1. Trang chủ
  2. » Luận Văn - Báo Cáo

Hấp thụ phi tuyến sóng điện từ mạnh biến điệu theo biên độ bởi điện tử giam cầm trong siêu mạng hợp phần

64 108 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 64
Dung lượng 1,37 MB

Nội dung

I HC QUC GIA H NI TRNG I HC KHOA HC T NHIấN NGUYN TH LOAN HP TH PHI TUYN SểNG IN T MNH BIN IU THEO BIấN BI IN T GIAM CM TRONG SIấU MNG HP PHN (TRNG HP TN X IN T - PHONON M) H Ni 2012 I HC QUC GIA H NI TRNG I HC KHOA HC T NHIấN -NGUYN TH LOAN HP TH PHI TUYN SểNG IN T MNH BIN IU THEO BIấN BI IN T GIAM CM TRONG SIấU MNG HP PHN (TRNG HP TN X IN T - PHONON M) LUN VN THC S KHOA HC Chuyờn ngnh: Vt lý lý thuyt & vt lý toỏn Mó s: 604401 CN B HNG DN:PGS.TS NGUYN V NHN H Ni 2012 Li cm n Trc ht tụi xin by t lũng bit n chõn thnh v sõu sc ti TS Nguyn V Nhõn Cm n thy ó hng dn ch bo tụi sut quỏ trỡnh thc hin lun ny Qua õy tụi cng xin gi li cm n ti cỏc thy cụ t vt lý lý thuyt, cỏc thy cụ khoa vt lý, ban ch nhim khoa vt lý trng i hc khoa hc t nhiờn ó quan tõm giỳp , to iu kin cho tụi thi gian lm lun cng nh sut quỏ trỡnh hc v rốn luyn ti trng ng thi tụi cng xin by t li cm n ti cỏc anh ch nghiờn cu sinh, cỏc bn lp cao hoc vt lý khúa 2010 -2012 ó úng gúp nhng ý kin quý bỏu v ng viờn tụi thc hin lun ny Cui cựng tụi xin by t lũng cm n chõn thnh v sõu sc nht ti gia ỡnh tụi, nhng ngi thõn yờu ca tụi ó luụn ng viờn to iu kin tt nht cho tụi quỏ trỡnh hc cng nh quỏ trỡnh hon thnh lun ny H ni, ngy 20/11/2012 Hc viờn Nguyn Th Loan MC LC LI CM N.i MC LC ii DANH MC HèNH Viii M CHNG 1: SIấU MNG HP PHN V BI TON HP TH SểNG IN T MNH BIN IU THEO BIấN BI IN T GIAM CM TRONG BN DN KHI 1.1: Tng quan v siờu mng hp phn4 1.1.1: Khỏi nim v siờu mng hp phn 1.1.2: Ph nng lng v hm súng ca in t giam cm siờu mng hp phn5 1.2: Bi toỏn hp th phi tuyn súng in t mnh bin iu theo biờn bi in t giam cm bỏn dn khi7 1.2.1: S hp th súng in t mnh bin iu theo biờn bi in t giam cm bỏn dn khi.7 1.2.2: Xõy dng phng trỡnh ng lng t cho in t bỏn dn khi.10 1.2.3: Biu thc h s hp th súng in t mnh bin iu theo biờn bi in t giam cm bỏn dn 15 CHNG 2: PHNG TRèNH NG LNG T V BIU THC GII TCH CHO H S HP TH PHI TUYN SểNG IN T MNH BIN IU THEO BIấN BI IN T GIAM CM TRONG SIấU MNG HP PHN(TRNG HP TN X IN T-PHONON M).22 2.1: Hamiltonian tng tỏc ca in t - phonon siờu mng hp phn22 2.2: Phng trỡnh ng lng t cho in t siờu mng hp phn24 2.3: Tớnh h s hgp th súng in t mnh bin iu theo biờn bi in t giam cm siờu mng hp phn 35 CHNG 3: TNH TON S V BN LUN.42 KT LUN .46 Ti liu tham kho 48 Ph lc .51 M U Lý chn ti Trong nhng nm gn õy, vic ch to v nghiờn cu cỏc tớnh cht ca cỏc vt liu cú cu trỳc nano l mang tớnh thi s thu hỳt nhiu nh khoa hc hng u nc v quc t tham gia nghiờn cu Trong ú, bỏn