 54 12 ,53 0,63 4,54 12 Br (L) 0,80 0,23 13 Ru (L) 4,28 4,89 5,42 0,97 0,98 1, 09 14 Ir (M) 8,46 1, 00 15 Sn (L) 0,58 0,87 0 ,10 0 ,15 16 ... (K) 14 , 01 11, 38 11 ,56 26, 61 19 ,18 18 ,49 O (K) 38,49 52,73 55 ,11 54,89 66,69 67 ,17 Na (K) 0,45 0,60 0,44 0,53 Si (K) 0,66 1, 23 0,84 0,53 0,88 0,60 K (K) 0,22 0,30 0 ,13 0 ,15 Ca (K) 0,20 0 ,12 Al ... .2 1.1 CÁC LO I ðI N C C TRƠ TRONGCÔNG NGH ðI N HÓA 1.1 .1 Khái ni m v ñi n c c .2 1. 1.2 An t trơ công ngh ñi n hóa 1. 1.3 Phân lo i an t trơ 1. 1.3 .1 Lo i a...
... stato n1 Ta có : s= Hay tính theo phần trăm: n1 −n n1 S oo = (1- 12) (1- 13) n1 − n 10 0 o o n1 Xét mặt lý thuyết giá trò S biến thiên từ đến từ đến 10 0 o/o 60 f p (1- 14) n = n1 (1 − s ) n1 = Trong ... nhận công suất đưa vào gọi công suất điệntừ Pđt = M 1 = M 2πn1 60 (1- 3) Khi công suất điện đưa vào: P1 = 3.U I cosϕ (1- 4) Trang 18 GVHD: NGUYỄN DƯ XỨNG Đồ Án Tốt Nghiệp Ngoài thành phần công ... ng =2 n1Y (3 -18 ) * nối (3 -18 a) Ud U1 = r '2 StY = r1 MtY = + n x (3 -19 ) 3U 12 2n1Y ( r1 + r1 + n ) x 9,5 PY = 3.U1.Iđm.cosϕ Yη Y Trang (3-20) 40 GVHD: NGUYỄN DƯ XỨNG Đồ Án Tốt Nghiệp (3- 21) * Khi...