1. Trang chủ
  2. » Kỹ Thuật - Công Nghệ

Chương 3 mạch khuếch đại FET (môn mạch điện tử)

49 967 9

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 49
Dung lượng 2,31 MB

Nội dung

4/2/2013 Khoa ðiện – ðiện tử - ðHBK Tp.HCM 4/2/2013 Khoa ðiện – ðiện tử - ðHBK Tp.HCM • Nguyên lý hoạt động • Đặc điểm - Phân loại - Ký hiệu • Cấu tạo hoạt động phân cực • Mạch phân cực (DC) • Mạch phân cực cho JFET • Mạch phân cực cho MOSFET • Mạch tín hiệu nhỏ (AC) • Mô hình tương đương FET: dạng S chung • Phân tích mạch tín hiệu nhỏ (CS – CD – CG) 4/2/2013 Khoa ðiện – ðiện tử - ðHBK Tp.HCM • Đặc điểm - Phân loại - Ký hiệu • FET kênh n • FET kênh p • Cấu tạo hoạt động phân cực • JFET • MOSFET (IGFET) 4/2/2013 Khoa ðiện – ðiện tử - ðHBK Tp.HCM • Kênh bán dẫn điều khiển điện áp • FET nguồn dòng phụ thuộc áp • FET kênh p • FET kênh n • Gồm cực • Cực cổng G ~ cực Base • Cực nguồn S ~ cực Emitter • Cực máng D ~ cực Collector • Phần tử phi tuyến N P 4/2/2013 Khoa ðiện – ðiện tử - ðHBK Tp.HCM • VGS = 0: dòng bão hòa IDSS Điểm nghẽn kênh • Tăng VGS= -1 điểm nghẽn iD thấp • VGS = -2 = -Vp0 : điện nghẽn với iD=0 Vùng ñiện trở (iD thay ñổi theo vDS) Vùng khuếch ñại (bão hòa) Vùng tắt (iD=0) 4/2/2013 Khoa ðiện – ðiện tử - ðHBK Tp.HCM • Họ đặc tuyến JFET kênh n điều kiện hoạt động vùng dẫn khuếch đại (bão hòa) • - Vpo ≤ VGS ≤ • Vp = Vpo + VGS ≤ VDS • 0≤ IDS = Ip ≤ Ipo 4/2/2013 Khoa ðiện – ðiện tử - ðHBK Tp.HCM • VGS = • -Vp0 < VGS < • VGS > Vùng ñiện trở Vùng khuếch ñại (bão hòa) Vùng tắt 4/2/2013 Khoa ðiện – ðiện tử - ðHBK Tp.HCM • Họ đặc tuyến MOSFET kênh n điều kiện hoạt động vùng dẫn khuếch đại (bão hòa) • - Vpo ≤ VGS • Vp = Vpo + VGS ≤ VDS • ≤ IDS = Ip ≤ Ipo 4/2/2013 Khoa ðiện – ðiện tử - ðHBK Tp.HCM Ví dụ: Cho FET có phương trình ñặc tính dòng áp IDS = 2.10-4 (1+0.25 VGS )2 (A) a Tìm dòng áp nghẽn VGS =0 b Tìm dòng áp nghẽn VGS = -1, -2, -4 (V) c Tìm dòng áp nghẽn VGS =1, 2, (V) 4/2/2013 10 Khoa ðiện – ðiện tử - ðHBK Tp.HCM VGS = I = 2.10-4 (1+0.25 )2 = 2.10-4 (A) = Ipo IDS = 2.10-4 (1+0.25 VGS )2 = giải PT ta ñược VGS = -4 (V) Vpo = (V) JFET VGS Ip= IDS -4 -2 0.5 Vp= VDS -1 1.125 2.10-4 3.125 MOSFET 4.5 8 4/2/2013 Khoa ðiện – ðiện tử - ðHBK Tp.HCM R * S = RS (1 + µ ) R * L = RL (1 + µ ) v * L = v L (1 + µ ) 35 4/2/2013 Khoa ðiện – ðiện tử - ðHBK Tp.HCM 36 * * * * v i R / / R ( RS / / RL )(1 + µ ) v v g * ds L S L L a) A v = = = µ= µ * * vi ids vg vi rds + RL / / RS rds + (1 + µ ).