Khảo sát cấu hình nhám từ cường độ hấp thụ tích hợp trong giếng lượng tử gaas algaas

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO ĐẠI HỌC HUẾ TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM LÊ THỊ HUYỀN TRÂM KHẢO SÁT CẤU HÌNH NHÁM TỪ CƯỜNG ĐỘ HẤP THỤ TÍCH HỢP TRONG GIẾNG LƯỢNG TỬ GaAs/AlGaAs Chuyên ngành: VẬT LÝ LÝ THUYẾT VÀ VẬT LÝ TOÁN Mã số : 60 44 01 03 LUẬN VĂN THẠC SĨ VẬT LÝ THEO ĐỊNH HƯỚNG ỨNG DỤNG Người hướng dẫn khoa học PGS TS ĐINH NHƯ THẢO Huế, năm 2017 i LỜI CAM ĐOAN Tơi xin cam đoan cơng trình nghiên cứu riêng tôi, số liệu kết nghiên cứu nêu luận văn trung thực, đồng tác giả cho phép sử dụng chưa cơng bố cơng trình nghiên cứu khác Huế, tháng năm 2017 Tác giả luận văn Lê Thị Huyền Trâm ii LỜI CẢM ƠN Hồn thành luận văn tốt nghiệp này, tơi xin bày tỏ lòng biết ơn sâu sắc đến thầy giáo PGS TS Đinh Như Thảo tận tình hướng dẫn giúp đỡ tơi suốt q trình thực Qua đây, xin chân thành cảm ơn quý Thầy, Cô giáo khoa Vật Lý phòng Đào tạo Sau đại học, Trường Đại học Sư phạm, Đại học Huế; bạn học viên Cao học khóa 24 gia đình, bạn bè động viên, góp ý, giúp đỡ, tạo điều kiện cho tơi q trình học tập thực luận văn Huế, tháng năm 2017 Tác giả luận văn Lê Thị Huyền Trâm iii MỤC LỤC Trang phụ bìa i Lời cam đoan ii Lời cảm ơn iii Mục lục DANH MỤC CÁC ĐỒ THỊ Danh sách bảng Danh sách cụm từ viết tắt MỞ ĐẦU NỘI DUNG 12 Chương Cơ sở lý thuyết 12 1.1 Giới thiệu vật liệu bán dẫn GaAs/ AlGaAs 12 1.1.1 Tổng quan vật liệu bán dẫn GaAs 12 1.1.2 Tổng quan vật liệu bán dẫn AlGaAs 14 1.1.3 Các thông số bán dẫn thấp chiều GaAs/AlGaAs 14 1.2 Các cấu hình giếng lượng tử 16 1.2.1 Giếng vng góc có chiều cao vô hạn 17 1.2.2 Giếng vng góc có chiều cao hữu hạn 19 1.2.3 Giếng lượng tử parabol 22 1.2.4 Giếng lượng tử tam giác 26 1.3 Tổng quan khí điện tử hai chiều 28 1.3.1 Đặc điểm khí điện tử hai chiều 28 1.3.2 Các chế tán xạ khí điện tử hai chiều 29 Chương Khảo sát cấu hình nhám từ cường độ hấp thụ giếng lượng tử GaAs/AlGaAs 32 2.1 Mơ hình vật lý hệ nghiên cứu 32 2.2 Dạng giam giữ 34 2.3 Các chế độ giam giữ giếng lượng tử bán dẫn GaAs/AlGaAs 37 2.4 Cực tiểu hóa lượng phương pháp biến phân 39 2.5 Độ mở rộng vạch phổ tán xạ nhám bề mặt 40 Chương Kết tính tốn thảo luận 42 3.1 Xác định giá trị chiều dài tương quan Λ 43 3.2 Xác định giá trị biên độ nhám ∆ 44 3.3 So sánh cấu hình nhám thay đổi tham số giếng lượng tử vật liệu GaAs/AlGaAs 45 KẾT LUẬN 48 TÀI LIỆU THAM KHẢO 50 DANH MỤC CÁC ĐỒ THỊ Trang Đồ thị 1.1 Cấu trúc tinh thể GaAs: đỉnh tứ diện As tâm Ga 13 Đồ thị 1.2 Cấu trúc tinh thể AlGaAs 14 Đồ thị 1.3 Sắp xếp vùng lượng bán dẫn GaAs/ Alx Ga1−x As 