dn thp chiu l mt im núng cỏc nghiờn cu hin i vỡ kh nng ng dng rng rói i sng v khoa hc k thut, to cỏc linh kin hin i siờu nh, a nng, thụng minh Chớnh s hn ch chuyn ng ny ó lm cho cỏc hiu ng vt lý, cỏc tớnh cht vt lý dõy lng t khỏc nhiu so vi bỏn dn Khi cỏc ngun bc x cao tn i ó m mt hng nghiờn cu mi v cỏc hiu ng cao tn gõy bi tng tỏc ca cỏc trng súng in t cao tn lờn bỏn dn siờu mng Khi súng in t cao tn (cú tn s tha iu kin >>1, : thi gian hi phc xung lng) tng tỏc vi vt liu thỡ nh lut bo ton xung lng b thay i s tham gia ca photon vo quỏ trỡnh hp th v phỏt x phonon (trong i s ca hm Delta - Dirac mụ t nh lut bo ton >>1, ngoi nng lng electron, phonon cũn cú c i lng liờn quan ti nng lng photon l , l l s nguyờn) Kt qu l hng lot cỏc hiu ng mi xut hin - hiu ng cao tn Khi ú electron cú th tng tỏc vi phonon v gõy cỏc hiu ng cú bn cht mi khỏc hon ton trng hp khụng cú súng in t cao tn (khi khụng cú i lng liờn quan ti nng lng photon l vo i s ca hm Delta Dirac) Trong s cỏc hiu ng vt lý gõy bi tng tỏc trng súng in t mnh cao tn (lazer) lờn bỏn dn núi chung v bỏn dn thp chiu núi riờng thỡ ỏng chỳ ý ú cú hp th phi tuyn súng in t mnh bi in t giam cm siờu mng hp phn Bi toỏn ny ó c gii quyt vo nhng nm 80 ca th k XX i vi bỏn dn nhng bi toỏn hp th phi tuyn súng iờn t mnh bin iu theo biờn bi in t giam cm siờu mng hp phn b b ng Bi vy lun ny, chỳng tụi s nghiờn cu lý thuyt hp th phi tuyn súng in t mnh bin iu theo biờn bi in t giam cm siờu mng hp phn cú tớnh toỏn c th cho trng hp tỏn x phonon - õm v kho sỏt kt qu thu c i vi siờu mng hp phn GaAs - Al0.3Ga0.7As V phng phỏp nghiờn cu: - tớnh h s hp th phi tuyn súng in t mnh siờu mng hp phn cú th s dng nhiu phng phỏp khỏc nh phng phỏp hm Green, phng phỏp tớch phõn phim hm, phng phỏp phng trỡnh ng lng tTrong lun ny, chỳng tụi s dng phng phỏp phng trỡnh ng lng t cho in t gii quyt õy l phng phỏp c s dng nhiu nghiờn cu cỏc h thp chiu v cho hiu qu cao[11,12,13,14,15] - S dng phn mm Matlab tớnh s v v th V mc ớch, i tng v phm vi nghiờn cu: Mc ớch: - Nghiờn cu s hp th phi tuyn súng in t mnh bin iu theo biờn bi in t giam cm siờu mng hp phn (trng hp tỏn x in t - phonon õm) - Tớnh toỏn s cỏc kt qu lý thuyt cho mt loi siờu mng hp phn GaAs - Al0.3Ga0.7As i tng: Siờu mng hp phn Phm vi: Tớnh h s hp th phi tuyn súng in t mnh bin iu theo biờn (trng hp tỏn x in t - phonon õm) Cu trỳc ca lun vn: Ngoi phn m u, kt lun, ti liu tham kho v ph lc, lun c chia lm chng, mc, hỡnh v, tng cng l 55 trang v 25 ti liu tham kho: Chng 1: Gii thiu v siờu mng hp phn v bi toỏn v h s hp th súng in t bỏn dn Chng 2: Phng trỡnh ng lng t v biu thc gii tớch ca h s hp th phi tuyn súng in mnh bin iu theo t bi in t giam cm siờu mng hp phn (trng