Kỹ thuật PWM cải tiến cho nghịch lưu 5 bậc Cascade H-Bridge với khả năng tăng áp

Bài viết này trình bày phân tích mạch, các nguyên lý hoạt động và kết quả mô phỏng của CHB-5L-qSBI. Một mô hình thực nghiệm được xây dựng dựa trên bộ xử lý tín hiệu số (DSP) TMS320F28335 để kiểm tra nguyên lý hoạt động của CHB-5L-qSBI.

Tạp Chí Khoa Học Giáo Dục Kỹ Thuật Số 54 (09/2019) Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật TP Hồ Chí Minh 67 KỸ THUẬT PWM CẢI TIẾN CHO NGHỊCH LƯU BẬC CASCADE H-BRIDGE VỚI KHẢ NĂNG TĂNG ÁP MODIFIED PWM STRATEGY FOR FIVE LEVEL CASCADE H-BRIDGE INVERTER WITH BOOST VOLTAGE CAPABILITY Đỗ Đức Trí1, Quách Thanh Hải1, Trần Vĩnh Thanh1, Nguyễn Thanh Phương2, Phan Phúc Huy2, Văn Đức Chiến2 Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật Thành phố Hồ Chí Minh, Việt Nam 2Trường Đại học Cơng Nghệ Thành phố Hồ Chí Minh, Việt Nam Ngày tồ soạn nhận 2/8/2019, ngày phản biện đánh giá 28/8/2019, ngày chấp nhận đăng 3/10/2019 TÓM TẮT Nghịch lưu tăng áp tựa khóa chuyển mạch (qSBI) có ưu điểm so với nghịch lưu tựa nguồn Z (qZSI), với việc giảm tụ điện cuộn dây Nghịch lưu tựa khóa chuyển mạch khơng áp dụng cho cấu hình liên kết cầu H (CHB) để tạo nghịch lưu năm bậc pha liên kết (NCHB-1P-5LI) mà giảm độ gợn dòng điện cuộn cảm cách sử dụng hai sóng mang tần số cao Vcar1 Vcar2, với Vcar2 tạo cách dịch pha Vcar1 900 Bài báo trình bày phân tích mạch, nguyên lý hoạt động kết mơ CHB-5L-qSBI Một mơ hình thực nghiệm xây dựng dựa xử lý tín hiệu số (DSP) TMS320F28335 để kiểm tra nguyên lý hoạt động CHB-5L-qSBI Từ khóa: Nghịch lưu ghép cầu H; Nghịch lưu tăng áp; nghịch lưu năm bậc; ngắn mạch; nghịch lưu tựa nguồn Z ABSTRACT The quasi-switched boost inverter (qSBI) has the advantage over the quasi-Z-source inverter (qZSI) in reducing one capacitor and one inductor The qSBI is not only applied to the cascaded H-bridge (CHB) topology to create a new cascaded single-phase five-level inverter (CHB-1P-5LI) but also reduces the current ripple of the inductor by using two highfrequency carriers vcar1 and vcar2, where vcar2 is generated by shifting vcar1 through 90° This paper presents circuit analysis, the operating principles, and simulation results of the CHB-5L-qSBI A laboratory prototype was constructed based on a DSP TMS320F28335 to validate the operating principle of the CHB-5L-qSBI Keywords: Cascaded H-bridge inverter; boost inverter; five-level inverter; shoot-through state (ST); quasi-Z-source inverter GIỚI THIỆU Ngày nay, nghịch lưu đa bậc đóng vai trị quan trọng cho ứng dụng công suất cao lợi chúng so với nghịch lưu điều chế độ rộng xung (PWM) thông thường Những lợi biến tần đa bậc sau: dạng sóng ngõ cải thiện với THD thấp hơn, kích thước lọc nhỏ nhiễu điện từ thấp (EMI) [1] - [4] Những cấu hình nghịch lưu đa bậc truyền thống có ba dạng nghịch lưu tổng qt là: cấu hình diode kẹp (Neutral