phương pháp lắng đọng do trọng lực 1

... cường SERS 10 1.3.1.1 Cơ chế điện tử 11 1.3.1.2 Cơ chế tăng cường hóa học 15 1.3.2 Các loại đế SERS 18 1.3.3 Hệ số tăng cường SERS 20 1.3.4 Các ứng dụng của SERS 21 1.3.4.1 Ứng dụng ... TẠO ĐẾ SERS 2.1.1 Phương pháp lắng đọng hóa học Phương pháp lắng đọng hóa học (CSD) là một phương pháp khử các muối để tạo ra các ion kim loại lắng đọng trên bề mặt đế Phương pháp này sử dụng ... bằng phương pháp lắng đọng hóa học 37 3.1.1.1 Vật liệu ban đầu, hóa chất - thiết bị dụng cụ 37 3.1.1.2 Mô tả các bước của quy trình 38 3.1.2 Chế tạo các hạt nano bạc bằng phương pháp lắng đọng

Ngày tải lên: 16/07/2018, 17:55

... mA/cm2 5,142 ppb 4,03 x 107 0,05 mA/cm2 1,936 ppb 1,04 x 108 0,1 mA/cm2 1,332 ppb 1,19 x 108 0,2 mA/cm2 0,936 ppb 1,34 x 108 0,4 mA/cm2 1.133 ppb 1,23 x 108 0,8 mA/cm2 1,836 ppb 1,01 x 108 Việc ... hiệu 1366 cm-1 đóng góp từ co giãn N-C; tín hiệu 1394 cm -1 đến từ dịch chuyển phẳng C-C C-H (của chất thơm) tín hiệu 1617 cm-1 N-C (liên kết φ) co giãn C-C Tuy nhiên tín hiệu 795, 914, 1171 cm-1 ... nano Ag phủ đế Si chế tạo phương pháp lắng đọng điện hóa dung dịch HF/AgNO3 = 0.14 M /0.1 mM, với thời gian lắng đọng phút, mật độ dòng điện lắng đọng (a); 0,05 (b); 0,1 (c); 0,2 (d); 0,4 (e) 0,8

Ngày tải lên: 07/03/2019, 14:28

... 1.3 Một số phương pháp chế tạo vật liệu graphene 1.3.1 Phương pháp tách học 1.3.2 Phương pháp Epitaxi nhiệt 1.3.3 Phương pháp tách hóa học 1.3.4 Phương pháp ... pha lỏng 1.3.5 Phương pháp lắng đọng pha hóa học (CVD) 10 1.4 Một số ứng dụng vật liệu graphene 12 CHƯƠNG 2: PHƯƠNG PHÁP THỰC NGHIỆM 14 2.1 Lựa chọn phương pháp, thiết bị ... Bảng 1: Vị trí đỉnh phổ D, G, 2D; tỷ lệ cường độ I2D/IG ID/IG Mẫu vị C V D V ị 31 31 51 72 ,0 , ,0 31 51 72 ,1 51 72 ,0 ,0 3 C V D p T T Số ỷ ỷ són l l g ệ ệ Dc c ư1 ư0 51 72 ,0 ,0 ,- ,- 51 51 31

Ngày tải lên: 19/03/2019, 11:14

... 0,33 0,19 c - - - - - d 1367,0 1582,1 2717,0 1,64 0,08 e 1368,0 1582,0 2752,9 0,31 0,21 a 1368,4 1582,3 2729,8 0,60 0,06 b 1369,5 1582,5 2726,3 1,67 0,05 c - 1582,1 2725,5 0,61 0,0 d - 1582,6 ... 1.3 Một số phương pháp chế tạo vật liệu graphene 1.3.1 Phương pháp tách học 1.3.2 Phương pháp Epitaxi nhiệt 1.3.3 Phương pháp tách hóa học 1.3.4 Phương pháp ... pha lỏng 1.3.5 Phương pháp lắng đọng pha hóa học (CVD) 10 1.4 Một số ứng dụng vật liệu graphene 12 CHƯƠNG 2: PHƯƠNG PHÁP THỰC NGHIỆM 14 2.1 Lựa chọn phương pháp, thiết bị

