Chương 6 mạch điện tử số (môn điện tử 2)

BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ 2 – Chương 6 Đại học Thủy Lợi – Khoa Năng Lượng – Bộ môn Kỹ Thuật Điện Giảng viên : Ths. Bùi Văn Đại Email : buidai68@gmail.com Chương 6 : Mạch điện tử số 1 : Lý luận thiết kế IC, so sánh Mos & BJT 7 : KĐ CS & Rs, CE & Re 2 : Phân cực Ic, các nguồn dòng 3 : Đáp ứng tần số cao 6 : KĐ cascode 5 : KĐ CG, CB với tải tích cực 4 : KĐ CS,CE với tải tích cực 8 : KĐ CD, CC 9 : Các cặp trans, mạch dòng mirror 1 : Lí luận thiết kế IC, so sánh Mos - BJT Tiết kiệm diện tích - Loại bỏ trở lớn - Loại bỏ tụ rẽ nhánh (tụ lớn) - Giảm kích thước (chiều dài kênh dẫn) Cmos được sử dụng rộng rãi - Kết hợp với BJT thành Bimos Mạch nguồn dòng và ảnh dòng 2 vùng tiếp giáp : EBJ : phát – gốc và CBJ : góp – gốc 1 : Lí luận thiết kế IC, so sánh Mos - BJT  Thông số đặc trưng Mos: Thông số Mosfet 1 : Lí luận thiết kế IC, so sánh Mos - BJT Thông số BJT 1 : Lí luận thiết kế IC, so sánh Mos - BJT  So sánh Mos và BJT (xem bảng trong STHT hoặc giáo trình) Mos - điện trở vào là vô cùng - thông số W/L dễ thay đổi so với Ae BJT - điện dẫn cao hơn - hệ số khuếch đại tốt 1 : Lí luận thiết kế IC, so sánh Mos - BJT  Mos : - Phù hợp với KĐ trở kháng vào cao - Chuyển mạch - Phù hợp mật độ đóng gói cao (IC)  BJT - Mạch yêu cầu chất lượng cao (KĐTT)  BiCmos - Cấy thêm BJT trên cùng vi mạch Mos 2 : Phân cực Ic, các nguồn dòng Dùng các nguồn dòng hằng  - Dòng tham chiếu : Iref  - Các mạch lái dòng Nguồn dòng  - Dùng Mos  - Dùng BJT 2 : Phân cực Ic, các nguồn dòng Nguồn dòng dùng Mos Điều kiện Vo > Vgs -Vt 1 DD GS D REF VV II R '2 22 1 ( ) ( ) 2 O D n GS tn W I I k V V L 2 1 ( / ) ( / ) O REF I WL I W L 2 : Phân cực Ic, các nguồn dòng Mạch lái dòng Mos Điều kiện : 2 2 1 ( / ) ( / ) REF WL II WL 3 3 1 ( / ) ( / ) REF WL II WL 3 43 1 ( / ) ( / ) WL II WL 5 54 4 ( / ) * ( / ) WL II WL [...]... tích cực Đáp ứng tần số cao 5: KĐ cổng chung, gốc chung với tải tích cực Đáp ứng tần số cao 5: KĐ cổng chung, gốc chung với tải tích cực Mạch KĐ gốc chung 5: KĐ cổng chung, gốc chung với tải tích cực Mạch KĐ gốc chung Điện trở vào Hệ số KĐ Điện trở ra 6 : Khuếch đại cascade, nguồn cực phát Cascode Mos (ghép tầng Mos) 6 : Khuếch đại cascade, nguồn cực phát Cascode Mos 6 : Khuếch đại cascade,... dòng I REF VCC VEE VBE1 VBE 2 R 3 : Đáp ứng tần số cao Tổng quát 3 : Đáp ứng tần số cao Hàm số của hệ số KĐ tần cao A(s) = AM FH (s) FH ( s ) (1 s / (1 s / Z 1 ).(1 s/ P1 ).(1 s / Tần số 3dB - fH 1 FH ( s) 1 s/ H P1 P1 Z 2 ) (1 s/ P 2 ) (1 s / Zn ) Pn ) 3 : Đáp ứng tần số cao  Không có cực vượt trội FH ( s) H (1 s / (1 s / 1/ 1 Z 1 ).(1 s/ P1 ).(1 s / Z2) P2 ) 1 2 2 2 P2 2 Z1 2 Z2 2 P1  Mở rộng :... : nhiều điểm cực và điểm zero H 1/ ( 1 2 P1 1 2 P2 .) 2( 1 2 Z1 1 2 Z2 .) 3 : Đáp ứng tần số cao  Dùng hằng số thời gian mạch hở 1 a1s a2 s 2 an s n 1 b1s b2 s 2 bn s n FH ( s ) 1 P1 b1 1 P2 n b1 Ci Rio i 1 H 1 b1 1 n [ Ci Rio ] i 1 1 Pn 3 : Đáp ứng tần số cao Lý thuyết Miller 4 : KĐ CS,CE với tải tích cực Mạch KĐ CS với tải tích cực Ri Avo Ro g m ro ro 4 : KĐ CS, CE với tải tích cực CS với tải... Cascode Mos 6 : Khuếch đại cascade, nguồn cực phát Đáp ứng tần số cascode  1 Cgs1 nhìn Rsig  2 Cgd1 nhìn Rgd1 Rgd1 = (1+gm1Rs1)Rsig + Rd1  3 (Cdb1 + Cgs2) nhìn Rd1  4 (CL + Cgd2) nhìn (RL // Rout) H Rsig Cgs1 Cgd 1 1 g m1 Rd 1 RL // Rout CL Cgd 2 1 Rd 1 Cgd 1 Cdb1 Cgs2 6 : Khuếch đại cascade, nguồn cực phát Đáp ứng tần cascode 6 : Khuếch đại cascade, nguồn cực phát Đáp ứng tần cascode ... ứng tần số cao (CS) 4: KĐ CS, CE với tải tích cực  Sử dụng lý thuyết Miller  Giả thiết: bỏ qua ảnh hưởng CL, Rsig lớn và điểm cực vượt trội do thành phần Rsig và Cin tạo ra 5: KĐ cổng chung, gốc chung với tải tích cực KĐ cổng chung (CG) Ảnh hưởng của phần thân 5: KĐ cổng chung, gốc chung với tải tích cực Mô hình tín hiệu nhỏ 5: KĐ cổng chung, gốc chung với tải tích cực Trở kháng vào Hệ số KĐ áp . BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ 2 – Chương 6 Đại học Thủy Lợi – Khoa Năng Lượng – Bộ môn Kỹ Thuật Điện Giảng viên : Ths. Bùi Văn Đại Email : buidai68@gmail.com Chương 6 : Mạch điện tử số 1 : Lý luận. dòng 12CC EE BE BE REF V V V V I R 3 : Đáp ứng tần số cao Tổng quát 3 : Đáp ứng tần số cao Hàm số của hệ số KĐ tần cao Tần số 3dB - fH A(s) = A M F H (s) 12 12 (1 / ).(1 /. ứng tần số cao  Dùng hằng số thời gian mạch hở 2 12 2 12 1 () 1 n n H n n a s a s a s Fs b s b s b s 1 P1 P2 Pn 1 1 1 b 1 1 n i io i b C R 1 1 11 [] H n i io i b CR 3 : Đáp ứng tần số cao