Point Clamped-NPC), cấu hình tụ bay (Flying Capacitor-FC) cấu hình ghép tầng cầu H (Cascade H-Bridge-CHB) [5] - [7] Các diode tụ điện sử dụng để làm tăng mức điện áp ngõ nghịch lưu diode kẹp tụ bay Mặt khác, để đạt mức điện áp ngõ cao phải tăng nguồn DC ngõ vào Nghịch lưu CHB-5L thông thường, nghịch lưu sử dụng điện áp DC-link để tạo điện áp điều chế ngõ Tổng 68 Tạp Chí Khoa Học Giáo Dục Kỹ Thuật Số 54 (09/2019) Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật TP Hồ Chí Minh điện áp ngõ CHB đạt tổng hai ngõ nghịch lưu độc lập Mỗi nghịch lưu tạo ngõ ba bậc Cấu hình Cascade có vài thuận lợi như: sử dụng nguồn độc lập ghép nhiều module cầu H Ngoài ra, điện áp ngõ CHB đạt đến điện áp trung bình có số bậc ngõ cao dẫn đến giảm kích thước lọc ngõ không cần sử dụng biến áp tăng áp Tuy nhiên, nghịch lưu CHB truyền thống hoạt động giảm áp (điện áp AC ngõ thấp điện áp DC ngõ vào) Hơn nữa, CHB truyền thống khơng cho phép trạng thái hai khóa nhánh dẫn đồng thời (hiện tượng trùng dẫn - Shoot Through) Hiện tượng làm ngắn mạch nguồn áp ngõ vào nghịch lưu gây hư hại hệ thống Bộ dead-time thường sử dụng để hạn chế ảnh hưởng ST Tuy nhiên, việc sử dụng dead-time làm suy giảm hiệu suất chuyển đổi công suất Để cải tiến bất lợi nghịch lưu CHB truyền thống, nghịch lưu CHB tựa nguồn Z (CHB-qSBI) với chặng chuyển đổi trình bày [8] Một giải thuật điều khiển phát triển CHB tựa nguồn Z cho nghịch lưu pha đa bậc nối lưới trình bày [9] Tuy nhiên, module mạng nguồn kháng sử dụng hai tụ điện hai cuộn dây mức điện áp ngõ yêu cầu cao hơn, dẫn đến kích thước tụ điện cuộn dây phải lớn hơn, kết làm tăng trọng lượng giá thành hệ thống Để cải thiện bất lợi trọng lượng, kích thước giá thành hệ thống, cấu hình nghịch lưu tăng áp khóa chuyển mạch (SBI) trình bày [10] Trạng thái ngắn mạch để tăng áp SBI sử dụng giống nghịch lưu tựa nguồn Z Tuy nhiên, SBI sử dụng nhiều khóa tích cực diode so với nghịch lưu tựa nguồn Z Một cấu hình đề xuất nghịch lưu tăng áp tựa khóa chuyển mạch (qSBI) đề xuất [11] để giảm điện áp stress tụ, tăng hệ số tăng áp cải tiến dòng điện ngõ vào Một báo cáo so sánh hai cấu hình qSBI qZSI trình bày [12] Những ưu điểm qSBI so với qZSI có tính trội sau: sử dụng cuộn dây, với điện cảm cao sử dụng tụ điện với điện dung thấp hơn, hệ số tăng áp cao so sánh thơng số, dịng điện đặt diode khóa tích cực thấp hiệu suất cao Do ưu điểm qSBI so với cấu hình trình bày Vì cấu hình CHB-5L-qSBI phân tích kiểm chứng thông qua mô phần mềm PSIM kiểm chứng mơ hình thực nghiệm L1 CẤU HÌNH NGHỊCH LƯU CASCADE H-BRIDGE BẬC TỰA KHĨA CHUYỂN MẠCH S1 D11 S11 S13 Lf iL Vdc1 +V - 01 C1 D12 S12 S14 Cf L2 S2 D21 S21 R load S23 iL + V02 - Vdc2 C2 D22 S22 S24 Hình Cấu trúc CHB-5L-qSBI L1 D11 + iL1 C1 Vdc D11 L1 S AC load VPN + S iL1 C1 Vdc D12 VPN AC load D12 - - (a) (b) L1 S iL1 D11 C1 Vdc + VPN AC load D12 - (c) Hình Nguyên lý hoạt động