Ngày tải lên: 30/03/2019, 07:37

... NGHIÊN CỨU 12 2.1 Quá trình chế tạo vật liệu 12 2.1.1 Giới thiệu máy sử dụng trình thực nghiệm 12 2.1.1.1 Giới thiệu máy PECVD 12 2.1.1.2 Máy quang khắc .12 2.1.2 Quá ... .1 CHƢƠNG I: TỔNG QUAN .3 1.1 Giới thiệu tổng quan màng mỏng Si3N4, SiO2 màng treo Si3N4 .3 1.1.1 Màng mỏng Si3N4 1.1.2 Màng mỏng SiO2 .4 1.1.3 Màng treo ... lƣợng liên kết N 1s .41 Hình 3.6 (a) Độ dày mẫu đƣợc xác định phép đo alpha-step với mẫu lắng đọng thời gian 15 phút với độ dày 103,0 nm (b) Tốc độ lắng đọng màng Si3N4 nhiệt độ 317 ℃, áp suất

Ngày tải lên: 16/02/2020, 14:19

... 1000 1200 1400 1600 -1 Raman Shift (cm ) 1800 1000 1200 1400 1600 -1 Raman Shift (cm ) 1800 2.3 Phương pháp dùng laser (LA - Laser Ablation) Phương pháp phát minh nhóm Rick Smalley vào năm 1995 ... HNO3 (100%) với thời gian phút; sau rửa 1200 1400 1600 -1 Raman Shift (cm ) 1800 1000 1200 1400 1600 1800 -1 Raman Shift (cm ) Hình 4.43: Phổ Raman CNTs tổng hợp mẫu Al/Ni (1 nm), tỷ số G/D = 1.099(trái) ... Ar:H2 200:100 sccm Tạo màng xúc tác Fe lớp Al/silicon :Phủ màng đa lớp Fe/Al/silicon phún xạ 1000 1200 1400 1600 1800 -1 Raman Shift (cm ) 1000 1200 1400 1600 -1 Raman Shift (cm ) 1800 1000 Sau

Ngày tải lên: 07/03/2020, 18:46

... 10 1.3.1 Khái niệm 10 1.3.2 Một số đặc trưng quan trọng 10 1.3.3 Ứng dụng 12 1.4 Giới thiệu vật liệu từ hai pha cứng/mềm 12 CHƢƠNG 2: CÁC PHƢƠNG PHÁP ... 1.1.2 Màng mỏng từ tính 1.2 Vật liệu từ cứng 1.2.1 Khái niệm 1.2.2 Một số đặc trưng quan trọng 1.2.3 Ứng dụng 10 1.3 Vật ... NGHIỆM 14 2.1 Phƣơng pháp lắng đọng điện hóa 14 2.2 Phƣơng pháp Vol – Ampe vòng (CV) 15 2.3 Hiển vi điện tử quét (SEM) 17 2.4 Phổ tán sắc lƣợng (EDX) 19 2.5

Ngày tải lên: 15/09/2020, 15:31

... graphene[18] 10 Hình 1.13: Cấu trúc lượng CNTs kim loại [18] 11 Hình 1.14: Cấu trúc lượng CNTs bán dẫn [18] 12 Hình 1.15: Năng lượng vùng cấm giảm theo đường kính ống[18] 12 ... mẫu Al/Ni (3 nm) 1000 1200 1400 1600 1800 -1 Raman Shift (cm ) Hình 4.45: Phổ Raman CNTs tổng hợp mẫu Al/Ni (1 nm), tỷ số G/D = 1.099 Intensity (cnt.) 77 1000 1200 1400 1600 1800 -1 Raman Shift ... 19 Chương CÁC PHƯƠNG PHÁP TỔNG HỢP ỐNG NANO CARBON 21 2.1 Tổng quát phương pháp tổng hợp ống nano carbon 21 2.1.1 Các phương pháp tổng hợp ống nano carbon 21 2.1.2 Cơ chế phát triển

