Bài viết sử dụng Lý thuyết phiếm hàm mật độ, chúng tôi nghiên cứu một cách có hệ thống sự ảnh hưởng của biến dạng lên các tính chất điện tử và tính chất quang học của một vật liệu hai chiều với cấu trúc đơn lớp là GaSe. Các tính toán cho thấy đơn lớp GaSe ở trạng thái cân bằng là một chất bán dẫn có vùng cấm xiên với năng lượng 1,903 eV.
Tạp chí Khoa học Đại học Huế: Khoa học Tự nhiên Tập 129, Số 1C, 109–116, 2020 pISSN 1859-1388 eISSN 2615-9678 ẢNH HƯỞNG CỦA BIẾN DẠNG PHẲNG LÊN TÍNH CHẤT ĐIỆN TỬ VÀ QUANG HỌC CỦA ĐƠN LỚP GaSe Võ Thị Tuyết Vi1, Nguyễn Văn Chương2, Nguyễn Văn Hiếu3, Nguyễn Ngọc Hiếu4* Khoa Vật lý, Trường Đại học Sư phạm, Đại học Huế, 34 Lê Lợi, Huế, Việt Nam Khoa Cơ khí, Học viện Kỹ thuật Qn sự, 236 Hồng Quốc Việt, Q Bắc Từ Liêm, Hà Nội, Việt Nam Khoa Vật lý, Trường Đại học Sư phạm, Đại học Đà Nẵng, 459 Tôn Đức Thắng, Q Liên Chiểu, Đà Nẵng, Việt Nam Viện Nghiên cứu Phát triển Công nghệ cao, Trường Đại học Duy Tân, Quang Trung, Đà Nẵng, Việt Nam * Tác giả liên hệ Nguyễn Ngọc Hiếu (Ngày nhận bài: 19-06-2020; Ngày chấp nhận đăng: 29-06-2020) Tóm tắt Trong báo này, sử dụng Lý thuyết phiếm hàm mật độ, chúng tơi nghiên cứu cách có hệ thống ảnh hưởng biến dạng lên tính chất điện tử tính chất quang học vật liệu hai chiều với cấu trúc đơn lớp GaSe Các tính tốn cho thấy đơn lớp GaSe trạng thái cân chất bán dẫn có vùng cấm xiên với lượng 1,903 eV Các tính chất điện tử đơn lớp GaSe, đặc biệt lượng vùng cấm, phụ thuộc lớn vào biến dạng Đơn lớp GaSe có phổ hấp thụ rộng, trải dài từ miền ánh sáng nhìn thấy đến vùng tử ngoại gần Bên cạnh đó, biến dạng làm thay đổi đáng kể cường độ vị trí đỉnh phổ quang học đơn lớp GaSe Từ khóa: đơn lớp GaSe, tính chất điện tử, tính chất quang học, biến dạng phẳng, lý thuyết phiếm hàm mật độ Effect of biaxial strain on electronic and optical properties of GaSe monolayer Vo Thi Tuyet Vi1, Nguyen Van Chuong2, Nguyen Van Hieu3, Nguyen Ngoc Hieu4* Department of Physics, University of Education, Hue University, 34 Le Loi St., Hue, Vietnam Department of Mechanics, Military Technical Academy, 236 Hoang Quoc Viet St., Bac Tu Liem Dist., Hanoi, Vietnam Department of Physics, University of Education, The University of Da Nang, 459 Ton Duc Thang, Lien Chieu Dist., Da Nang, Vietnam Institute of Research and Development, Duy Tan University, Quang Trung St., Da Nang, Vietnam * Correspondence to Nguyen Ngoc Hieu (Received: 19 June 2020; Accepted: 29 June 2020) Abstract Two-dimensional layered materials have been extensively studied for nearly two decades because of their outstanding physical and chemical properties In this paper, using the density functional theory, we systematically investigate the effect of biaxial strain on electronic and optical properties of the GaSe two-dimensional layered material with monolayer structure The calculations indicate that monolayer GaSe is an indirect semiconductor with a bandgap of 1.903 eV at equilibrium The