15 Đồ thị 1.4 Đáy vùng dẫn đỉnh vùng hóa trị giếng lượng tử GaAs/AlGaAs 16 Đồ thị 1.5 Sơ đồ giếng vng góc có chiều cao vơ hạn 17 Đồ thị 1.6 Sơ đồ giếng vng góc có chiều cao hữu hạn 19 Đồ thị 1.7 Xác định giá trị ξ1 , ξ2 , ξ3 ứng với ba mức lượng E1 , E2 , E3 22 Đồ thị 1.8 Minh họa giếng lượng tử parabol 23 Đồ thị 1.9 Minh họa giếng lượng tử tam giác 26 Đồ thị 1.10 Minh họa quy luật tán sắc điện tử bán dẫn thấp chiều 30 Đồ thị 2.1 Giếng lượng tử tạo bội tiếp giáp dị chất 33 Đồ thị 2.2 Minh họa giếng lượng tử chuyển tiếp dị chất kép AlGaAs/GaAs/AlGaAs 33 Đồ thị 3.1 Tỉ số độ rộng vạch phổ Rγ(Λ) = Rγ (L, ns , L , ns , Λ) giếng lượng tử GaAs/AlGaAs với độ rộng giếng L = 35 ˚ A, L = 100 ˚ A 44 Đồ thị 3.2 Độ rộng vạch phổ γSR(∆) = γSR(L, ns , ∆, Λ) giếng lượng tử GaAs/AlGaAs với độ rộng giếng L = 35 ˚ A chiều dài tương quan lấy từ hình 3.1: Λ = 90˚ A 45 Đồ thị 3.3 Tỉ số độ rộng vạch phổ Rγ(Λ) = Rγ (L, ns , L , ns , Λ) giếng lượng tử GaAs/AlGaAs với độ rộng giếng L = 40 ˚ A, L = 50 ˚ A 46 Đồ thị 3.4 Độ rộng vạch phổ γSR(∆) = γSR(L, ns , ∆, Λ) giếng lượng tử GaAs/AlGaAs với độ rộng giếng L = 40 ˚ A chiều dài tương quan lấy từ hình 3.3: Λ = 90˚ A 46 DANH SÁCH CÁC BẢNG Trang Bảng 1.1 Các thông số GaAs thu từ thực nghiệm nhiệt độ 300 K 13 Bảng 1.2 Các thông số Alx Ga1−x As thu từ thực nghiệm nhiệt độ 300 K 15 DANH SÁCH CÁC CỤM TỪ VIẾT TẮT Cụm từ viết tắt Nghĩa cụm từ viết tắt MBE Epitaxy chùm phân tử 2DEG Khí điện tử hai chiều AD Mất trật tự hợp kim II Tạp ion hóa LA Phonon âm LO Phonon quang QW Giếng lượng tử SR Nhám bề mặt MỞ ĐẦU Lý chọn đề tài Trong thập niên gần đây, vật lý đại có bước phát triển mạnh mẽ, đặc biệt vật lý chất rắn Sự đời công nghệ nano bước đột phá lĩnh vực khoa học vật liệu, góp phần thúc đẩy phát triển khoa học khoa học ứng dụng, từ khoa học công nghệ nano đời mở hướng nghiên cứu cho ngành điện tử với vật liệu có kích thước nano [8] Trong năm gần đây, công nghệ nano nhận quan tâm lớn từ cộng đồng khoa học cơng nghệ ngồi nước, với nhiều hướng tiếp cận từ lý thuyết, thực nghiệm mơ chương trình máy tính Bán dẫn có cấu trúc nano bán dẫn gồm nhiều lớp mỏng xen kẽ nhau, độ dày lớp vào cỡ nano mét (nm) Các bán dẫn có kích thước vào cỡ bước sóng De Broglie điện tử gọi bán dẫn thấp chiều [8] Trong hệ vật liệu này, tùy theo việc điện tử lỗ trống bị giam giữ theo chiều hay nhiều chiều mà hệ có tên gọi khác như: cấu trúc phẳng hai chiều giếng lượng tử, cấu trúc chiều dây lượng tử cấu trúc không chiều chấm lượng tử Trong hệ này, điện tử, lỗ trống exciton chịu ảnh hưởng giam giữ lượng tử, chuyển động chúng bị giới hạn dọc theo chiều giam