( RS / / RL ) Av* µ = RS / / RL Av = (1 + µ ) rds + (1 + µ ).( RS / / RL ) b) vi = → vg = Zi = ∞ 4/2/2013 Khoa ðiện – ðiện tử - ðHBK Tp.HCM c) Tính Z0 cần bỏ nguồn ñộc lập Vì Z0 nằm vùng phản ánh nên: Z *0 = R*s / / rds Z *0 rds => Z = = Rs / / (1 + µ ) µ +1 => Giống với kết trên! 37 4/2/2013 Khoa ðiện – ðiện tử - ðHBK Tp.HCM 38 4/2/2013 Khoa ðiện – ðiện tử - ðHBK Tp.HCM a ) Av = µ = vL vg µ (1 + µ ) RL / / RS vg (1 + µ ) vi µ rds + RL / / RS (1 + µ ) (1 + µ ) = RS / / RL µ rds + (1 + µ )( RS / / RL ) b) Z i = ∞ rds c) Z = RS / / µ +1 => Giống với kết trên! 39 4/2/2013 Khoa ðiện – ðiện tử - ðHBK Tp.HCM 40 4/2/2013 Khoa ðiện – ðiện tử - ðHBK Tp.HCM 41 4/2/2013 Khoa ðiện – ðiện tử - ðHBK Tp.HCM 42 4/2/2013 Khoa ðiện – ðiện tử - ðHBK Tp.HCM 43 vg = ⇒ µ vg = Rd / / RL vL vL a ) Av = = (1 + µ ) = (1 + µ ) vi vi (1 + µ ) RS (1 + µ ) + rds + Rd / / RL b) Do Zi nằm vùng phản ánh nên: Z i* = RS (1 + µ ) + rds + Rd / / RL Z i* rds Rd / / RL = RS + + Zi = 1+ µ 1+ µ 1+ µ c) Z = Rd / /[rds + RS (1 + µ )] 4/2/2013 44 Khoa ðiện – ðiện tử - ðHBK Tp.HCM v R * d R * L Rd = + µ RL = + µ * L vL = 1+ µ 4/2/2013 Khoa ðiện – ðiện tử - ðHBK Tp.HCM • Nhìn vào mạch ta có R* d / / R * L vL vL (1 + µ ) = (1 + µ ) a) Av = = r vi vi (1 + µ ) RS + ds + R*d / / R*L 1+ µ Rd / / RL = (1 + µ ) RS (1 + µ ) + rds + Rd / / RL b) Z i = RS + rds r R / / RL + R*d / / R*L = RS + ds + d 1+ µ 1+ µ 1+ µ c) Do Z0 nằm vùng phản ánh nên: r R  R (1 + µ ) + rds  Z 0* = R*d / /[RS + ds ]= d / /  S  1+ µ 1+ µ 1+ µ   Z = Z 0* (1 + µ ) = Rd / / [ RS (1 + µ ) + rds ] 45 4/2/2013 Khoa ðiện – ðiện tử - ðHBK Tp.HCM Mô hình tương đương MKĐ dòng Z0 Z0 ri iL = Ai0 im = Ai0 ii Z0 + RL ri + Zi Z0 + RL 46 4/2/2013 Khoa ðiện – ðiện tử - ðHBK Tp.HCM Zi RL RL Av vin = Av vi vL = RL + Z Z i + ri RL + Z 47 4/2/2013 Cách ghép Khoa ðiện – ðiện tử - ðHBK Tp.HCM Sơ ñồ mạch CS vs CE 0 >0 48 4/2/2013 • Khoa ðiện – ðiện tử - ðHBK Tp.HCM 49 [...]