electronic properties of the GaSe monolayer, especially the bandgap, depend strongly on the biaxial strain The DOI: 10.26459/hueuni-jns.v129i1C.5882 109 Võ Thị Tuyết Vi CS GaSe monolayer has a wide absorption spectrum, from the visible light region to the near-ultraviolet region Besides, the strain engineering significantly changes the intensity as well as the position of the peaks in the optical spectra of monolayer GaSe Keywords: GaSe monolayer, electronic properties, optical properties, biaxial strain, density functional theory Mở đầu hảo để sử dụng transistor bán dẫn hiệu ứng trường [12] thiết bị quang – điện Kể từ chế tạo thành công thực tử nano [10] Ren cs đơn lớp GaSe nghiệm [1], graphene trở thành có đặc tính quang xúc tác sử vật liệu quan tâm đặc biệt suốt 15 dụng làm chất xúc tác quang ứng dụng năm qua có nhiều tính chất vật lý trội tách nước [13] Nhóm Zhou nghiên cứu triển vọng ứng dụng thiết bị phát sinh điều hòa bậc hai tinh thể GaSe xếp quang – điện tử Do hiệu ứng giam cầm lượng tử, lớp quan sát cường độ tạo điều hòa bậc vật liệu thấp chiều, đặc biệt vật liệu hai hai mạnh GaSe số tất tinh chiều (2D), có nhiều tính chất vật lý hóa học thể 2D [14] Mặt khác, ứng dụng tiên tiến khác biệt mà vật liệu khối khơng thể có thường địi hỏi vật liệu với tính chất điện tử, [2] Cùng với nghiên cứu graphene, quang học điều chỉnh theo chủ ý cách mạng việc tìm kiếm vật liệu hai tham số điều khiển bên ngồi [15] Do đó, chiều diễn thu nhiều thành tựu điều chỉnh kiểm sốt thuộc tính điện tử, Nhiều vật liệu 2D có cấu trúc tương tự graphene quang học đơn lớp chế tạo tổng hợp thành công thực nghiệm, loạt thiết bị nano điều chỉnh Bên cạnh đó, điển hình silicene [3], phosphorene [4] hay Zhou cs chứng minh điều khiển hợp chất kim loại chuyển tiếp dichalcogenide [5] độ rộng vùng cấm đơn lớp GaSe Gần đây, đơn lớp monochalcogenide trình hấp phụ ngun tử khí bề mặt quan tâm chúng có nhiều tiềm ứng dụng [16] Các nghiên cứu gần thiết bị quang – điện tử hệ [6, 7] chứng minh điện trường biến dạng GaSe vật liệu xếp lớp làm thay đổi tính chất điện tử bản, monochalcogenide nhóm III Chúng bao gồm cấu trúc vùng lượng độ rộng vùng lớp nguyên tử mỏng liên kết yếu với nhau, cấm, hay đặc trưng quang học vật liệu đơn có hai lớp Ga kẹp hai lớp Se Ở dạng lớp họ monochalcogenide nhóm III, bao gồm khối, GaSe chất bán dẫn có vùng cấm thẳng với InSe [17], GaS [18] GaTe [19] Bên cạnh đó, độ rộng vùng cấm 2,0 eV [8] Gần đây, lớp Huang cs công bố lượng vùng siêu mỏng diện tích lớn tinh thể GaSe cấm đơn lớp GaSe phụ thuộc lớn vào biến tổng hợp thành công [9, 10] Tương tự đơn lớp dạng, đặc biệt trường hợp biến dạng khác, đơn lớp GaSe có thuộc tính điện tử kéo [20] Ngồi ra, tính chất học đơn lớp khác biệt so với cấu trúc khối [8] Sử dụng GaSe Yagmurcukardes cs nghiên cứu phương pháp Lý thuyết phiếm hàm mật độ (DFT), cách chi tiết [8] Các tính tốn cho thấy đơn lớp Demirci cs cho thấy đơn lớp GaSe GaSe có tính tuyệt vời