hp tỏn x phonon õm) Chng 3: Tớnh toỏn s v v th cho siờu mng hp phn GaAs Al0.3Ga0.7As Cỏc kt qu chớnh ca lun c cha ng chng v chng Trong ú, trờn c s phng trỡnh ng lng t cho in t siờu mng hp phn di nh hng ca súng in t mnh theo biờn vi gi thit tỏn x in t - phonon õm l ch yu, ó thu c hm phõn b khụng cõn bng ca in t v ly nú l c s tớnh h s hp th phi tuyn súng in t mnh bin iu theo biờn bi in t giam cm siờu mng hp phn Phõn tớch s ph thuc phc v khụng tuyn tớnh ca h s hp th vo cng in trng E v tn s ca súng in t mnh, nhit T ca h Ngoi ra, vi súng in t mnh bin iu theo biờn , s thay i biờn súng theo thi gian vi tn s cng nh hng ti h s hp th T kt qu gii tớch thu c, tớnh toỏn s v v th cho siờu mng hp phn GaAs-Al0.3Ga0.7As CHNG SIấU MNG HP PHN V BI TON HP TH SểNG IN T MNH BIN IU THEO BIấN BI IN T GIAM CM TRONG BN DN KHI 1.1 Tng quan v siờu mng hp phn 1.1.1 Khỏi nim v siờu mng hp phn Siờu mng hp phn l vt liu bỏn dn m h in t cú cu trỳc chun hai chiu, c cu to t mt lp mng bỏn dn vi dy d 1, ký hiu l A, rng vựng cm hp gA (vớ d nh GaAs) t tip xỳc vi lp bỏn dn mng cú dy d ký hiu l B cú vựng cm rng gB (vớ d AlAs) Cỏc lp mng ny xen k vụ hn dc theo trc siờu mng (hng vuụng gúc vi cỏc lp trờn) Trong thc t tn ti nhiu lp mng k tip di dng B/A/B/A, v rng ro th hp cỏc lp mng k tip nh mt h tun hon b sung vo th mng tinh th Khi ú, in t cú th xuyờn qua hng ro th di chuyn t lp bỏn dn vựng cm hp ny sang lp bỏn dn cú vựng cm hp khỏc Do ú, in t ngoi vic chu nh hng ca th tun hon ca tinh th nú cũn chu nh hng ca mt th ph Th ph ny c hỡnh thnh s chờnh lch nng lng gia cỏc cn im ỏy vựng dn ca hai bỏn dn siờu mng, v cng bin thiờn tun hon nhng vi chu k ln hn rt nhiu so vi hng s mng S cú mt ca th siờu mng ó lm thay i c bn ph nng lng ca in t H in t siờu mng hp phn ú l khớ in t chun hai chiu Cỏc tớnh cht vt lý ca siờu mng c xỏc nh bi ph in t ca chỳng thụng qua vic gii phng trỡnh Schodinger vi th nng bao gm th tun hon ca mng tinh th v th ph tun hon siờu mng T s tng quan ca ỏy v nh vựng cm ca bỏn dn to thnh siờu mng, ta cú th phõn bit siờu mng hp phn lm ba loi Loi I: c to thnh t cỏc bỏn dn cú rng vựng cm hon ton bao (Siờu mng AlxGa1-xAs/GaAs gm vi trm lp xen k bi t l pha x i vi Al thay i t 0,15 n 0,35 v chu k thay i t 50Ao n 200Ao) Trong siờu mng ny cỏc tng tỏc gia cỏc ht ti t cỏc lp riờng bit ch xy gia cỏc vựng nng lng cựng loi Loi II: c to t cỏc bỏn dn cú rng vựng cm nm gn nhng khụng bao hoc ch trựng mt phn (siờu mng Ga xIn1As/ GaAsySb1-y c to nm 1977) Trong siờu mng ny cú th xy x tng tỏc gia cỏc ht ti nm cỏc vựng khỏc nhau, tc l in t ca bỏn dn ny tng tỏc vi l trng ca bỏn dn Loi III: Siờu mng hp phn loi ny c to t mt bỏn dn thụng thng v mt bỏn dn khỏc vi khe nng lng bng 