CHB5L-qSBI Cấu trúc mạch CHB-5L-qSBI gồm hai mạch nghịch lưu cầu H tựa khóa chuyển mạch (HB-qSBI) ghép nối tiếp với HB-qSBI (UHB-qSBI) HB-qSBI (LHB-qSBI) biểu diễn Hình Mỗi mạch có cấu tạo gồm mạng trở kháng (qSB) đặt phía trước mạch cầu H (HB) Mạng qSB gồm có cuộn dây (L1 L2), tụ điện (C1 C2) hai diode (D11, D12 D21, D22) khóa bán dẫn Tạp Chí Khoa Học Giáo Dục Kỹ Thuật Số 54 (09/2019) Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật TP Hồ Chí Minh (S1 S2) HB có cấu tạo gồm khóa bán dẫn (S11, S12, S13, S14 UHB-qSBI) (S21, S22, S23, S24 LHB-qSBI) biểu diễn Hình Với cấu trúc này, HB có khả tạo cấp điện áp ngõ ra: +VPN, 0, -VPN cách kích đóng khóa bán dẫn tương ứng liệt kê Bảng Trong đó, VPN điện áp ngõ mạng qSB Điện áp ngõ CHB-5L-qSBI tổng điện áp ngõ hai mạch HB-qSBI T VST vcar1 vcar2 v ref_an vref_a t -VST -1 ΔIL1 =ΔIL2 D0T/2 t S1 S11 S13 S2 S21 S23 D0T/2 Trạng thái ngắn mạch t t t Trạng thái ngắn mạch t t t0 t1 t2 t3 t4 t5 t6 t7 t8 t9 D0T/2 = Tất khóa UHB-qSBI kích đóng thời điểm Bảng Trạng thái đóng cắt HB-qSBI (x = 1, 2) NST NST Khóa kích đóng Diode dẫn +VPN Sx, Sx2, Sx4 Dx2 Sx, Sx2, Sx3 -VPN Sx1, Sx4 +VPN Sx, Sx2, Sx4 Sx, Sx1, Sx3 Dx1, Dx2 Sx, Sx2, Sx3 ST Điện áp ngõ Sx, Sx1, Sx4 Sx, Sx1, Sx3 Sx1, Sx2, Sx3, Sx4, sóng mang có tần số cao lệch pha 900 (Vcar1 Vcar2) biểu diễn Hình Tín hiệu tham chiếu có phương trình sau: Vref _ a  m.sin( )  Vref _ an  m.sin( ) (1) Trong đó: m số điều chế (0 ≤ m ≤ 1), 𝜃 góc pha ≤ 𝜃 ≤ 2𝜋 Hai tín hiệu 𝑉𝑆𝑇 −𝑉𝑆𝑇 sử dụng để tạo xung kích ngắn mạch cho mạch HB khóa Sx mạch qSB Trạng thái đóng ngắt khóa HB5L-qSBI biễu diễn Hình Trong xung kích cho khóa S12 S14 nghịch đảo S11 S13 Tương tự cho khóa S21, S22, S23, S24 Trạng thái ngắn mạch tạo cách kích đóng tất khóa HB biểu thị ký hiệu cho mạch UHB-qSBI LHB-qSBI t = Tất khóa LHB-qSBI kích đóng thời điểm Hình Kỹ thuật điều khiển PWM cải tiến CHB-5L-qSBI Trạng thái 69 0 -VPN Dx1 Do đó, ngõ mạch nghịch lưu có bậc điện áp là: +2VPN, +VPN, 0, -VPN, -2VPN Phương pháp PWM điều khiển mạch HB-5L-qSBI sử dụng hai tín hiệu tham chiếu dạng sine (Vref_a Vref_an) hai tín hiệu 2.1 Nguyên lý hoạt động Do hoạt động hai mạch HB-qSBI tương tự nên báo phân tích ngun lý hoạt động mạch UHBqSBI Có hai chế độ suốt q trình hoạt động UHB-qSBI là: chế độ khơng ngắn mạch (NST) chế độ ngắn mạch (ST) 2.1.1 Trạng thái không ngắn mạch Trạng thái NST 1: (từ t2 đến t3 t6 đến t7) biểu diễn Hình 2a Trong trạng thái này, khóa S1 đóng, diode D11 phân cực ngược diode D12 phân cực thuận Mạch nghịch lưu tạo cấp điện áp ngõ tùy thuộc vào trạng thái đóng ngắt khóa bán dẫn cầu H Tụ điện C1 xả lượng cuộn dây L1 nạp lượng từ nguồn Điện áp qua cuộn dây L1 xác định sau: VL1  Vdc1 (2) Trạng thái NST 2: (từ t1 đến t2, t3 đến t4, t5 đến t6 t7 đến t8) biểu diễn Hình 2b Khóa S1 kích ngắt, mạch nghịch lưu tạo cấp điện áp ngõ Diode D11 D12 phân cực thuận Cuộn dây L1 