Báo cáo tiểu luận Vật lý Nghiên cứu tính chất quang điện của màng mỏng TiN

ĐẠI HỌC QUỐC GIA TP.HCM TRƯỜNG ĐH KHOA HỌC TỰ NHIÊN ¤¤¤¤¤ KHOA VẬT LÝ BM VẬT LÝ ỨNG DỤNG MÔN : CÁC PHƯƠNG PHÁP TH ỰC NGHIỆM CHUYÊN NGÀNH BÁO CÁO TIỂU LUẬN : NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT QUANG ĐIỆN CỦA MÀNG MỎNG TiN GVHD : Lê Trấn HVTH : Phạm Văn Thịnh TP.Hồ Chí Minh, ngày 12 tháng 04 năm 2010 HV :Phạm Văn Thịnh Lớp Cao học VTDT Khóa 19 I GIỚI THIỆU MÀNG TiN Ngày nay, màng mỏng có nhiều ứng dụng nhiều lĩnh vực như: cơ, nhiệt, điện , từ…Đặc biệt lĩnh vực quang học, màng mỏng ứng dụng đa dạng như: màng khử phản xạ đơn lớp đa lớp, màng dẫn điện suốt, màng quang tích hợp, gương lạnh, gương nóng Một số tính chất màng TiN : Màng TiN vật liệu có màu kim lọai vàng, độ cứng cao (21 - 24 GPa), chịu nhiệt (nhiệt nóng chảy 2950 0C), chống ăn mòn, có điện trở suất nhỏ (20 - 30µΩ.cm) Hơn nữa, màng mỏng TiN có độ phản xạ cao vùng hồng ngoại, chiết suất thấp hệ số tắt cao màng Au, thích hợp làm lớp hệ thống màng đa lớp Tuy nhiên, tùy vào mục đích sử dụng khác mà nhiều tác giả sử dụng phương pháp chế tạo màng khác l ọai đế khác Với mục đích dùng màng TiN làm hàng rào khuyếch tán công nghệ IC, số tác giả chế tạo màng TiN đế Si, cho điện trở suất cỡ 25µΩ.cm Một số tác giả khác ứng dụng tích chất học màng ứng dụng cho mục đích trang trí, họ sử dụng đế thép (304) đế MgO(001), kết cho màng TiN có điện trở suất cỡ 13µΩ.cm - 192µΩ.cm, số công trình khác, tác giả chế tạo màng TiN đế thủy tinh lại cho kết điện trở suất từ 50200µΩ.cm Hình1 : Giản đồ lượng hợp chất Ti II CÁC PHƯƠNG PHÁP XÁC Đ ỊNH TÍNH CHẤT CỦA MÀNG Các tính chất màng nghiên cứu cách sử dụng phương pháp đo nhiễu xạ tia X, phương pháp bốn mũi dò, phổ truyền qua quang học… Xác định thông số quang học 1.1 Phương pháp phổ truyền qua Để xác định thông số quang học màng mỏng (độ dày, chiết suất, hệ số hấp thụ, hệ số tắt…) ta tiến hành xác định phổ truyền qua màng Từ thông số phổ truyền qua thu phương pháp tính toán ta xác định thông số quang học màng HV :Phạm Văn Thịnh Lớp Cao học VTDT Khóa 19 1.2 Phương pháp Ellipsometry Phương pháp xác định cấu trúc màng 2.1 Phương pháp nhiễu xạ tia X 2.2 Phương pháp Stylus 2.3 Phép đo hiệu ứng Hall 2.4 Phương pháp sử dụng phần mềm khớp phổ Scout - Mục đích: độ dày, chiết suất, độ rộng vùng cấm, điện trở suất, nồng độ hạt tải độ linh động - Nguyên tắc:  Khai báo liệu: vật liệu tạo màng, thông số quang ban đầu vật liệu  Xác định loại phổ cần làm khớp, vẽ phổ lý thuyết dựa thông số khai báo  Chọn thông số muốn làm khớp cho phổ lí thuyết trùng khớp với phổ thực nghiệm  Thay đổi dần thông số để kết làm khớp tốt Từ ta xác định thông số màng Xác định điện trở suất 3.1 Phương pháp đo điện trở vuông 3.2 Phương pháp đo bốn mũi dò   Rs d Với : Rs   U G ln I G : Số hiệu chỉnh (tùy thuộc vào hình dạng kích thước mẫu) Hình : Mạch bốn mũi dò III ỨNG DỤNG TỪ MỘT SỐ TÍNH CHẤT CỦA MÀNG TiN Màng phản xạ hệ màng đa lớp 1.1 