giữ dẫn đến hiệu ứng học lượng tử, phản ứng khác biệt điện tử so với bán dẫn khối Việc nghiên cứu đặc điểm cấu trúc tượng vật lý cho ta thấy tính chất quan trọng cấu trúc bán dẫn thấp chiều làm thay đổi nhiều đặc tính vật liệu, đồng thời xuất nhiều đặc tính ưu việt mà hệ điện tử chuẩn ba chiều khơng có như: kích thước nhỏ, εa số điện mơi trung bình hệ vật liệu nghiên cứu, NI (z) nồng độ ion tạp phân bố theo phương nuôi mẫu, Ns (z) nồng độ điện tử phân bố theo phương ni mẫu xác định theo hàm sóng phương trình sau Ns (z) = ns |ζ(z)|2 , (2.26) với ns mật độ khí điện tử hai chiều Ta giải phương trình Poisson cho Hartree với điều kiện biên z = ±∞ Trong dị cấu trúc pha tạp điều biến không phân cực, hệ gồm ion tạp chất cho khí điện tử hai chiều trung hòa với nên điện trường Hartree triệt tiêu z = ±∞ [14], hay ∂VH = ∂z (2.27) Tuy nhiên, khí điện tử hai chiều có nguồn gốc từ tạp cho điện tích phân cực tốt nên điều kiện trung hịa khơng đáp ứng hệ Do đó, điều kiện biên khác sau ∂VH = 0, ∂z(−∞) VH (−∞) = EI , (2.28) EI lượng liên kết ion donor Vậy Hartree đưa dạng [10] VH = VI + Vs , (2.29) VI gây tạp cho nằm xa Vs gây nên khí điện tử hai chiều xác định mật độ điện tử ns phân bố theo trục z chúng 38 2.4 Cực tiểu hóa lượng phương pháp biến phân Để xác định hàm sóng phương pháp biến phân, cần xác định tham số biến phân cực tiểu hóa lượng Khi này, cần tính lượng cực tiểu E0 trạng thái Năng lượng ứng với điện tử trạng thái cho biểu thức sau E0 (B0 , C0 ) = T + Vb 0 + VH (2.30) Để tìm E0 , ta tính L/2 T ζ0 (z)∗ Tˆζ0 (z)dz, = (2.31) −L/2 với toán tử Tˆ = − T d2 , ta tính 2m dz π B02 C02 − π + πC0 ψ2 (C0 ) , = 2mL2 πB02 (2.32) L/2 2πz −2C0 z/L ψ2 (C0 ) = sin e dz L −L/2 L Vb VH 4πe2 nI LπB02 − = εa = (2.33) ∂ϕ0 (C0 ) ∂ϕ2 (C0 ) + ∂C0 ∂C0 NI L2S − , L/2 ϕ0 (C) = L e−2Cz/L dz, −L/2 L/2 ϕ2 (C) = L cos −L/2 39 2πz L e−2Cz/L dz (2.34) 2.5 Độ mở rộng vạch phổ tán xạ nhám bề mặt Theo lý thuyết Ando [9], phổ hấp thụ kích thích đơn hạt hai vùng thấp cho e2 f10 2m∗ Reσzz (ω) = dE m∗ Γ(E) f (E) , π ( ω − E10 )2 + Γ2 (E) (2.35) m∗ khối lượng hiệu dụng điện tử,f10 cường độ dao động ứng với độ tách mức lượng hai vùng E10 = E1 − E0 , f (E) hàm phân bố Fermi – Dirac Γ(E) độ rộng phổ nửa cực đại hàm phổ xác định biểu thức Γ(E) = Γ (E) + Γinter (E) , intra (2.36) số hạng có nguồn gốc từ chuyển dời nội vùng số hạng thứ hai có nguồn gốc từ trình chuyển dời vùng [5] Đối với tán xạ bề mặt (SR), cấu hình nhám thơng thường giả định có dạng hàm Gauss Khi tán xạ SR đóng góp vào độ mở rộng lượng xác định biểu thức ΓSR intra (E) = m∗ (∆Λ)2 π dθe−q (F00 − F11 )2 Λ2 /4 , (2.37) ΓSR