chuyển pha bán chất bán dẫn vùng cấm xiên với độ rộng vùng dẫn – kim loại tìm thấy đơn cấm 1,77 eV trạng thái cân [11] Đơn lớp lớp GaSe chịu ảnh hưởng biến dạng GaSe bền vững mặt học vật liệu hoàn trục [8] 110 pISSN 1859-1388 eISSN 2615-9678 Tạp chí Khoa học Đại học Huế: Khoa học Tự nhiên Tập 129, Số 1C, 109–116, 2020 Trong báo này, chúng tơi trình bày Kết thảo luận kết nghiên cứu tính chất điện tử tính chất quang học đơn lớp GaSe có mặt Đơn lớp GaSe có cấu trúc hình lục giác hình biến dạng Lý thuyết phiếm hàm mật độ Các thành từ bốn lớp nguyên tử xếp chồng lên nghiên cứu tập trung vào ảnh hưởng theo thứ tự Se–Ga–Ga–Se minh họa biến dạng lên cấu trúc vùng lượng điện Hình 1a Về mặt hình học, cấu trúc đơn tử, độ rộng vùng cấm đỉnh hấp thụ quang lớp GaSe thuộc nhóm khơng gian D3h Ơ đơn vị hệ số hấp thụ quang đơn lớp GaSe đơn lớp GaSe chứa bốn nguyên tử, bao gồm hai nguyên tử Ga hai nguyên tử Se Ở trạng thái cân bằng, bề dày đơn lớp GaSe = 4,814 Å Mơ hình tính tốn số mạng a = 3,818 Å Chiều dài liên Trong báo này, tính tốn thực kết ngun tử Ga Se dGa–Se = 2,497 Å Lý thuyết phiếm hàm mật độ với gói nguyên tử Ga với dGa–Ga = phần mềm mơ Quantum Espresso [21] 2,468 Å Kết tính tốn chúng tơi tương Phương pháp gần gradient tổng quát đồng với nghiên cứu DFT trước [8, 20] Perdew–Burke–Ernzerhof (PBE) sử dụng Trước tiên, chúng tơi thực tính tốn để mơ tả trao đổi tương quan [22] Phương phổ phonon đơn lớp GaSe toàn vùng pháp Brillouin thứ để kiểm tra độ bền động học Grimme [23] sử dụng để xem xét lực Ơ đơn vị đơn lớp GaSe chứa bốn nguyên tương tác yếu van der Waals tồn tử, phổ phonon có 12 nhánh dao lớp Ga Se cấu trúc GaSe Vùng động Các tính tốn DFT cho phổ phonon đơn Brillouin tính tốn chúng tơi lớp GaSe trình bày Hình 1b Có thể thấy khảo sát phương pháp chia lưới Monkhorst– rằng, có 12 nhánh dao động phổ phonon DFT có hiệu chỉnh (DFT-D2) Pack với lưới chia (15 15 1) Ngưỡng động đơn lớp GaSe, bao gồm chín nhánh quang ba sóng phẳng sử dụng cho tính nhánh âm Hình 1b cho thấy khơng có khoảng cách toán 500 eV Tất cấu trúc nguyên tử nhánh âm nhánh quang Đối với đơn lớp GaSe tối ưu hóa với ngưỡng hội nhánh dao động quang, điểm , có ba nhánh tụ lực tác dụng lên nguyên tử 0,01 eV/Å quang không suy biến, có đến ba nhánh ngưỡng hội tụ lượng toàn phần 10– quang bị suy biến đôi Tần số dao động quang lớn eV Để tránh tương tác có lớp lân vào khoảng 300 cm–1 Kết tính tốn cận, chúng tơi sử dụng khoảng cách chân khơng chúng tơi cho thấy khơng có tần số âm 20 Å theo phương vng góc với bề mặt vật liệu phổ phonon đơn lớp GaSe Điều có nghĩa cấu trúc đơn lớp GaSe ổn định mặt động học Hình Cấu trúc ngun tử theo góc nhìn khác (a) phổ phonon (b) đơn lớp GaSe trạng thái cân (b = 0) bị biến dạng –10% +10% DOI: 10.26459/hueuni-jns.v129i1C.5882 111 Võ Thị Tuyết Vi CS Để nghiên cứu ảnh hưởng dạng phẳng lượng vùng cấm 1,903 eV Giá trị gần (hay biến dạng hai chiều) đến tính chất điện tử với kết đạt Huang cs đơn