Giới thiệu Trong năm gần nhiều tác giả nước tập trung nghiên cứu màng gương nóng truyền qua – màng có độ HV :Phạm Văn Thịnh Lớp Cao học VTDT Khóa 19 truyền qua cao vùng khả kiến (bước sóng: 380nm ≤ λ ≤ 760nm) phản xạ cao vùng hồng ngoại ( λ ≥ 760nm) Màng gương nóng truy ền qua tạo nhiều hướng như: - Màng dẫn điện như: Bạc, vàng đồng có độ phản xạ cao vùng hồng ngọai, hấp thụ vùng khả kiến (màng kim loại thường không bền nhiệt, hóa học) - Màng bán dẫn có độ phản xạ cao vùng hồng ngọai như: MgO, ZnO, NiO, SiO, SnO , Bi2O3, PbO In 2O3; Bán dẫn pha tạp SnO 2:F, SnO2:Sb, ZnO:Al, ZnO:Ga, ITO (Màng bán dẫn phản xạ cao vùng bước sóng > 2000nm, xa so với cực đại phổ xạ lượng mặt trời) - Màng đa lớp điện môi-kim loại điện môi-kim loại-điện môi Màng đa lớp có khả khắc phục nhược điểm màng bán dẫn pha tạp có vùng bước sóng phản xạ rộng > 760 nm bền màng kim loại cơ, nhiệt hóa học Trong đó, số loại màng đa lớp điện môi-kim loại-điện môi, nhiều tác giả nghiên cứu : SiO 2/Al/SiO2, Al2O3/Mo/Al2O3, TiO2/Ag/TiO 2, Al2O3/Cu/Al2O3, trội hệ màng đa lớp TiO2/Ag/TiO 2, TiO có chiết suất cao nên khử phản xạ tốt màng có độ bền học cao Tuy nhiên, lớp kim lọai Ag không bền học, hóa học lẫn nhiệt học theo thời gian Do đó, ta cần nghiên cứu vật liệu thay màng Ag màng TiN - màng có độ bền học, hóa học lẫn nhiệt học cao có tính chất quang điện giống màng kim loại Au Trong công trình này, ta lắng đọng màng TiN đế thủy tinh kiềm với mục đích nghiên tứu tích chất quang điện màng để ứng dụng làm màng phản xạ hệ màng đa lớp Vì vậy, công trình ta nghiên cứu, tìm điều kiện tối ưu để chế tạo màng TiN có chiết suất thấp, hệ số tắt k lớn, nghĩa màng có điện trở suất thấp hay độ phản xạ cao vùng hồng ngọai Do đó, màng TiN ph ải có cấu trúc đặc, tức mật độ khối lớn Điện trở suất màng TiN phụ thuộc vào nồng độ hạt tải độ linh động điện tử dẫn Màng TiN có liên kết hoá học tương tự kim loại, nên nồng độ hạt tải cao (cỡ 1022 hạt/cm3) Vậy yếu tố để làm giảm điện trở suất màng TiN chủ yếu độ linh động điện tử dẫn định Vì thế, để tạo màng có điện trở suất thấp, cần tránh tạo màng có cấu trúc xốp vùng I (mô hình Thornton) Ngh ĩa tránh tạo màng có nhiều biên hạt trống Muốn vậy, ta cần phải tạo màng theo chế nhiệt động học động học Theo chế nhiệt động học, ta cần cấp nhiệt độ đế đủ lớn để làm tăng độ linh động nguyên tử tới đế làm chúng dễ dàng khuyếch tán vào vị trí bên mạng tinh thể, làm cho Titan Nitơ d ễ hợp thức Với nhiệt độ đế lớn cho T s>0,3Tm (lớn 500 0C), màng có cấu trúc cột đặc mô hình Thornton Tuy nhiên, nhiệt độ đế đề tài thay đổi từ 1500C đến 4000C, không đáp ứng mô hình Thornton Hơn nữa, nhiệt độ cao dễ gây cho thành buồng chân không giãi hấp tạp chất gây tạp màng Vậy để giảm điện trở suất màng, ta cần áp dụng chế thứ hai chế động học Nghĩa tăng HV :Phạm Văn Thịnh Lớp Cao học VTDT Khóa 19 cường mật độ ion lượng cao đến màng ion Ar+, N 2+, N+ Vì vậy, sử dụng hệ magnetron gần cân Mục đích để tăng cường truyền xung lượng ion lượng cao cho nguyên tử hấp thụ Ti N bề mặt màng, làm tăng độ linh động nguyên tử hấp thụ dẫn đến tăng khuếch tán chúng vào mạng tinh thể vị trí bền Đồng thời tăng khả hợp thức Titan Nitơ làm cho màng có cấu trúc đặc 1.2 Thực nghiệm kết Màng TiN chế tạo phương pháp phún x phản ứng Magnetron dc đế thủy tinh, hệ chân không làm việc có áp suất tới hạn 10-4 torr với bia làm vật liệu Titanium, độ tinh khiết 99.6%, kích thước bia 100x100x6(mm) Khí làm việc khí Argon (99.99%) khí ho ạt tính khí Nitơ (99.99%), chúng đư ợc trộn lẫn theo tỉ lệ cho trước đưa vào buồng chân không hệ van kim Hệ magnatron dùng có kích thước 119x119x51(mm), từ trường bề mặt bia tạo loại nam châm vĩnh cửu Ferit, cường độ từ trường khoảng 350 Gauss Quá trình tạo màng tiến hành với áp suất 3.10-3 torr đến 6.10-3 torr, khoảng cách bia đế thay đổi được, phún xạ thay đổi từ 350 V đến 650 V, tỉ lệ khí N so với Ar thay đổi từ 5% từ 15% Bề dày màng xác định phương pháp Stylus, điện trở mặt màng xác định phương pháp bốn mũi dò Cấu trúc tinh thể kích thước hạt màng xác định dựa vào phổ nhiễu xạ tia X Chiết suất n hệ số tắt k màng xác định phương pháp Ellipsometry 1.2.1.Tính chất điện Khảo sát ảnh hưởng phún xạ theo tỉ lệ khí Nitơ Argon Với tỉ lệ % Nitơ Argon, kh ảo sát điện trở suất màng theo phún xạ đồ thị (Hình 11) tìm điện trở suất thấp ứng với phún xạ ngưỡng Kết nhận cho thấy điện trở suất giảm theo phún xạ, truyền xung lượng ion nguyên tử Titan tăng, làm tăng đ ộ linh động nguyên tử hấp thụ Titan bề mặt, dẫn đến phản ứng Titan Nitơ tăng cho màng h ợp thức tốt Điều thể rõ phổ nhiễu xạ tia X Từ phổ nhiễu xạ tia X (Hình 12) cho thấy đỉnh phổ tương ứng mặt (111) giảm tăng phún xạ có giải phóng lượng, làm giảm lượng bề mặt, tức làm tăng lượng biến dạng, bậc tinh thể tăng Khi phún xạ đạt giá trị ngưỡng mặt (200) (311) xuất đồng thời màng có điện trở suất thấp Sự xuất đỉnh phổ (200) (311) giải thích cho mẫu Q54 có điện trở suất nhỏ 3,5.10-5 ( Ωcm) Điện trở suất mẫu tăng hay giảm thể qua thay đổi tỉ lệ cường độ mặt (200) (311) Từ kết khảo sát trên, ta thấy ứng với áp suất riêng phần Nitơ, ta tìm phún xạ ngưỡng để thắng Nitride hóa bia tạo hợp thức tốt màng cho điện trở suất thấp Vì ta cần thay đổi tỉ lệ khí Nitơ Argon Đồng thời thay đổi phún xạ áp suất riêng phần Nitơ Kết cho HV :Phạm Văn Thịnh Lớp Cao học VTDT Khóa 19 thấy với tỉ lệ % Nitơ Ar 10 phún xạ ngưỡng 550 V, màng có điện trở suất thấp (mẫu Q54) Ngoài chế truyền xung lượng ion nguyên tử Titan, tăng phún xạ đạt đến giá trị ngưỡng, chế trung hòa Auger xảy có nghĩa điện tử dẫn điện thứ từ Ti chuyển qua trạng thái ion N hiệu ứng đường hầm, trung hòa đồng thời trao lượng thừa cho điện tử thứ hai vùng dẫn điện, kích thích lên miền lượng liên tục Vậy, tăng phún xạ, Nguyên tử trung hòa N giải phóng từ bề mặt bia Ti cấp lượng cở áp vào bia Do vậy, N2 đến đế, làm tăng lượng truyền cho đế, liên kết vào mạng nhiều hơn, dẫn đến điện trở suất màng thấp Hình 11 Biểu