Ngày tải lên: 29/09/2020, 23:21

... graphene vài lớp Và quan trọng họ đưa lớp mỏng graphene lên chất silicon sau sử dụng phương pháp quang để nhận biết graphene vài lớp 2 Chế tạo Graphene phương pháp lắng đọng pha hóa học: (Chemical ... (hình 1.1) Dạng thù hình thứ ba bon kim cương Trong tinh thể kim cương, nguyên tử bon nằm tâm hình tứ diện liên kết với bốn nguyên tử bon loại (hình 1.2) Hình 1.1 Cấu trúc graphit Hình 1.3 Cấu ... trung thực chưa công bố cơng trình khác Hà Nội, ngày 30 tháng 10 năm 2013 Tác giảBẰNG CHẾ TẠO VẬT LIỆU GRAPHENE PHƯƠNG PHÁP LẮNG ĐỌNG PHA HÓA HỌC Nguyễn Văn Tú BÀI KIỂM TRA GIỮA KÌ GVHD: PGS.TS

Ngày tải lên: 03/10/2020, 17:01

... I.1.2 Kim cương I.1.3 Fulơren (C60) 10 I.1.4 Ống nano Cacbon 11 I.2 Các phương pháp tổng hợp ống nano cacbon 16 I.2.1 Phương pháp phóng điện hồ quang 16 ... 16 I.2.2 Phương pháp sử dụng chùm laser 18 I.2.3 Phương pháp lắng đọng hoá học từ pha 19 I.2.4 Phương pháp nhiệt 20 I.3 Một số tính chất ống nano cacbon 23 I.3.1 Tính chất ... CÁC PHƯƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU VÀ KỸ THUẬT THỰC NGHIỆM 39 II.1 Qui trình chế tạo ống cacbon 40 II.1.1 Xử lý bề mặt đế Silic 40 II.1.2 Tạo lớp SiO bề mặt Si 41 II.1.3

Ngày tải lên: 25/02/2021, 20:52

... I.1.2 Kim cương I.1.3 Fulơren (C60) 10 I.1.4 Ống nano Cacbon 11 I.2 Các phương pháp tổng hợp ống nano cacbon 16 I.2.1 Phương pháp phóng điện hồ quang 16 ... 16 I.2.2 Phương pháp sử dụng chùm laser 18 I.2.3 Phương pháp lắng đọng hoá học từ pha 19 I.2.4 Phương pháp nhiệt 20 I.3 Một số tính chất ống nano cacbon 23 I.3.1 Tính chất ... CÁC PHƯƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU VÀ KỸ THUẬT THỰC NGHIỆM 39 II.1 Qui trình chế tạo ống cacbon 40 II.1.1 Xử lý bề mặt đế Silic 40 II.1.2 Tạo lớp SiO bề mặt Si 41 II.1.3

Ngày tải lên: 28/02/2021, 15:03

... 1000 1200 1400 1600 -1 Raman Shift (cm ) 1800 1000 1200 1400 1600 -1 Raman Shift (cm ) 1800 2.3 Phương pháp dùng laser (LA - Laser Ablation) Phương pháp phát minh nhóm Rick Smalley vào năm 1995 ... HNO3 (100%) với thời gian phút; sau rửa 1200 1400 1600 -1 Raman Shift (cm ) 1800 1000 1200 1400 1600 1800 -1 Raman Shift (cm ) Hình 4.43: Phổ Raman CNTs tổng hợp mẫu Al/Ni (1 nm), tỷ số G/D = 1.099(trái) ... Ar:H2 200:100 sccm Tạo màng xúc tác Fe lớp Al/silicon :Phủ màng đa lớp Fe/Al/silicon phún xạ 1000 1200 1400 1600 1800 -1 Raman Shift (cm ) 1000 1200 1400 1600 -1 Raman Shift (cm ) 1800 1000 Sau