inter (E) = m∗ (∆Λ)2 π dθe−˜q Λ F01 /4 (2.38) Trong q vectơ tán xạ hai chiều chuyển dời nội vùng xác định q = 4m∗ E(1 − cos θ), (2.39) q˜ vectơ tán xạ hai chiều chuyển dời vùng xác định q˜2 = 4m∗ E + E10 − 40 E(E + E10 ) cos θ (2.40) Các thừa số dạng mang tính địa phương xác định ∓ Fmn = V0 ζm (∓L/2)ζn (∓L/2), (2.41) L độ rộng giếng V0 độ cao rào Ngoài ra, hàm dạng phổ hấp thụ (2.35) biểu diễn chồng chập hàm dạng phổ có dạng hàm Lorentz với lượng khác phân bố theo hàm Fermi – Dirac nên độ rộng vạch phổ định nghĩa cách lấy trung bình độ rộng vạch phổ nửa cực đại hàm phổ −1 ¯=2 γ = 2Γ dEf (E)Γ(E) dEf (E) (2.42) Người ta thấy giếng lượng tử mỏng, đặc biệt nhiệt độ thấp, chuyển dời vùng thông thường bị hạn chế tán xạ SR Phân bố điện tử xác định lượng Fermi EF = kF = √ 2 kF 2m∗ , (2.43) 2πns với ns mật độ điện tử Vậy độ rộng phổ gây nên độ nhám phụ thuộc vào tham số giếng lượng tử (độ rộng giếng mật độ điện tử) phụ thuộc vào tham số cấu hình nhám (biên độ nhám chiều dài tương quan), hay γSR = γSR (L, ns ; ∆, Λ) 41 (2.44) Chương KẾT QUẢ TÍNH TỐN VÀ THẢO LUẬN Chương trình bày việc xác định đơn trị cấu hình nhám giếng lượng tử bán dẫn GaAs/Al0.4 Ga0.6 As từ liệu độ rộng phổ hấp thụ vùng con, có sử dụng số liệu thực nghiệm Để xác định hai kích thước nhám (∆, Λ), thơng thường người ta sử dụng liệu phụ thuộc độ rộng phổ γSR (L, ns ; ∆, Λ) vào độ rộng giếng L mật độ điện tử ns Tuy nhiên để xác định tham số từ việc so sánh mơ hình liệu khó khăn chúng khơng xuất tích phân tán xạ mà cịn xuất tích số ∆Λ Λ Vì vậy, người ta phải điều chỉnh đồng thời ∆ Λ thu kết phù hợp giá trị tính tốn thực nghiệm Bằng cách này, người ta thu khơng cấu hình nhám đơn lẻ mà tập cấu hình với (∆, Λ) khác Đến nay, chưa có phương pháp xác định đơn trị riêng rẽ hai tham số kích thước từ liệu quang học, mà cần phải sử dụng thêm liệu thu từ đại lượng khác, ví dụ độ linh động Chính vậy, cần giới thiệu thêm đặc trưng hàm dạng phổ cho phụ thuộc vào tham số nhám đơn lẻ, chiều dài tương quan Λ Khi này, khảo sát tỉ số hai độ rộng phổ khác nhau, ∆ thừa số tỉ lệ nên tự triệt tiêu, tỉ số hai độ rộng phổ hàm Λ sau [13] Rγ (Λ) = Rγ (L, ns , L , ns ; ∆, Λ) = γSR (L, ns ; ∆, Λ) , γSR (L , ns ; ∆, Λ) (3.1) (L, ns ) (L , ns ) tham số giếng lượng tử với (L, ns ) = (L , ns ) 42 Do Λ không điều khiển nên người ta đo thực nghiệm hàm Rγ (Λ) Hàm Rγ (Λ) tính tốn từ liệu độ rộng vạch phổ hàm khả đo độ rộng giếng mật độ hạt tải với việc sử dụng phương trình (3.1) Bằng phương pháp này, xác định đơn trị chiều dài tương quan Λ, với giá trị cố định, xác định đơn trị biên độ nhám ∆, từ thu cấu hình nhám