0(zero gap) Ngoi ngi ta cũn cú th to siờu mng pha hay siờu mng "nipi" Siờu mng loi ny c to bi s pha lp A loi n vi lp B loi p 1.1.2 Ph nng lng v hm súng ca in t giam cm siờu mng hp phn Cỏc tớnh cht vt lý ca siờu mng c xỏc nh bi ph in t ca chỳng thụng qua vic gii phng trỡnh Schrodinger vi th nng bao gm th tun hon ca mng tinh th v th ph tun hon siờu mng Bng cỏch gii phng trỡnh Schrodinger ú ta a vo th tun hon mt chiu cú dng hỡnh ch nht ta thu c hm súng v ph nng lng ca in t siờu mng hp phn cú dng nh sau: 10 Hỡnh 3.2: S ph thuc ca vo nng lng in trng (tỏn x in t-phonon õm) Hỡnh 3.2 : th hin s ph thuc ca h s hp th súng in t mnh vo biờn súng in t, th cho thy h s hp th gn nh khụng thay i biờn súng nh, nhng biờn súng ln h s hp th bin tun hon theo thi gian 50 Hỡnh 3.3: S ph thuc ca vo tn s súng (tỏn x in t-phonon õm) Hỡnh 3.3: Th hin s ph thuc ca h s hp th súng in t mnh vo tn s súng biờn súng bin iu, th cho thy vựng tn s cao h s hp th gn nh khụng thay i nhng tn s thp h s hp th gim nhanh ng thi bin thiờn tun hon theo thi gian 51 Hỡnh 3.4: S ph thuc ca vo tn s bin iu Hỡnh 3.4 : Th hin s ph thuc ca h s hp th súng in t mnh vo tn s bin iu, th cho thy h s hp th bin thiờn tun hon theo thi gian cựng tn s 3.2: BN LUN Kt qu thu c ó cho thy, gia bỏn dn siờu mng v bỏn dn cú s khỏc c bn v s ph thuc ca h s hp th súng in t vo cỏc thụng s ca h C th, s ph thuc ca h s hp th súng in t ca hai loi vt liu ny vo cựng mt thụng s ca h (nhit T, cng in trng E,) khỏc Cú s khỏc bit ny l bỏn dn cỏc in t h hon ton chuyn ng t theo mi hng vt liu, nhng i vi siờu mng hp phn thỡ chuyn ng t ca cỏc in t h b hn ch (cỏc in t ch chuyn ng t trờn mt phng siờu mng, b lng t theo trc siờu mng) õy chớnh l nguyờn nhõn dn n s khỏc bit ca siờu mng hp phn vi bỏn dn Mt khỏc trng hp biờn súng in t bin iu theo thi gian thỡ ngoi ph thuc vo cỏc i lng nh nhit T, cng E 0, tn 52 s súng , tn s bin iu cũn bin thiờn mt cỏch tun hon theo thi gian KấT LUN Lun nghiờn cu s hp th phi tuyn súng in t mnh bin iu theo biờn bi in t giam cm siờu mng hp phn GaAs Al0.3Ga0.7As (trng hp tỏn x in t - phonon õm) v thu c kt qu nh sau: 1.T Hamiltonian ca h in t - phonon, ó thit lp c phng trỡnh ng lng t cho in t giam cm siờu mng hp phn cú mt súng in t mnh bin iu theo biờn Bng phng phỏp gn ỳng lp ó thu c biu thc ph thuc thi gian ca hm phõn b khụng cõn bng ca in t giam cm siờu mng hp phn T biu thc hm phõn b khụng cõn bng ca in t ó xõy dng c biu thc gii tớch cho h s hp th phi tuyn súng in t mnh bin iu theo biờn bi in t giam cm siờu mng hp phn cho trng hp tỏn x in t -phonon õm T ú xõy dng biu thc h s hp th trng hp c th hp th súng in t gn ngng 53 sh hqr [...]