Ngày tải lên: 16/03/2021, 11:25

... La(2/3)-xLi3xTiO3 10 1. 2 .1. Cấu trúc tinh thể La(2/3)-xLi3xTiO3 10 1. 2 .1. 1 Cấu trúc perovskite 10 1. 2 .1. 2 Đặc trưng cấu trúc tinh thể perovskite LLTO 12 1. 2.2.Độ dẫn điện La(2/3)-xLi3xTiO3 15 1. 2.2 .1 Độ dẫn ... định có giá trị σe ≈ 1, 1 10 -7 S.cm -1 Giá trị vào cỡ 10 -3 (0 ,1% ) độ dẫn ion liti màng FM 11 (σLi = 2 10 -4 S.cm -1) Đối với 39 màng LLTO có hàm lượng liti khác (x = 0 ,11 , 0 ,13 0 ,15 ) nhận kết tương ... = 0 ,11 ; 0 ,13 0 ,15 ) sử dụng làm bia cho lắng đọng màng LLTO phương pháp chùm tia điện tử theo quy trình mơ tả mục 2.3.2 Hình 3.3 cho thấy giản đồ nhiễu xạ tia X màng LLTO (FM 11 FM15) lắng đọng...

Ngày tải lên: 10/09/2015, 09:01

... W/m2 Nơi chiếu sáng m2 KW 15 840 56 50 94 48 12 10 15 15 15 15 0 14 10 720 36 15 0 3306 - Điện bảo vệ nhà: Công suất Công súât tiêu thô 6 W 10 0 10 0 10 0 500 W 600 200 600 2000 10 0 600 STT N¬i chiếu sáng ... mặt 1, 5m3 / 1m2 Lợng vữa dùng cho công tác xây, trát ngày : 12 ,46m m3 vữa cần dùng 1, 16m3 cát vàng (vữa mác 50 ) Lợng cát dùng ngµy : 1, 16 x12,46 = 14 ,45 m Diện tích bãi để cát : S= 14 .45 ì 1, 2 ... trát : 334,28 x 11 ,53 x = 19 2 71, 2 kg Tæng céng : 2666,4 + 19 2 71, 2 = 219 37,6 kg = 21, 94T DiÖn tÝch kho bãi: S = P1 ì P2 Trong đó: : HƯ sè sư dơng mỈt b»ng kho, lÊy α = 1, 6 kho kín P1 : Lợng vật...

Ngày tải lên: 18/05/2014, 18:06

... trọng lực (xem hàm điều hồ) + Tính đạo hàm bậc cao trọng lực Chúng ta xét đến nhóm phương pháp 1. 1 Phương pháp trung bình hóa Việc phân chia dị thường trọng lực thành thành phần khu vực địa phương ... V(0,h) = (n +1) V(0,0) + ∑V K i = −∞ i i (1. 32) Với n k k+ K i = ∑ ( 1) C n +11 k =1 n ξ ξ kh ξi +1 dξ k+ = ∑ ( 1) k C n +11 (arctg i +1 − arctg i ) (1. 33) 2 π ∫ξi ξ + k h π kh kh k =1 Dựa vào công ... riêng số hạng tổng, ta có: k n k +1 V(0,h) = (n +1) V(0,0) + ∑ ( 1) C n +1 k =1 ∞ kh V (ξ ,0) ∫∞ξ + k h dξ π − (1. 30) Với: +1 C k +1 = n (n + 1) ! (k + 1) !(n − k )! (1. 31) Để tính tích phân người ta...