lớp GaSe, định nghĩa biến dạng (1,83 eV) [20] Tuy nhiên, tốn độ rộng vùng phẳng b số mạng cấm vật liệu nano phụ thuộc lớn vào cách tiếp GaSe trạng thái cân có biến dạng cận tính tốn DFT, tức phụ thuộc vào Chúng tiến hành cho đơn lớp biến dạng dọc phiếm hàm lượng [20] Mặc dù vậy, mặt đồng thời dọc theo hai trục a b (biaxial strain) εb vật lý, sử dụng phiếm hàm khác trong khoảng từ −10% đến 10% Các dấu “+” “– tính tốn DFT thu giá trị độ rộng “ tương ứng với trường hợp biến dạng kéo vùng cấm khác không làm thay đổi biến dạng nén Để kiểm tra ổn định mặt động tính chất vật lý vật liệu Ở trạng thái học cấu trúc đơn lớp GaSe bị biến dạng, cân bằng, cực tiểu vùng dẫn (CBM) nằm phổ phonon đơn lớp GaSe bị biến dạng điểm K vùng Brillouin thứ nhất, tính tốn Có thể thấy đơn lớp GaSe cực đại vùng hóa trị (VBM) nằm đường thẳng ổn định mặt động học bị biến dạng lên KΓ Chú ý vào vùng cao vùng hóa trị, đến 10% (Hình 1b) thấy chênh lệch mặt lượng Cấu trúc vùng lượng điện tử đơn lớp GaSe trạng thái cân vùng Brillouin thứ dọc theo hướng đối xứng cao M-K- biễu diễn Hình 2a Kết tính tốn rằng, trạng thái cân bằng, đơn lớp GaSe chất bán dẫn có vùng cấm xiên với VBM vùng cao điểm K không lớn Đồng thời, biết tính chất điện tử vật liệu 2D nhạy với biến đổi cấu trúc Do đó, kỳ vọng biến dạng làm cho VBM chuyển từ vị trí đường thẳng KΓ sang điểm K đơn lớp GaSe trở thành bán dẫn với vùng cấm thẳng Hình Cấu trúc vùng lượng đơn lớp GaSe trạng thái cân (b = 0) (a) bị biến dạng (b–f) 112 pISSN 1859-1388 eISSN 2615-9678 Tạp chí Khoa học Đại học Huế: Khoa học Tự nhiên Tập 129, Số 1C, 109–116, 2020 Trên Hình 2, chúng tơi biểu diễn cấu trúc vùng lượng đơn lớp GaSe bị biến dạng mức độ khác εb Các kết tính tốn cho thấy biến dạng kéo khơng làm thay đổi ví trí CBM VBM Trong trường hợp biến dạng nén, thay đổi vị trí CBM VBM xảy Tính tốn chúng tơi cho thấy, εb = –5%, vị trí CBM chuyển từ điểm K sang điểm Γ cịn vị Hình Sự phụ thuộc lượng vùng cấm vào độ trí VBM chuyển sang điểm K thể biến dạng b rõ Hình 2d Biến dạng khơng làm thay đổi vị trí CBM VBM mà cịn làm thay đổi ( ) = Ve2 d 3k kn pi kn kn p j kn 2 m2 nn dạng kéo làm giảm nhanh độ rộng vùng cấm đơn lớp GaSe lượng vùng cấm phụ 1 ( ) = + thuộc phức tạp vào biến dạng nén Có thể thấy biến dạng nén làm cho độ rộng vùng cấm Eg đơn lớp GaSe tăng đạt cực đại 2,501 eV εb = –5% lại giảm xuống tiếp tục tăng cường độ biến dạng nén (Hình 3) Biến dạng kéo làm giảm nhanh cách tuyến tính (2) fkn (1 − fkn ) ( Ekn − Ekn − ) , cách đáng kể độ rộng vùng cấm Trong biến ' ( ') d ', 2 ' − P (3) ω tần số góc; e điện tích điện tử; m khối lượng điện tử; V thể tích đơn vị; p = (px, py, pz) toán tử xung lượng; knp hàm sóng với vectơ sóng k; fkn hàm phân bố Fermi lượng vùng cấm đơn lớp GaSe Xu hướng giảm Hệ số hấp thụ A(ω) tính tốn từ lượng vùng cấm tương đồng với kết phần thực phần ảo hàm điện mơi theo biểu tính tốn trước [8] thức (4) [26]: Tiếp theo, chúng tơi tính tốn đặc trưng quang