... t trong mini vựng n ca siờu mng hp phn (trong gn ỳng liờn kt mnh) cú dng[15]: r r = ( ) Nd 1 exp i ( k x x + k y y ) exp ( ik z md ) s ( z md ) Lx Ly N m =1 (1.5) Trong ú, Lx, Ly l di chun húa theo hng x v y; d v N d l chu k v s chu k siờu mng hp phn; s ( z ) l hm súng ca in t trong h cụ lp 1.2 Bi toỏn hp th phi tuyn súng in t mnh bin iu theo biờn trong bỏn dn khi 12 1.2.1 S hp th súng in t trong. .. cao tn) Trong trng hp súng in t cú cng mnh cao tn, úng gúp ca s hng bc cao vo tensor dn cao tn l ỏng k v phi c tớnh n Khi ú xut hin s ph thuc phi tuyn ca tensor dn cao tn vo cng ur in trng E 0 ca súng in t.Vỡ vy, h s hp th phi tuyn súng in t ur l i lng ph thuc phi tuyn vo cng in trng E 0 15 1.2.2 Xõy dng phng trỡnh ng lng t cho in t trong bỏn dn khi Xõy dng phng trỡnh ng lng t cho in t trong bỏn... tỡm c mt dũng ca in t trong bỏn dn khi T kt qu ny, thu c biu thc ca h s hp th súng in t mnh trong bỏn dn khi Biu thc h s hp th súng in t khụng nhng ph thuc phi tuyn vo cng in trng bin iu ur E0 ( ) , nhit T ca h, tn s ca súng in t m cũn ph thuc vo thi gian 28 CHNG 2 PHNG TRèNH NG LNG T V BIU THC GII TCH CHO H S HP TH PHI TUYN SểNG IN T MNH BIN IU THEO BIấN BI IN T GIAM CM TRONG SIấU MNG HP PHN (TRNG... ,qr ( t ) + Fkr,kr + qr , qr Fkr ,kr qr ,qr ( t ) Fkr qr ,kr , qr r h q Trong ú, trỡnh cho Fkuur,kr 2 ,qr ( t ) = akr+1 akr 2 bkr 1 Fkuur,kr 2 ,qr ( t ) 1 t (1.17) Tng t nh trờn, thit lp phng v gii phng trỡnh ny thu c Fkuur,kr 2 ,qr ( t ) 1 Thay Fkuur,kr 2 ,qr ( t ) vào (1.17), thu đợc phơng trình động lợng tử cho điện tử trong bán dẫn khối 1 nkr ( t ) t 1 = 2 h J s ữJ l ữexp i ( s l ) t ... + q hqr k h + i k k q + hqr k h + i (1.20) ( ) ( ) ( ) ( ) Biu thc (1.20) l hm phõn b in t khụng cõn bng trong bỏn dn khi Phng trỡnh ny l c s tớnh h s hp th súng in t mnh bin iu theo biờn bi in t giam cm trong bỏn dn khi 1.2.3 Biu thc h s hp th súng in t mnh bin iu theo biờn trong bỏn dn khi Vộc t mõt dũng xỏc nh bi cụng thc: 20 ur eh r e ur r J ( t) = k A ( t ) ữnk ( t ) m kr hc... k y d ) ( ) (1.1) Trong biu thc (1.1), l rng ca vựng mini; d=d1+d2 l chu k siờu mng; kx, ky l cỏc vộc t xung lng ca in t theo hai trc ta x,y trong mt phng siờu mng Ph nng lng ca mini vựng cú dng: r n k = n n cos k z d ( ) (1.2) n là độ rộng của mini vùng thứ n, xác định bởi biểu thức: n = 4 ( 1) n d0 n d d0 { exp 2m ( d d 0 ) U 0 / h2 2 2m ( d d 0 ) U 0 / h2 } 2 (1.3) Trong cụng thc (1.3),... , khi ly tng theo do r k v n kr nờn chỳng trit tiờu nhau i bin r r r r r k + q k Tip theo, i q q , ta c: ur e2 n E ( ) 2 e J ( t) = 0 0 cost + Cr m m k =1 kr ,qr q { ( 2 ( r 2 N qr + 1 qnkr J k ( J k +1 + J k 1 ) r r r ì k + q k + hqr k h sin t ) ( ) Theo tớnh cht hm Bessel: ) } J k +1 ( x ) + J k 1 ( x ) = (1.33) 2k Jk ( x) x