Ngày tải lên: 21/07/2014, 09:19

... Loại SL % 12 ,5 21, 1 Loại TB Yếu - Kém SL % SL % 25 62,5 10 25 21 55,3 23,6 - sau áp dụng năm học: 2007 - 2008 lớp 6A 6B Tổng số HS 37 37 Loại giỏi SL 10 % 21, 6 27 Loại SL 19 22 % 51, 4 59,5 Loại ... vai trò việc đổi phương pháp dạy học đặc biệt phương pháp dạy học hợp tác nhóm nhỏ Từ tơi nhiều lần áp dụng phương pháp giảng dạy theo hướng đổi đạt kết đề tài đưa áp dụng phương pháp hoạt động ... SKKN: Dạy học tích cực phương pháp hoạt động nhóm mơn sinh học lớp - Trong phương pháp hoạt động nhóm trọng vào phương pháp tự học học sinh Ở xã hội đại biến đổi nhanh...

Ngày tải lên: 18/09/2014, 19:39

... AB  1  1  1  1   1              (AC  AB)  AB  (  )AB  AC 1  1  1  1  1     1  1  1   Để M, N, P thẳng hàng ta phải có:   =1 1  ... tạo………………………………………………6 1. 1 .1 Tư duy, hình thức tư duy, thao tác tư duy…….…6 1. 1 .1. 1 Khái niệm tư số yếu tố tư duy……………… 1. 1 .1. 2 Quá trình tư duy………………………………………………………7 1. 1 .1. 3 Các hình thức tư duy………………………………………7 1. 1 .1. 4 ... 36(5  P)x  9P  90P  18 9  ' = -9(P2 -10 P -15 ) >  5-2 10 < P < 5+2 10 MinP = 5-2 10 x = 18 (P  5)  ,y  40 10 10 MaxP = 5+2 10 x = 18 (P  5)  ,y   40 10 10 * Phƣơng pháp miền giá trị học...

Ngày tải lên: 17/03/2015, 08:20

... giải tích dị thường trọng lực (xem hàm điều hoà) + Tính đạo hàm bậc cao trọng lực Chúng ta xét đến nhóm phương pháp 1. 1 Phương pháp trung bình hóa Việc phân chia dị thường trọng lực thành thành phần ... tìm Z 1. 2 Phương pháp tiếp tục giải tích trường Cơ sở phương pháp tiếp tục giải tích trường dị thường trọng lực từ là: Hàm xem hàm điều hồ Phương pháp tiếp tục giải tích dị thường trọng lực từ ... V(0,h) = (n +1) V(0,0) + (1. 29) ∞ ∑V K i = −∞ i i Với n k k +1 K i = ∑ ( 1) C n +1 k =1 n ξ ξ kh ξi +1 dξ k +1 = ∑ ( 1) k C n +1 (arctg i +1 − arctg i ) ∫ξi ξ + k h k =1 π π kh kh Dựa vào cơng...

Ngày tải lên: 07/04/2015, 19:36

... phục khó khăn trên, giải pháp đưa chế tạo mẫu phương pháp lắng đọng điện hóa bước, q trình lắng đọng đồng thời ngun tố vật liệu bể lắng đọng lắng đọng Phương pháp lắng đọng điện hóa bước thường ... này, sử dụng phương pháp lắng đọng điện hóa (Electrodeposition) để chế tạo màng Bi2Te3 Phương pháp trình bày cụ thể chương luận văn 22 CHƯƠNG PHƯƠNG PHÁP THỰC NGHIỆM 2 .1 Phương pháp Vol-Ampe ... pháp OFF – ON: Là phương chế tạo dây nano Bi2Te3 Sau phún xạ dây nano tổng hợp theo phương pháp OFF – ON 21 Hình 1. 11 Sơ đồ biểu diễn phương pháp tổng hợp dây nano Bi2Te3 Phương pháp Gradient-Freeze:...

Ngày tải lên: 10/07/2015, 22:30