học đơn lớp GaSe tác dụng A( ) = 1/ 2 1 ( ) + ( ) − 1 ( ) c (4) biến dạng Trong báo này, chúng tơi khảo Trên Hình 4, chúng tơi trình bày kết sát cho trường hợp ánh sáng tới bị phân cực vng tính tốn ảnh hưởng biến dạng lên phần thực góc (dọc theo trục c) với lượng photon phần ảo hàm điện môi đơn lớp GaSe khoảng từ đến 10 eV Các đặc trưng quang Từ Hình 4a, thấy biến dạng nén gần học vật liệu tính tốn thơng không làm thay đổi số điện môi tĩnh ε(0) qua hàm điện mơi Hàm điện mơi ε(ω) vật liệu biến dạng kéo làm tăng mạnh tính theo biểu thức (1) số điện mơi tĩnh từ 3,454 trạng thái ε(ω) = ε1(ω) + i × ε2(ω), (1) cân lên 3,778 b = 7% Trong phổ quang học ε2(ω), đỉnh nằm miền tử ngoại gần ε1(ω) ε2(ω) phần thực (ở vị trí khoảng 4,5 eV) Biến dạng khơng làm phần ảo ε(ω) Về nguyên tắc, thu giảm cường độ đỉnh mà làm dịch chuyển phần ảo ε2(ω) thông qua tổng dịch chuyển vị trí đỉnh Các tính tốn cho thấy trạng thái trống lấp đầy Bằng cách sử rằng, biến dạng kéo làm cho đỉnh dụng phép chuyển đổi Kramer–Kronig, phổ quang học ε2(ω) dịch chuyển miền nhận phần thực ε1(ω) theo biểu thức (2) lượng thấp đỉnh dịch chuyển (3) [24, 25] miền lượng cao trường hợp đơn lớp GaSe chịu ảnh hưởng biến dạng nén DOI: 10.26459/hueuni-jns.v129i1C.5882 113 Võ Thị Tuyết Vi CS Hình (a) Phần thực 1() (b) phần ảo 2() số điện môi đơn lớp GaSe có mặt biến dạng b Đặc trưng quan trọng tính chất miền lượng cao Trong đó, đỉnh hấp quang vật liệu hệ số hấp thụ Đặc trưng thụ phổ hấp thụ đơn lớp GaSe lại có vai trị định việc xác định triển vọng dịch chuyển miền lượng thấp (và ứng dụng vật liệu thiết bị quang – cường độ đỉnh bị giảm) có mặt điện tử Trên Hình 5, chúng tơi biểu diễn phổ hấp biến dạng kéo Đối với vùng ánh sáng nhìn thấy, thụ quang A(ω) đơn lớp GaSe có mặt kết tính tốn rằng, biến dạng Sự hấp thụ quang đơn lớp GaSe hệ số hấp thụ đơn lớp GaSe miền kích hoạt miền ánh sáng nhìn thấy lên đến 2,244 104 cm–1 gia tăng biến cường độ hấp thụ tăng nhanh đạt cực dạng kéo Trong miền ánh sáng nhìn thấy, biến đại miền ánh sáng tử ngoại gần Trong miền dạng kéo làm tăng đáng kể hệ số hấp thụ, lên đến lượng từ đến 10 eV, phổ hấp thụ đơn 4,429 104 cm–1 b = 7%, hệ số hấp thụ lớp có hai đỉnh hấp thụ, đó, trạng thái cân đơn lớp GaSe giảm nhẹ chịu ảnh hưởng bằng, đỉnh hấp thụ nằm vị trí 7,211 eV với biến dạng nén Xu hướng thay đổi giá trị cường độ 13,041 104 cm–1 Biến dạng làm thay đổi hệ số hấp thụ ảnh hưởng biến dạng đáng kể phổ hấp thụ đơn lớp GaSe Từ Hình 5, miền ánh sáng nhìn thấy trái ngược với xu thấy cường độ hấp thụ gia tăng hướng thay đổi miền ánh sáng tử cách mạnh mẽ biến dạng nén miền ngoại gần Với miền hấp thụ rộng đặc biệt có lượng từ eV đến eV Bên cạnh đó, biến dạng hệ số hấp thụ cao miền ánh sáng nhìn thấy, làm thay đổi vị trí đỉnh hấp thụ Biến đơn lớp GaSe có nhiều triển vọng ứng dụng dạng nén làm đỉnh hấp thụ dịch chuyển vào thiết bị quang – điện tử Kết luận Trong báo này, tính chất điện tử quang học đơn lớp GaSe bị