diễn ảnh hưởng điện trở suất theo phún xạ, ứng với tỉ lệ phần trăm Nitơ Argon Hình 12.Phổ nhiễu xạ màng TiN tạo theo phún xạ khác thông số: tỉ lệ N2/Ar 10%; áp suất làm việc p=3mtorr HV :Phạm Văn Thịnh Lớp Cao học VTDT Khóa 19 Khảo sát ảnh hưởng điện trở suất theo khoảng cách bia đế Khoảng cách bia đế vấn đề quan trọng cần phải khảo sát Nếu khoảng cách xa lượng tới truyền cho màng không đủ lớn màng có cấu trúc tinh thể chưa tốt , khoảng cách gần dòng ion bắn phá làm tăng sai hỏng Ở khoảng cách tối ưu, truyền xung lượng ion màng cho hợp thức tốt lượng bắn phá ion chưa vượt qua ngưỡng để gây sai hỏng màng Công trình tìm khoảng cách tối ưu 4,5cm (mẫu Q54) màng có điện trở suất thấp Hình 13: Biểu diễn ảnh hưởng điện trở theo khoảng cách bia –đế HV :Phạm Văn Thịnh Lớp Cao học VTDT Khóa 19 Hình 14 Phổ nhiễu xạ màng TiN tạo với thông số: Up=550 V; tỉ lệ N2/Ar 10%; áp suất làm việc p=3mtorr, nhiệt độ 2000C khoảng cách bia đế thay : h=3,5cm; h=4,5cm; h=5,5cm Khảo sát ảnh hưởng điện trở suất theo nhiệt độ Ngoài thông số cường độ dòng phún xạ ngưỡng, khoảng cách bia đế, nhiệt độ thông số quan trọng, ảnh hưởng đến trình hình thành tinh thể màng (Hình 15) cho thấy 3000C, bậc tinh thể màng lớn nhất, thể thông số I 311 lớn, làm tăng độ linh động IT điện tử, màng có điện trở suất thấp cở 3,5.10-5 Ωcm (mẫu T71) (Hình 16) Tuy nhiên, nhiệt độ tăng đến 4000C, vật liệu buồng chân không nhả khí, làm cho màng có nhiều tạp, dẫn đến bậc tinh thể giảm thể qua I 311 giảm Vì độ linh động điện tử giảm đồng nghĩa IT với điện trở suất tăng Hình 15:Biễu diễn ảnh hưởng điện trở suất theo nhiệt độ đế HV :Phạm Văn Thịnh Lớp Cao học VTDT Khóa 19 Hình 16.Phổ nhiễu xạ màng TiN tạo với thông số: Up = 550 V; tỉ lệ N2/Ar 10%; áp suất làm việc p = 3mtorr; khoảng cách bia đế h=4,5 cm ; nhiệt độ thay đổi từ 2000C đến 4000C Khảo sát ảnh hưởng điện trở suất theo áp suất phún xạ Hình 17 Biểu diễn ảnh hưởng điện trở theo áp suất Áp suất thông số quan trọng làm ảnh hưởng đến tính chất màng Thực vậy, áp suất cao, ion N 2+, N+ nguyên tử Ti bị HV :Phạm Văn Thịnh Lớp Cao học VTDT Khóa 19 tán xạ phân tử khí, xung lượng chúng truyền cho đế giảm Điều làm cho độ linh động nguyên tử hấp thụ bề mặt giảm Nếu giảm áp suất truyền xung lượng ion N 2+, N+ nguyên tử Ti tăng, làm tăng độ linh động nguyên tử hấp thụ Ti bề mặt, dẫn đến phản ứng Titan Nitơ tăng, gi ải phóng lượng, làm giảm lượng bề mặt, tức làm tăng lư ợng biến dạng, nên cường độ mặt (111) giảm điện trở suất màng giảm Điều chế tán xạ hạt tải mặt phân cực (111) Tuy nhiên tiếp tục giảm áp suất làm việc lượng Nitơ để tạo màng TiN Nếu áp suất thấp 3mtorr thành phần Titan màng tăng, màng có màu trắng kim loại Titan 1.2.Tính chất quang Chiết suất n hệ số tắt k màng mỏng TiN Hình 18 Phổ nhiễu xạ màng TiN tạo theo áp suất phún xạ thông số: Up= 550 V; tỉ lệ N2/Ar 10%,khỏang cách bia đế h =4,5cm; nhiệt độ 2000C 10 HV :Phạm Văn Thịnh Lớp Cao học VTDT Khóa 19 Hình 19 Chiết suất n hệ số tắt