truyền Tạp Chí Khoa Học Giáo Dục Kỹ Thuật Số 54 (09/2019) Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật TP Hồ Chí Minh 70 lượng từ nguồn đến tải Tụ điện C1 nạp lượng Điện áp qua cuộn dây tính tốn sau: VL1  Vdc  VC1 (3) Vx  m.2VC  m 2.1.2 Trạng thái ngắn mạch Trạng thái ST: (t0 đến t1, t4 đến t5 t8 đến t9) biểu diễn hình 2c Trong khoảng thời gian này, tất khóa mạch cầu H kích đóng đồng thời Do điện áp ngõ điện áp DC-link mạch nghịch lưu không Tụ điện C1 cách ly khỏi mạch công suất diode D12 phân cực ngược khóa S1 kích ngắt Trong diode D11 phân cực thuận Cuộn dây L1 nạp lượng từ nguồn DC ngõ vào Tương tự trạng thái NST 1, điện áp qua cuộn dây L1 xác định sau: VL1  Vdc (4) 2.2 Phân tích trạng thái ổn định Tổng thời gian tồn trạng thái ST trạng thái NST chu kỳ sóng mang (từ t0 đến t9 biểu diễn Hình 3) 2D0T Từ đó, dễ dàng xác định thời gian tồn trạng thái NST (1-2D0)T Giả sử, tụ điện C1 có giá trị đủ lớn để điện áp tụ điện có giá trị khơng đổi suốt trình hoạt động Điện áp tụ C1 trạng thái xác lập xác định sau: VC1  Vdc1  D0 Biên độ đỉnh sóng hài bậc điện áp ngõ tính dựa số điều chế m, hệ số ngắn mạch D0 điện áp ngõ vào sau: 2Vdc  D0 (8) m số điều chế xác định  m  (9) D0 hệ số ngắn mạch xác định m  D0  (10) KẾT QUẢ MÔ PHỎNG VÀ THỰC NGHIỆM 3.1 Kết mô Bảng Thông số mô thực nghiệm cho CHB-5L-qSBI Thông số thành phần Điện áp ngõ vào Điện áp ngõ Tần số ngõ Tần số sóng mang Tỉ số ngắn mạch Tỉ số điều chế Điện cảm Tụ điện Mạch lọc LC Tải trở Giá trị Vdc 50 V Vo 110 V fo 50 Hz fs kHz D 0.273 M 0.727 L1 = L2 3mH/ 20 A C1 = C2 2200F/400 V Lf Cf 3mH 10uF Rt 40 Ω (5) Đối với phương pháp PWM điều khiển cho CHB-5L-qSBI biểu diễn Hình 3, thời gian ngắn mạch cho hai mạch cầu H thời gian kích đóng cho khóa S1 S2 chu kỳ sóng mang Do đó, điện áp tụ C2 xác định sau: VC  VC1  VC  Vdc  D0 (6) Độ gợn sóng dịng điện qua cuộn dây L1 L2 tính tốn như: I L  Vdc D0 Lf (7) Hình Kết mơ từ xuống dưới: dạng sóng điện áp tụ (C1, C2) điện áp ngõ vào (Vdc1, Vdc2), dòng điện cuộn dây tăng áp (IL1 IL2) cho CHB-5L-qSBI Tạp Chí Khoa Học Giáo Dục Kỹ Thuật Số 54 (09/2019) Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật TP Hồ Chí Minh 71 điện trung bình cuộn dây tăng áp đạt 4.0A Như kết từ Hình Hình thấy rằng, dịng điện trung bình cuộn tăng áp giải thuật PWM cải tiến giảm 0.8A so với giải thuật PWM thơng thường Hình thấy dòng điện hiệu dụng ngõ tải R đạt 1.89A điện áp ngõ hiệu dụng đạt 156V 3.2 Kết thực nghiệm Hình Kết mơ từ xuống dưới: dạng sóng điện áp tụ (C1, C2) điện áp ngõ vào (Vdc1, Vdc2), dòng điện cuộn dây tăng áp (IL1 IL2) cho PWM thông thường Bảng liệt kê thông số kỹ thuật mô thực nghiệm cho cấu hình CHB-5L-qSBI Để kiểm tra nguyên lý hoạt động CHB-5L-qSBI Hình 1, phần mềm mô PSIM sử dụng Khởi tạo Vdc1 = Vdc2 = 50 V Điện áp ngõ CHB-5L-qSBI có năm cấp; điện áp tải 110 Vrms Hình Kết thực nghiệm dạng sóng ngõ dịng