biến dạng nghiên cứu Lý thuyết phiếm hàm mật độ Các tính chất điện tử đơn lớp GaSe phụ thuộc lớn vào biến dạng dễ dàng điều khiển độ rộng vùng cấm biến dạng Hình Ảnh hưởng biến dạng b lên hệ số hấp thụ A() đơn lớp GaSe Phổ hấp thụ quang đơn lớp kích hoạt miền ánh sáng nhìn thấy cường độ hấp thụ đạt cực đại miền ánh sáng tử ngoại gần Biến dạng không làm thay đổi cách đáng 114 Tạp chí Khoa học Đại học Huế: Khoa học Tự nhiên Tập 129, Số 1C, 109–116, 2020 kể cường độ hấp thụ quang đơn lớp GaSe mà cịn làm dịch chuyển vị trí đỉnh hấp thụ Các kết nghiên cứu không cung cấp thêm nhiều thông tin ảnh hưởng biến dạng lên tính chất điện tử quang học đơn lớp GaSe mà cịn làm động lực cho nghiên cứu thực nghiệm tương lai triển vọng ứng dụng thiết bị quang – điện tử Thơng tin tài trợ Cơng trình thực với tài trợ Bộ Giáo dục Đào tạo (Việt Nam) (Đề tài mã số B2019-DNA-07) Tài liệu tham khảo Novoselov KS, Geim AK, Morozov SV, Jiang D, Zhang Y, Dubonos SV, et al Electric field effect in atomically thin carbon films Science 2004;306:666669 Bhimanapati GR, Lin Z, Meunier V, Jung Y, Cha J, Das S, et al Recent advances in two-dimensional materials beyond graphene ACS Nano 2015;9:11509-11539 Lalmi B, Oughaddou H, Enriquez H, Kara A, Vizzini S, Ealet B, et al Epitaxial growth of a silicene sheet Appl Phys Lett 2010;97:223109 Woomer AH, Farnsworth TW, Hu J, Wells RA, Donley CL, Warren SC Phosphorene: Synthesis, scale-up, and quantitative optical spectroscopy ACS Nano 2015;9:8869 Coleman JN, Lotya M, O’Neill A, Bergin SD, King PJ, Khan U, et al Two-dimensional nanosheets produced by liquid exfoliation of layered materials Science 2011;331:568-571 pISSN 1859-1388 eISSN 2615-9678 Xu K, Yin L, Huang Y, Shifa TA, Chu J, Wang F, et al Synthesis, properties and applications of 2D layered MIIIXIV (M = Ga, In; X= S, Se, Te) materials Nanoscale 2016;8(38):16802-18 10 Lei S, Ge L, Liu Z, Najmaei S, Shi G, You G, et al Synthesis and photoresponse of large GaSe atomic layers Nano Lett 2013;13(6):2777-81 11 Demirci S, Avazlı N, Durgun E, Cahangirov S Structural and electronic properties of monolayer group III monochalcogenides Phys Rev B 2017;95(11):115409 12 Late DJ, Liu B, Luo J, Yan A, Matte HR, Grayson M, et al GaS and GaSe ultrathin layer transistors Adv Mater 2012;24(26):3549-54 13 Ren C, Wang S, Tian H, Luo Y, Yu J, Xu Y, et al Firstprinciples investigation on electronic properties and band alignment of group III monochalcogenides Sci Rep 2019;9(1):1-6 14 Zhou X, Cheng J, Zhou Y, Cao T, Hong H, Liao Z, et al Strong second-harmonic generation in atomic layered GaSe J Am Chem Soc 2015;137(25):7994-7 15 Venkateshvaran D, Althammer M, Nielsen A, Geprägs S, Rao MR, Goennenwein ST, et al Epitaxial Znx Fe3–xO4 thin films: a spintronic material with tunable electrical and magnetic properties Phys Rev B 2009;79(13):134405 16 Zhou S, Liu C-C, Zhao J, Yao Y Monolayer groupIII monochalcogenides by oxygen functionalization: a promising class of two-dimensional topological insulators npj Quantum Mater 2018;3(1):1-7 17 Khoa DQ, Nguyen DT, Nguyen CV, Vi VT, Phuc HV, Phuong LT, et al Modulation of electronic properties of monolayer InSe through strain and external electric field Chem Phys 2019;516:213-7 18 Pham KD, Vi VT, Thuan DV, Hieu NV, Nguyen CV, Phuc HV, et al Tuning the electronic properties of GaS monolayer by strain engineering and electric field Chem Phys 2019;524:101-5 Wang Z, Xu K, Li Y, Zhan X, Safdar M, Wang Q, et al Role of Ga vacancy on a multilayer GaTe phototransistor ACS Nano 2014;8(5):4859-65 19 Vi VT, Hieu NN, Hoi BD, Binh NT, Vu TV Modulation of electronic and optical properties of GaTe monolayer by biaxial strain and electric field Superlattices Microstruct 2020;140:106435 Mukherjee B, Cai Y, Tan HR, Feng YP, Tok ES, Sow CH NIR Schottky photodetectors based on individual single-crystalline GeSe nanosheet ACS Appl Mater Interfaces 2013;5(19):9594-604 20 Huang L, Chen Z, Li J Effects of strain on the band gap and effective mass in two-dimensional monolayer GaX (X= S, Se, Te) RSC Adv 2015;5(8):5788-94 Yagmurcukardes M, Senger R, Peeters F, Sahin H Mechanical properties of monolayer GaS and GaSe crystals Phys Rev B 2016;94(24):245407 21 Giannozzi P, Baroni S, Bonini N, Calandra M, Car R, Cavazzoni C, et al QUANTUM ESPRESSO: a modular and open-source software project for DOI: 10.26459/hueuni-jns.v129i1C.5882 115 Võ Thị Tuyết Vi CS quantum simulations of materials J Phys: Condens Matter 2009;21(39):395502 22 Perdew JP, Burke K, Ernzerhof M Generalized gradient approximation made simple Phys Rev Lett 1996;77(18):3865 23 Grimme S Semiempirical GGA‐type density functional constructed with a long‐range dispersion correction J Comput Chem 2006;27(15):1787-99 24 Delin A, Ravindran P, Eriksson O, Wills J Full‐ potential optical calculations of lead chalcogenides Int J Quantum Chem 1998;69(3):349-58 116 25 Karazhanov SZ, Ravindran P, Kjekshus A, Fjellvåg H, Svensson B Electronic structure and optical properties of Zn X (X= O, S, Se, Te): A density functional study Phys Rev B 2007;75(15):155104 26 Ravindran P, Delin A, Johansson B, Eriksson O, Wills J Electronic structure, chemical bonding, and optical properties of ferroelectric and antiferroelectric NaNO2 Phys Rev B 1999;59(3): 1776 ... quang – điện tử Kết luận Trong báo này, tính chất điện tử quang học đơn lớp GaSe bị biến dạng nghiên cứu Lý thuyết phiếm hàm mật độ Các tính chất điện tử đơn lớp GaSe phụ thuộc lớn vào biến dạng. .. nghiên cứu tính chất điện tử tính chất quang học đơn lớp GaSe có mặt Đơn lớp GaSe có cấu trúc hình lục giác hình biến dạng Lý thuyết phiếm hàm mật độ Các thành từ bốn lớp nguyên tử xếp chồng lên nghiên... nhiều thông tin ảnh hưởng biến dạng lên tính chất điện tử quang học đơn lớp GaSe mà cịn làm động lực cho nghiên cứu thực nghiệm tương lai triển vọng ứng dụng thiết bị quang – điện tử Thơng tin tài