đơn lẻ Để minh họa phương pháp này, tiến hành xác định cấu hình nhám từ độ rộng vạch phổ hấp thụ vùng thu từ giếng lượng tử GaAs/Al0.4 Ga0.6 As Sự chuyển dời điện tử chịu ảnh hưởng chủ yếu tán xạ nhám bề mặt (SR) tán xạ LO phonon, độ rộng phổ hấp thụ quan sát γtot = γSR + γLO , (3.2) γSR = γtot − γLO , (3.3) hay γtot γLO số liệu từ thực nghiệm 3.1 Xác định giá trị chiều dài tương quan Λ Hàm sóng giải giếng lượng tử vng góc đối xứng có độ cao rào hữu hạn    Ceκx (x ≤ −L/2);    ψ(x) = A sin kx + B cos kx (−L/2 ≤ x ≤ L/2);     De−κx (x ≥ L/2) (3.4) Các tham số giếng lượng tử GaAs/Al0.4 Ga0.6 As trích xuất từ thực nghiệm nhiệt độ 300 K có giá trị cụ thể sau: khối lượng hiệu 43 dụng electron GaAs m∗c = 0, 063m0 , Al0.4 Ga0.6 As m∗ = 0, 0962m0 , độ sâu giếng V0 (x) = 0, eV, độ rộng giếng L = 35 ˚ A, b L = 100 ˚ A, mật độ điện tử ns = 2, × 1013 cm−2 ns = 0, × 1013 cm−2 Hình 3.1: Tỉ số độ rộng vạch phổ Rγ(Λ) = Rγ (L, ns , L , ns , Λ) giếng lượng tử GaAs/AlGaAs với độ rộng giếng L = 35 ˚ A, L = 100 ˚ A Từ hình 3.1, xác định chiều dài tương quan cấu hình nhám có giá trị Λ = 90 ˚ A Sử dụng kết này, vẽ đồ thị độ rộng vạch phổ để xác định giá trị biên độ nhám ∆ 3.2 Xác định giá trị biên độ nhám ∆ Đồ thị độ rộng vạch phổ vẽ theo phương trình (2.44) hàm biên độ nhám ∆ Hình 3.2 đồ thị độ rộng vạch phổ vẽ theo biên độ nhám ∆ với tham số giếng lượng tử cố định sau: độ rộng giếng L = 80 ˚ A, mật độ điện tử ns = 2, × 1013 cm−2 chiều dài tương quan lấy từ hình 3.1 có giá trị Λ = 90 ˚ A Từ hình 3.1 chúng tơi xác định biên độ nhám cấu hình nhám 44 Hình 3.2: Độ rộng vạch phổ γSR(∆) = γSR(L, ns , ∆, Λ) giếng lượng tử ˚ chiều dài tương quan lấy từ hình GaAs/AlGaAs với độ rộng giếng L = 35 A 3.1: Λ = 90˚ A có giá trị ∆ = ˚ A Như vậy, xác định hai kích thước nhám vật liệu GaAs/AlGaAs chiều dài tương quan biên độ nhám có giá trị là: Λ = 90 ˚ Avà ∆ = ˚ A 3.3 So sánh cấu hình nhám thay đổi tham số giếng lượng tử vật liệu GaAs/AlGaAs Trong mục này, chúng tơi khảo sát cấu hình nhám vật liệu GaAs/AlGaAs thay đổi độ rộng giếng lượng tử từ L = 35 ˚ A lên L = 40 ˚ A từ L = 100 ˚ A xuống L = 50 ˚ A Qua khảo sát vẽ đồ thị tỉ số độ rộng vạch phổ Rγ (Λ) đồ thị độ rộng vạch phổ γSR (∆) hình 3.3 3.4 Chúng tơi thu kích thước nhám có giá trị Λ = 90 ˚ A ∆ = 2.5 ˚ A Từ kết trên, nhận thấy thay đổi độ rộng giếng 45 Hình 3.3: Tỉ số độ rộng vạch phổ Rγ(Λ) = Rγ (L, ns , L , ns , Λ) giếng lượng tử GaAs/AlGaAs với độ rộng giếng L = 40 ˚ A, L = 50 ˚ A Hình 3.4: Độ rộng vạch phổ γSR(∆) = γSR(L, ns , ∆, Λ) giếng lượng tử GaAs/AlGaAs với độ rộng giếng L = 40 ˚ A chiều dài tương quan lấy từ hình 3.3: Λ = 90˚ A lượng tử GaAs/AlGaAs chiều dài tương quan khơng có thay đổi, nhiên biên độ nhám lại thay đổi Như loại vật 46 liệu khác độ rộng giếng lượng tử cấu hình nhám vật liệu khác Đây tính chất cần quan tâm xem xét lựa chọn chế tạo loại vật liệu bán dẫn thấp chiều có độ dẫn điện, dẫn nhiệt đặc tính khác phù hợp với mục đích cụ thể 47 KẾT LUẬN Trong luận văn này, tiến hành khảo sát cấu hình nhám từ cường độ hấp thụ tích hợp giếng lượng tử GaAs/AlGaAs Qua trình nghiên cứu thực hiện, luận văn đạt kết trình bày sau Đã trình bày tổng quan vật liệu bán dẫn GaAs/AlGaAs, mơ hình giếng lượng tử, từ thấy khác loại giếng Đã xác định hai tham số đặc trưng cho cấu hình nhám giếng lượng tử GaAs/AlGaAs, biên độ nhám ∆ chiều dài tương quan Λ thông qua việc điều chỉnh hai bước sau: - Trước hết, vẽ đồ thị tỉ số độ rộng vạch phổ Rγ (Λ) = Rγ (L, ns , L , ns ; Λ), từ xác định chiều dài tương quan có giá trị Λ = 90 ˚ A - Sau đó, với giá trị Λ = 90 ˚ Avừa tìm trên, vẽ đồ thị độ rộng vạch phổ γSR (Λ) = γSR (Λ)L, ns , ∆, Λ) xác định biên độ nhám có giá trị ∆ = ˚ A Cũng với vật liệu GaAs/AlGaAs thay đổi độ rộng giếng lượng tử cấu hình nhám có thay đổi biên độ nhám, kết cụ thể Λ = 90 ˚ A ∆ = 2.5 ˚ A Như vậy, việc xem xét đến tham số giếng lượng tử hình thành trình chế tạo vật liệu quan trọng nhằm tạo vật liệu với đặc tính mong muốn Trên kết mà đạt thời gian nghiên cứu, thực hoàn thành luận văn Do thời gian có hạn nên tơi tiến hành nghiên cứu vật liệu GaAs/AlGaAs Luận văn mở rộng nghiên cứu cấu hình nhám từ cường độ hấp thụ tích 48 hợp nhiều vật liệu khác nhau, vật liệu với mức độ pha tạp chất khác nhau, khảo sát thay đổi cấu hình nhám vật liệu theo tham số giếng lượng tử độ rộng giếng, độ sâu giếng hay mật độ điện tử 49 TÀI LIỆU THAM KHẢO I Tiếng Việt Nguyễn Quang Báu, Đỗ Quốc Hùng, Vũ Văn Hùng, Lê Tuấn (2004), Lý thuyết bán dẫn, NXB Đại học Quốc gia Hà Nội Lê Đình (2016), Vật lý hệ thấp chiều, Bài giảng dành cho học viên chuyên ngành Vật lý lý thuyết Vật lý Toán, Trường Đại học Sư phạm, Đại học Huế Lê Đình, Trần Cơng Phong (2011), Cơ học lượng tử, Bài giảng dành cho học viên (sinh viên) chuyên ngành Vật lý lý thuyết Vật lý Toán, Trường Đại học Sư phạm, Đại học Huế Nguyễn Thị Nhơn (2014), Khảo sát độ linh động giếng lượng tử tam giác GaAs/AlGaAs, Luận văn Thạc sĩ chuyên ngành Vật lý lý thuyết Vật lý Toán, Trường Đại học Sư phạm, Đại học Huế Dương Đình Phước (2014), Khảo sát cấu hình nhám bề mặt giếng lượng tử InAs/GaAs, Luận văn thạc sĩ chuyên ngành Vật lý lý thuyết Vật lý Toán, Trường Đại học Sư phạm, Đại học Huế Đinh Như Thảo (2013), Tính chất quang