điện Id điện áp pha Vo Hình 7, từ xuống dưới, thấy điện áp ngõ vào Vdc1=Vdc2=50V, điện áp tụ Vc1=Vc2=108V Kết thực nghiệm gần với kết mơ Hình Kết thực nghiệm dạng sóng dịng điện IL1 IL2 cuộn dây tăng áp Hình Kết mơ dạng sóng dịng điện ngõ (IR) điện áp ngõ (V0) Hình 4, điện áp ngõ vào (Vdc1 Vdc2) khởi tạo 50V điện áp tụ đạt (VC1 VC2) 110V, dòng điện cuộn dây tăng áp (IL1 IL2) 3.2A Hình điện áp ngõ vào điện áp tụ có giá trị nhiên với giải thuật PWM thơng thường giá trị dịng Hình Kết thực nghiệm dạng sóng dịng điện ngõ (IR) điện áp ngõ (V0) 72 Tạp Chí Khoa Học Giáo Dục Kỹ Thuật Số 54 (09/2019) Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật TP Hồ Chí Minh Hình 8, dòng điện cuộn dây tăng áp đạt IL1=IL2= 3.15A thời gian 40μs/div Kết Hình so với kết mơ Hình nhỏ 0.05A Bởi vì, kết thực nghiệm khóa cơng suất phải chịu điện áp rơi cịn kết mô điện áp rơi xem lý tưởng Hình 11 trình bày kết mơ hình thí nghiệm cho hệ thống CHB-5L-qSBI KẾT LUẬN Bài báo trình bày mạng nguồn kháng qSB kết nối với nghịch lưu cascade cầu H pha năm bậc Bên cạnh tính tăng, giảm áp (Buck-Boost), chịu đựng ngắn mạch đa bậc Với giải thuật trình bày, giải thuật cịn giảm độ gợn dòng điện cuộn dây tăng áp Nguyên lý hoạt động kết mô thực nghiệm cho cấu hình CHB5L-qSBI phân tích phù hợp với sở lý thuyết Cấu hình giải thuật cho CHB-5L-qSBI phù hợp với ứng dụng công suất trung bình nhỏ như: hệ thống PV, pin nhiên liệu động Hình 10 Kết thực nghiệm THD dịng điện ngõ (IR) Hình 10 trình bày độ méo dạng dịng điện ngõ (THDi) đạt 3.97% trị hiệu dụng dòng điện 1.674A Với kết THDi thỏa mãn tiêu chí nhỏ 5% tiêu chuẩn IEC61000-4-30 Edition Class A [13] Hình 11 Mơ hình thực nghiệm cho CHB-5LqSBI Hình trình bày kết thực nghiệm dịng điện ngõ (IR) điện áp ngõ (V0) Từ kết thấy trị hiệu dụng dòng điện đạt 1.73A điện áp hiệu dụng ngõ đạt 145V LỜI CẢM ƠN Bài báo thực phịng thí nghiệm điện tử công suất nâng cao D405 với hổ trợ dự án KC186 Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật Thành phố Hồ Chí Minh Danh mục từ viết tắt Total Harmonic THD Distortion qSBI Quasi Switch Boost Inverter CHB-FL Cascaded H-Bridge FiveLevel CHB-5L-qSBI Cascaded H-Bridge FiveLevel quasi switch bosst inverter qZS Quasi-Z-Source CHB Cascaded H-Bridge PWM Pulse Width Modulation IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor SPWM Sine Pulse Width Modulation Tạp Chí Khoa Học Giáo Dục Kỹ Thuật Số 54 (09/2019) Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật TP Hồ Chí Minh 73 TÀI LIỆU THAM KHẢO Quách Thành Hải, Lê Huỳnh Lý, Đỗ Đức Trí, “Giải thuật điều chế sóng mang với đa sóng điều khiển cho nghịch lưu lai bậc,” Tạp chí Khoa học Giáo dục Kỹ thuật, Trường Đại học Sư Phạm Kỹ thuật, số 41, Mar 2017 [2] Multilevel inverters: a survey of topologies, controls, and applications’, IEEE Trans Ind Electron., 49, (4), pp 724–738, 2002 [3] Kouro, S., Malinowski, M., Gopakumar, K., et