Biu thc h s hp th phi tuyn súng in t mnh trong bỏn dn khi... tng quỏt tớnh h s hp th phi tuyn súng in t mnh bin iu theo biờn trong bỏn dn khi Xột tỏn x in t - phonon õm ta cú: C 2 r q 2hq = 2 sV0 N qr = ; k BT h s q Suy ra: ur r r r r eE q 0 ( ) 4 2 2kBT 2 r = n kJ k + q k + hqr k h ữ 2 k 2 2 k r r ữ c E0 ( ) s V0 k k ,q m ( ) ( ) (1.36) Biu thc (1.36), l cụng thc tng quỏt tớnh h s hp th phi tuyn súng in t mnh trong bỏn dn khi xột trng... riờng cho ta nhiu thụng tin cú giỏ tr v tớnh cht v cỏc hiu ng ca h in t trong h bỏn dn thp chiu Mt trong nhng hiu ng ng c cỏc nh vt lý lý thuyt cng nh thc nghim quan tõm nghiờn cu ú l dn cao tn ca bỏn dn v s hp th súng in t trong cỏc h vt liu bỏn dn Ngay t nhng thp niờn cui ca th k trc, trờn quan im c in, da vo phng trỡnh ng hc Bolzmann, dn cao tn ó c quan tõm nghiờn cu rng rói Trong cỏc cụng trỡnh... hm súng ca trng thỏi th n trong h th; d l chu k siờu mng; Nd l s chu k siờu mng hp phn + Ph nng lng ca in t trong siờu mng hp phn cú dng : r h2 k2 n k = n + ncosk n// d 2m ( ) (2.6) n l cỏc mc nng lng trong h th bit lp; n l rng mini vựng 2.2 Phng trỡnh ng lng t cho in t trong siờu mng hp phn 31 Tng t nh cỏch lm i vi bỏn dn khi, xõy dng phng trỡnh ng lng t cho in t trong siờu mng hp phn chỳng

Ngày đăng: 18/06/2016, 18:45

Nguồn tham khảo

Tài liệu tham khảo Loại Chi tiết
1. Nguyễn Quang Báu, Đỗ Quốc Hùng, Vũ Văn Hùng, Lê Tuấn (2010), “Lý thuyết bán dẫn”, Nhà xuất bản Đại học Quốc gia Hà nội Sách, tạp chí
Tiêu đề: Lýthuyết bán dẫn”
Tác giả: Nguyễn Quang Báu, Đỗ Quốc Hùng, Vũ Văn Hùng, Lê Tuấn
Nhà XB: Nhà xuất bản Đại học Quốc gia Hà nội
Năm: 2010
2. Nguyễn Quang Báu, Hà Huy Bằng (2002), “Lý thuyết trường lượng tử cho hệ nhiều hạt”, Nhà xuất bản Đại học Quốc gia Hà nội Sách, tạp chí
Tiêu đề: Lý thuyết trường lượng tử chohệ nhiều hạt”
Tác giả: Nguyễn Quang Báu, Hà Huy Bằng
Nhà XB: Nhà xuất bản Đại học Quốc gia Hà nội
Năm: 2002
3. Nguyễn Quang Báu, Bùi Bằng Đoan, Nguyễn Văn Hùng (1998), “Vật lý thống kê”, Nhà xuất bản Đại học Quốc gia Hà nội Sách, tạp chí
Tiêu đề: Vật lýthống kê”
Tác giả: Nguyễn Quang Báu, Bùi Bằng Đoan, Nguyễn Văn Hùng
Nhà XB: Nhà xuất bản Đại học Quốc gia Hà nội
Năm: 1998
4. Nguyễn Quang Báu (1998), “Ảnh hưởng của sóng điện từ mạnh biến điệu lên sự hấp thụ sóng điện từ yếu trong bán dẫn”, Tạp chí vật lý, VIII (3-4), tr.28-35 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Ảnh hưởng của sóng điện từ mạnh biến điệulên sự hấp thụ sóng điện từ yếu trong bán dẫn”, "Tạp chí vật lý
Tác giả: Nguyễn Quang Báu
Năm: 1998
5. Nguyễn Quang Báu, Nguyễn Vũ Nhân, Phạm Văn Bền (2010), Vật lý bán dẫn thấp chiều, NXB Đại học Quốc gia Hà nội, Hà nội Sách, tạp chí
Tiêu đề: Vật lý bándẫn thấp chiều