... µ +1 + RS µ +1 30 4/2/20 13 Khoa ðiện – ðiện tử - ðHBK Tp.HCM Av = RS / / RL µ rds + (1 + µ ) ( Rs / / RL ) • Thường chọn :Khoảng 50k~100k (chọn 50k) (Chọn 3k) => R / / R ≈ 1.5k S L g m ≈ 2.10 3 Ω −1 => µ = g m rds = 100 => Av ≈ 0.8 Nhận xét: • Av > 0 • Av ≈ 1 mạch CD dùng làm mạch đệm, để cách ly áp giữa các tầng 31 4/2/20 13 Khoa ðiện – ðiện tử - ðHBK Tp.HCM 32 • Ta xét lại ví dụ ở mạch CD, từ phương... cực do IG =0 4/2/20 13 Khoa ðiện – ðiện tử - ðHBK Tp.HCM • Mô hình tương đương của FET: dạng S chung • Các thông số AC của FET • Mô hình nguồn dòng phụ thuộc áp • Mô hình nguồn áp phụ thuộc áp • Phân tích mạch tín hiệu nhỏ (CS – CD – CG) • Tính toán độ lợi dòng-áp và trở kháng vào-ra • Kỹ thuật phản ánh trong FET: bảo toàn dòng iDS • Mô hình tương đương của mạch khuếch đại 18 4/2/20 13 • Mô hình nguồn... của FET ∂vds rds = ∂i ds g m: hỗ dẫn  VGSQ  1 ∂ids | Q = 2IP0 1+ gm =  ∂vgs  VP0  VP0 µ : Hệ số khuếch ñại của FET 4/2/20 13 Khoa ðiện – ðiện tử - ðHBK Tp.HCM 20 4/2/20 13 Khoa ðiện – ðiện tử - ðHBK Tp.HCM 21 4/2/20 13 Khoa ðiện – ðiện tử - ðHBK Tp.HCM Z i = R1 / / R2 vL a ) Av = vi g m vgs vL vL Av = = × vi g m vgs vi R1 / / R2 ⇒ Av = −rds / / Rd / / RL g m R1 / / R2 + ri 22 Z 0 = Rd 4/2/20 13 Khoa...4/2/20 13 Khoa ðiện – ðiện tử - ðHBK Tp.HCM • Mạch phân cực cho JFET • Mạch phân cực cho MOSFET • Chế độ nghèo • Chế độ tăng cường 11 4/2/20 13 Khoa ðiện – ðiện tử - ðHBK Tp.HCM Ta có: 0 = RG IG + VGS + RS ID = 0 + VGS + RS ID ðường phân cực: VGS = - RS ID (1) ðặc tuyến truyền: IDS =ID = Ipo (2) Từ (1) và (2) cho ta hệ PT hai ẩn IDSQ và VGSQ Giải hệ ta có ñiểm Q 12 4/2/20 13 Khoa ðiện – ðiện... như trước bằng “kỹ thuật phản ánh FET với nguyên lý bảo toàn dòng (ids ) 4/2/20 13 33 Khoa ðiện – ðiện tử - ðHBK Tp.HCM • Từ những chỗ khác nhau giữa (1) và (2) ta đưa ra nguyên tắc phản ánh như sau: * Phản ánh về D (S giả): + Mạch D S* + Cực D: giữ nguyên + Cực S*: Trở kháng: (µ + 1) Nguồn áp: (µ + 1) Nguồn dòng giữ nguyên 4/2/20 13 Khoa ðiện – ðiện tử - ðHBK Tp.HCM 34 * Phản ánh về S (D giả): + Cực... IDQ Giải hệ trên tìm được Q (IDQ , VGSQ ) 4/2/20 13 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM VDS = VDD - ID RD Ðường phân cực : VGS = VDS = VDD –RDID (1) đạt: Đặc tuyến truyền đạ t: IDS =ID = Ipo (2) Từ (1) và (2) ta có hệ PT hai ẩn IDSQ và VGSQ Giải hệ ta có điểm Q 15 4/2/20 13 Khoa ðiện – ðiện tử - ðHBK Tp.HCM Ví dụ: Cho mạch như hình vẽ: Ipo = 6mA , Vpo = 3V Tìm Q? Ta có : VG = VDD R2 / (R1 + R2) = 1.5 V... 4/2/20 