vật rắn, Bài giảng dành cho học viên chuyên ngành Vật lý lý thuyết Vật lý Toán, Trường Đại học Sư phạm, Đại học Huế Nguyễn Thành Tiên, Đặng Minh Thứ Lê Thị Thu Vân (2013), "Độ rộng vạch phổ hấp thụ tạo cấu trúc giếng lượng tử AlGaAs/GaAs/AlGaAs pha tạp điều biến tán xạ nhám bề mặt" Tạp chí Khoa học Trường Đại học Cần Thơ, (27), tr 95-102 Phạm Thị Thủy (2013), Nghiên cứu chế tạo số chế kích thích chuyển hóa lượng vật liệu bán dẫn hợp chất III 50 – P cấu trúc nano, Luận án Tiến sĩ Khoa học Vật liệu, Viện Khoa học Vật liệu II Tiếng Anh Ando T (1985), Line width intersubband absorbtion in Invertion layers: Scatering from charged ions, Journal of the Physical Society of Japan, 54, 2671 10 Bastard G (1988), Wave mechanics applied to semiconductor heterostructures, Avenue du Hoggar, Zone Inductrielle de Courtaboeuf, France 11 Campman K L., Schmidt H., Imamoglu A., and Gossard A C (1996), "Interface roughness and alloy-disorder scattering contributions to intersubband transition linewidths", Applied Physics Letters, 69, 2554 12 Doan Nhat Quang, Nguyen Nhu Dat, Nguyen Thanh Tien, and Dinh Nhu Thao (2012), "Single-valued estimation of the interface profile from intersubband absorption linewidth data", Applied Physics Letters, 100, 113103 13 Dinh Nhu Thao, Nguyen Thanh Tien, Huynh Ngoc Toan and Doan Nhat Quang (2016), "One-Sample based Single-Valued Estimation of the Interface Profile from Intersubband Integrated Absorption Intensity Data", Journal of the Physical Society of Japan, 85, 074603 14 Jena D., Smorchkova Y P., Elsass C R., Gossard A C., Mishra U K (Edited by N Miura and T Ando) (2000), Proceedings of the 25th International Conference on Physics of Semiconductors, Osaka, p 771 51 15 Takeya U., Masahiro Y., Takeshi N., Hiroyuki S and Hidefumi A (2003), "Intersubband absorption linewidth in GaAs quantum wells due to scattering by interface roughness, phonons, alloy disorder, and impurities", Journal of Applied Physics, 93, 1586 52 ... cứu cấu hình nhám tính tốn từ cường độ hấp thụ tích hợp giếng lượng tử GaAs/ AlGaAs Từ lí nêu trên, tơi định chọn đề tài ? ?Khảo sát cấu hình nhám từ cường độ hấp thụ tích hợp giếng lượng tử GaAs/ AlGaAs? ??... tìm độ rộng phổ để tính tốn cấu hình nhám người ta lại đưa khái niệm cường độ hấp thụ tích hợp cách kiểm tra thứ hai cấu hình nhám giếng lượng tử Bởi từ cường độ hấp thụ tích hợp suy cấu hình nhám. .. Chương KHẢO SÁT CẤU HÌNH NHÁM TỪ CƯỜNG ĐỘ HẤP THỤ TRONG GIẾNG LƯỢNG TỬ GaAs/ AlGaAs Chương trình bày tổng quan mơ hình vật lý hệ vật liệu GaAs/ AlGaAs, dạng giam giữ với chế độ giam giữ giếng lượng tử