Tác giả: Nguyễn Quang Báu, Nguyễn Vũ Nhân, Phạm Văn Bền
Nhà XB: NXB Đại học Quốc gia Hà nội
Năm: 2010
6. Nguyễn Quang Báu (1998), “Ảnh hưởng của sóng điện từ mạnh biến điệu lên sự hấp thụ sóng điện từ yếu trong bán dẫn”, Tạp chí Vật lý, VIII (3-4), tr. 28-33 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Ảnh hưởng của sóng điện từ mạnh biến điệulên sự hấp thụ sóng điện từ yếu trong bán dẫn
Tác giả: Nguyễn Quang Báu
Năm: 1998
7. Nguyễn Xuân Hãn (1998), “Cơ sở lý thuyết trường lượng tử”, Nhà xuất bản Đại học Quốc gia Hà nội Sách, tạp chí
Tiêu đề: Cơ sở lý thuyết trường lượng tử”, "Nhà
Tác giả: Nguyễn Xuân Hãn
Năm: 1998
8. Nguyễn Văn Hùng (2000), “Lý thuyết chất rắn”, Nhà xuất bản Đại học Quốc gia Hà nội Sách, tạp chí
Tiêu đề: Lý thuyết chất rắn”
Tác giả: Nguyễn Văn Hùng
Nhà XB: Nhà xuất bản Đại họcQuốc gia Hà nội
Năm: 2000
9. Nguyễn Vũ Nhân (2002), “Một số hiệu ứng cao tần gây bởi trường sóng điệntừ”. Luận án tiến sỹ vật lý Sách, tạp chí
Tiêu đề: Một số hiệu ứng cao tần gây bởi trường sóngđiện từ”
Tác giả: Nguyễn Vũ Nhân
Năm: 2002
10. Tran Cong Phong, (1997), “cấu trúc và các tính chất quang trong hố lượng tử và siêu mạng bán dẫn”. Luận án tiến sỹ vật lý Sách, tạp chí
Tiêu đề: cấu trúc và các tính chất quang trong hố lượngtử và siêu mạng bán dẫn”
Tác giả: Tran Cong Phong
Năm: 1997
11. Lương Văn Tùng (2008), “Một số hiệu ứng cao tần trong bán dẫn siêu mạng”. Luận án tiến sỹ vật lý Sách, tạp chí
Tiêu đề: Một số hiệu ứng cao tần trong bán dẫn siêumạng”
Tác giả: Lương Văn Tùng
Năm: 2008
12. Đinh Quốc Vương (2007), “Một số hiệu ứng động và âm-điện tử ”. Luận án tiến sỹ vật lý.Tiếng Anh Sách, tạp chí
Tiêu đề: Một số hiệu ứng động và âm-điện tử
Tác giả: Đinh Quốc Vương
Năm: 2007
13. Abouelaoualim (1987), “Electron-confined LO-phonon scattering in GaAs- Al 0.45 Ga 0.55 As superlattice”, Pramana Journal of Physics, Vol. 66, p. 455 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Electron-confined LO-phonon scattering in GaAs-Al0.45Ga0.55As superlattice”, "Pramana Journal of Physics
Tác giả: Abouelaoualim
Năm: 1987
14. Ayhan ệzmen, Yusuf Yakar, Bekir ầakýr, ĩlfet Atav (2009), “Computation of the oscillator strength and absorption coefficients for the intersub-band transitions of the spherical quantum dot”, Opt. Communications. 282, p.3999 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Computationof the oscillator strength and absorption coefficients for the intersub-bandtransitions of the spherical quantum dot”, Opt. "Communications
Tác giả: Ayhan ệzmen, Yusuf Yakar, Bekir ầakýr, ĩlfet Atav
Năm: 2009
15. Blencowe M. and Skik A. (1996), “Acoustic conductivity of quantum wires”, Phys. Rev. B 54, p. 13899 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Acoustic conductivity of quantumwires”", Phys. Rev