k mẫu L1 theo bước sóng Hình 20 Chiết suất n hệ số tắt k mẫu L4 theo bước sóng Hình 21.Phổ phản xạ mẫu L1 theo bước sóng 11 HV :Phạm Văn Thịnh Lớp Cao học VTDT Khóa 19 Hình 22 Phổ phản xạ mẫu L4 theo bước sóng Trong phần 1.2.1 ta tìm màng có điện trở suất thấp cỡ 35µΩ.cm nhiệt độ 200oC 300 oC Từ công thức thực nghiệm: R  (1  2 c0 Rs ) 2 với Rs điện trở mặt màng ,  376 ta nhận thấy tính chất  c0 điện tính chất quang màng có mối liên hệ sau: màng có R s nhỏ hệ số phản xạ R lớn, ta khảo sát tính chất quang màng có điện trở suất thấp đề cập Ở nhiệt độ 300oC, màng L4 với bề dày 33nm có chiết suất hệ số tắt bước sóng 550nm 1,35 3,49 (Hình 20) Hai lọai màng có bề dày điện trở suất Mặc dù chúng có điện trở suất, độ phản xạ vùng hồng ngọai màng L1 (Hình 21) cao so với màng L4 (Hình 22) Vì chọn nhiệt độ đế tối ưu để tạo màng 200 oC 1.3 Kết luận Màng TiN tạo có cấu trúc tinh thể cao, tồn đủ mặt mạng (111), (200) (311) Màng có ện trở suất thấp ρ=35µΩ.cm ứng với thông số tạo màng tối ưu: Thế phún xạ ngưỡng Up=550V, tỉ lệ N2/Ar = 10%, khoảng cách bia đế h = 4,5cm, áp suất phún xạ tòan phần P = 3.10-3 torr, nhiệt độ đế 2000C Chiết suất hệ số tắt màng bước sóng 550nm 1,14 2,13 TÀI LIỆU THAM KHẢO 12 HV :Phạm Văn Thịnh Lớp Cao học VTDT Khóa 19 [1] Lê Trấn, Trần Văn Phương, Trần Tuấn, Nguyễn Hữu Chí, Nghiên cứu chế tạo màng tin phương pháp phún xạ phản ứng magnetron DC, (2008) [2] Lê Trấn, Nguyễn Duy Nhuận, Ngô Hùng Cường, Nguyễn Hữu Chí, Trần Tuấn, Màng gương nóng truyền qua quang xúc tác TiO 2/TiN/TiO (2009) [3] Ion Dima, Benedict Popescu, Floriana Iova, Gabriela Popescu, Influence Of The Silver Layer On The Optical Properties Of The TiO2/Ag/TiO2 Multilayer, Thin Solid Films, (1991) [4] J.-E Sundgren, Structure And Properties Of Tin Coatings, Thin Solid Films, (1985) [5] H.K Pulker, Coating on Glass, Elsevier, (1984) [6] M A Angadi, k Nallaamshetty, Heat mirrors using CeO2/Cu/CeO2 multilayer films, Journal Of Materials Science Letters S, (1989) [7] J E Sundgren, Structure And Properties Of Tin Coatings, Thin solid Films, (1985) [8] Patrick R LeClair, Titanium Nitride Thin Films by the Electron Shower Process, Massachusetts Intitute Of EchnologY, May (1998) [9] Donald L Smith, Thin Film deposition- principle and practice , Mc Graw-Hill, Inc, New York San Francisco Washington DC, (1995) [10] M Kawamura, y Abe, H Ya nagisawa, K Sasaki, Characterization of TiN films prepared by a conventional magnetron sputtering system: influence of nitrogen flow percentage and electrical properties, Thin Solid Films (1996) [11] C S Shin,S Rudenja, D Gall, N Hellgren, T -Y Lee, I Petrov,aand J E Greene, Growth, surface morphology, and electrical resistivity of fully strained substoichiometric epitaxial TiNx 0,67 ≤ x [...]