al.: ‘Recent advances and industrial applications of multilevel converters’, IEEE Trans Ind Electron., 57, (8), pp 2553– 2580, 2010 [4] Pereda, J., Dixon, J.: ‘Cascaded multilevel converters: optimal asymmetries and floating capacitor control’, IEEE Trans Ind Electron., 60, (11), pp 4784–4793, 2013 [5] Rodriguez, J., Bernet, S., Steimer, P K., et al.: ‘A survey on neutral-point clamped inverters’, IEEE Trans Ind Electron., 57, (7), pp 2219–2230, 2010 [6] Druant, J., Vyncke, T., Belie, F D., et al.: ‘Adding inverter fault detection to modelbased predictive control for flying-capacitor inverters’, IEEE Trans Ind Electron., 62, (4), pp 2054–2063, 2015 [7] Ding K., Cheng K.W.E., Zou Y.P.: ‘Analysis of an asymmetric modulation methods for cascaded multilevel inverters’, IET Power Electron., 5, (1), pp 74–85, 2012 [8] Sun, D., Ge, B., Yan, X., et al.: ‘Modeling, impedance-design, and efficiency analysis of quasi-Z-source module in cascaded multilevel photovoltaic power system’, IEEE Trans Ind Electron., 61, (11), pp 6108–6117, 2014 [9] Liu, Y., Ge, B., Abu-Rub, H., et al.: ‘An effective control method for quasi-Zsource cascade multilevel inverter-based grid-tie single-phase photovoltaic power system’, IEEE Trans Ind Inform., 10, (1), pp 399–407, 2014 [10] Ravindranath, A., Mishra, S., Joshi, A.: ‘Analysis and PWM control of switched boost inverter’, IEEE Trans Ind Electron., 60, (12), pp 5593–5602, 2013 [11] Nguyen, M K., Le, T V, Park, S J, et al.: ‘A class of quasi-switched boost inverters’, IEEE Trans Ind Electron., 62, (3), pp 1526–1536, 2015 [12] Nguyen, M K., Lim, Y C., Park, S J.: ‘A comparison between single-phase quasi-Zsource and quasi-switched boost inverters’, IEEE Trans Ind Electron., 62, (10), pp 6336–6344, 2015 [1] [13] IEC 61000-4-30: 2015 Testing and Measuring Techniques—Power Quality Measurement Methods; IEC: Geneva, Switzerland, 2015 © 2019 by the authors Submitted for possible open access publication under the terms and conditions of the Creative Commons Attribution (CC BY) license (http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/) Tác giả chịu trách nhiệm viết: Đỗ Đức Trí Trường Đại học Sư Phạm Kỹ Thuật Tp HCM Email: tridd@hcmute.edu.vn ... tích cực diode so với nghịch lưu tựa nguồn Z Một cấu hình đề xuất nghịch lưu tăng áp tựa khóa chuyển mạch (qSBI) đề xuất [11] để giảm điện áp stress tụ, tăng hệ số tăng áp cải tiến dòng điện ngõ... Khoa Học Giáo Dục Kỹ Thuật Số 54 (09/2019) Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật TP Hồ Chí Minh điện áp ngõ CHB đạt tổng hai ngõ nghịch lưu độc lập Mỗi nghịch lưu tạo ngõ ba bậc Cấu hình Cascade có vài... suất Để cải tiến bất lợi nghịch lưu CHB truyền thống, nghịch lưu CHB tựa nguồn Z (CHB-qSBI) với chặng chuyển đổi trình bày [8] Một giải thuật điều khiển phát triển CHB tựa nguồn Z cho nghịch lưu