13 Khoa ðiện – ðiện tử - ðHBK Tp.HCM 23 R1 / / R2 Av = −rds / / Rd / / RL g m R1 / / R2 + ri Thường chọn: • rds :50k~100k (chọn 50k) • Rd :khoảng 5k~10k RL R1 / / R2 ≈ 1 R1 / / R2 + ri 3 −1 ⇒ A ≈ − 3 g m ≈2.10 Ω v • • Nhận xét: Av < 0, Av > 1 • Vậy tín hiệu ra ñược khuếch ñại và bị ñảo pha 4/2/20 13 Khoa ðiện – ðiện tử - ðHBK Tp.HCM 24... 4/2/20 13 Khoa ðiện – ðiện tử - ðHBK Tp.HCM 25 Rd / / RL vL vL µ vgs R1 / / R2 a ) Av = = =− µ vi µ vgs vi rds + ( Rd / / RL ) ri + ( R1 / / R2 ) R1 / / R2 = − rds / / Rd / / RL g m R1 / / R2 + ri b) Z i = R1 / / R2 v0 c) Z 0 = (vi = 0 => vgs = 0) i0 Kết quả tương tự như trên => Z 0 = Rd / / RL 4/2/20 13 Khoa ðiện – ðiện tử - ðHBK Tp.HCM 26 4/2/20 13 Khoa ðiện – ðiện tử - ðHBK Tp.HCM 27 4/2/20 13 Khoa... Ta có : VG = VDD R2 / (R1 + R2) = 1.5 V VGSQ = VG - RS IDQ (1) Mặt khác: IDQ = Ipo (2) Từ (1) và (2) ta có : 0.1 (VGSQ)2 + 1.6 VGSQ -0.6 = 0 VGSQ = 0 .36 6 V VGSQ= - 16 .36 6 V (Lọai vì < -Vpo) 16 4/2/20 13 Khoa ðiện – ðiện tử - ðHBK Tp.HCM 17 Ví dụ: Cho mạch như hình vẽ : Ipo = 4mA, Vpo = 4V Tìm Q? Ta có: VGS = VDD –RDID – RGIG = VDD –RDID (IG =0) VGSQ = VDD –RDIDQ (1) Mặt khác: IDQ = Ipo (2) Từ (1) và... - ðHBK Tp.HCM Ví dụ: Cho mạch như hình vẽ: Ipo = 0.1 mA , Vpo = 4 V Tìm Q? Ta có: VGS = VG - VS = - VS = - RS IDQ (IG =0) VGSQ = - RS IDQ (1) Mặt khác: IDQ = Ipo (2) Từ (1) và (2) ta có : 6.25x10 -3 (VGSQ)2 + 1.05 VGSQ + 0.1 = 0 VGSQ = -0.095V VGSQ= - 168V ( Lọai vì < -Vpo) VDS = VDD - IDQ (RS + RD )= 19.81 (V) Nhận xét: RG không ảnh hưởng ñến sự phân cực do IG =0 13 4/2/20 13 Khoa ðiện – ðiện tử - ðHBK ... • FET kênh p • Cấu tạo hoạt động phân cực • JFET • MOSFET (IGFET) 4/2/20 13 Khoa ðiện – ðiện tử - ðHBK Tp.HCM • Kênh bán dẫn điều khiển điện áp • FET nguồn dòng phụ thuộc áp • FET kênh p • FET. .. -1 1.125 2.10-4 3. 125 MOSFET 4.5 8 4/2/20 13 Khoa ðiện – ðiện tử - ðHBK Tp.HCM • Mạch phân cực cho JFET • Mạch phân cực cho MOSFET • Chế độ nghèo • Chế độ tăng cường 11 4/2/20 13 Khoa ðiện – ðiện...4/2/20 13 Khoa ðiện – ðiện tử - ðHBK Tp.HCM • Nguyên lý hoạt động • Đặc điểm - Phân loại - Ký hiệu • Cấu tạo hoạt động phân cực • Mạch phân cực (DC) • Mạch phân cực cho JFET • Mạch phân cực cho MOSFET

Ngày đăng: 28/04/2016, 12:41

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

w