... trở mặt của màng ,  376 ta nhận thấy giữa tính chất  0 c0 điện và tính chất quang của màng có mối liên hệ sau: khi màng có R s nhỏ thì hệ số phản xạ R lớn, do đó ta chỉ khảo sát tính chất quang của màng có điện trở suất thấp như đã đề cập Ở nhiệt độ 300oC, màng L4 với bề dày 33nm có chiết suất và hệ số tắt ở bước sóng 550nm là 1,35 và 3,49 (Hình 20) Hai lọai màng này có cùng bề dày và điện trở suất... điện trở suất Mặc dù chúng có cùng điện trở suất, độ phản xạ trong vùng hồng ngọai của màng L1 (Hình 21) là cao hơn so với màng L4 (Hình 22) Vì vậy chúng tôi chọn nhiệt độ đế tối ưu để tạo màng là 200 oC 1.3 Kết luận Màng TiN tạo được có cấu trúc tinh thể cao, tồn tại đủ các mặt mạng (111), (200) và (311) Màng có đi ện trở suất thấp ρ=35µΩ.cm ứng với các thông số tạo màng tối ưu: Thế phún xạ ngưỡng Up=550V,... suất và hệ số tắt của màng ở bước sóng 550nm là 1,14 và 2,13 TÀI LIỆU THAM KHẢO 12 HV :Phạm Văn Thịnh Lớp Cao học VTDT Khóa 19 [1] Lê Trấn, Trần Văn Phương, Trần Tuấn, Nguyễn Hữu Chí, Nghiên cứu chế tạo màng tin bằng phương pháp phún xạ phản ứng magnetron DC, (2008) [2] Lê Trấn, Nguyễn Duy Nhuận, Ngô Hùng Cường, Nguyễn Hữu Chí, Trần Tuấn, Màng gương nóng truyền qua quang xúc tác TiO 2 /TiN/ TiO 2 (2009)... của mẫu L1 theo bước sóng Hình 20 Chiết suất n và hệ số tắt k của mẫu L4 theo bước sóng Hình 21.Phổ phản xạ của mẫu L1 theo bước sóng 11 HV :Phạm Văn Thịnh Lớp Cao học VTDT Khóa 19 Hình 22 Phổ phản xạ của mẫu L4 theo bước sóng Trong phần 1.2.1 ta đã tìm được màng có điện trở suất thấp cỡ 35µΩ.cm ở nhiệt độ 200oC và 300 oC Từ công thức thực nghiệm: R  (1  2 0 c0 Rs ) 2 1 với Rs là điện trở mặt của. .. Solid Films, (1991) [4] J.-E Sundgren, Structure And Properties Of Tin Coatings, Thin Solid Films, (1985) [5] H.K Pulker, Coating on Glass, Elsevier, (1984) [6] M A Angadi, k Nallaamshetty, Heat mirrors using CeO2/Cu/CeO2 multilayer films, Journal Of Materials Science Letters S, (1989) [7] J E Sundgren, Structure And Properties Of Tin Coatings, Thin solid Films, (1985) [8] Patrick R LeClair, Titanium... and Epitaxial TiN Film s, Mat Res Soc Symp Proc Vol 697 © 2002 Materials Research Society [16] Witold Posadowski And Lubomila Kr6l -Sti~Pniewska- Zbigniew Ziolowski, Properties Of Tin~ Films Reactively Sputtered In And Argon Nitrogen Atmosphere, Thin Solid Films, (1979) 13 HV :Phạm Văn Thịnh Lớp Cao học VTDT Khóa 19 [17] G.Frank, E.Kauer And H.Ko stlin, Transparent Heat- Reflecting Coatings Based On... Transparent Heat- Reflecting Coatings Based On Highly Doped Semiconductors , Thin Solid Films, (1981) [18] Wen-Jun Chou, Ge-Ping Yu, Jia-Hong Huang, Mechanical properties of TiN thin film coatings on 304 stainless steel substrates , Surface and Coatings Technology (2002) 14 ... nagisawa, K Sasaki, Characterization of TiN films prepared by a conventional magnetron sputtering system: influence of nitrogen flow percentage and electrical properties, Thin Solid Films (1996) [11] C S Shin,S Rudenja, D Gall, N Hellgren, T -Y Lee, I Petrov,aand J E Greene, Growth, surface morphology, and electrical resistivity of fully strained substoichiometric epitaxial TiNx 0,67 ≤ x