Tác giả: Blencowe M. and Skik A
Năm: 1996
16. Do Manh Hung, Nguyen Quang Bau, Hoang Dinh Trien, Nguyen Thi Nhan (2008), “Calculations of The Nonlinear Absorption Coefficient of a Strong Electromagnetic Wave by Confined Electrons in the Compositional Super- lattices”, VNU Journal of Science, Mathematics Physics., No. 24, 1S, p.236 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Calculations of The Nonlinear Absorption Coefficient of a StrongElectromagnetic Wave by Confined Electrons in the Compositional Super-lattices”, VNU "Journal of Science, Mathematics Physics
Tác giả: Do Manh Hung, Nguyen Quang Bau, Hoang Dinh Trien, Nguyen Thi Nhan
Năm: 2008
17. Epstein E. M. (1975), “Interaction of intensive electromagnetic wave on electron properties of semiconductors”, Communications of HEE of USSR, ser. Radio Physics, 18, p. 785 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Interaction of intensive electromagnetic wave onelectron properties of semiconductors”, "Communications of HEE of USSR,ser. Radio Physics
Tác giả: Epstein E. M
Năm: 1975
18. I. Karabulut, and S. Baskoutas, (2008) “Linear and nonlinear optical absorption coefficients and refractive index changes in spherical quantum dots: Effects of impurities, electric field, size, and optical intensity”, J.Appl. Phys., Vol. 103, 073512 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Linear and nonlinear opticalabsorption coefficients and refractive index changes in spherical quantumdots: Effects of impurities, electric field, size, and optical intensity”, "J."Appl. Phys
19. Nguyen Quang Bau, Do Manh Hung and Dang The Hung “The Influence of Confined Phonons and Electrons on the Absorption coefficient of a Weak Electromagnetic Wave by Free Electrons in Quantum Wells”. In Osaka Univ. Asia Pacific-VNU, p. 259 Sách, tạp chí
Tiêu đề: The Influence ofConfined Phonons and Electrons on the Absorption coefficient of a WeakElectromagnetic Wave by Free Electrons in Quantum Wells
20. Nguyen Quang Bau, Nguyen The Toan, Chhoumm Navy, Nguyen Vu Nhan (1995), “The influence of quantizing magnetic field on the absorption of a weak electromagnetic wave by free electrons in semiconductor superlattices”, Proceed. Secon. IWOMS-95, Hanoi, Vietnam, p. 207 Sách, tạp chí
Tiêu đề: The influence of quantizing magnetic field on the absorption of aweak electromagnetic wave by free electrons in semiconductorsuperlattices”," Proceed. Secon. IWOMS-95
Tác giả: Nguyen Quang Bau, Nguyen The Toan, Chhoumm Navy, Nguyen Vu Nhan
Năm: 1995

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w