Mosfet loại tăng (enhancement mosfet e mosfet)

Mosfet loại tăng (enhancement mosfet e-mosfet) Mosfet loại tăng (enhancement mosfet emosfet) Bởi: Trương Văn Tám MOSFET loại tăng có hai loại: E-MOSFET kênh N E-MOSFET kênh P Về mặt cấu tạo giống DE-MOSFET, khác bình thường thông lộ nối liền hai vùng thoát D vùng nguồn S Mô hình cấu tạo ký hiệu diễn tả hình vẽ sau 1/4 Mosfet loại tăng (enhancement mosfet e-mosfet) Khi VGS < 0V, (ở E-MOSFET kênh N), thông lộ nối liền hai vùng thoát nguồn nên có nguồn điện VDD áp vào hai cực thoát nguồn, điện tử di chuyển nên dòng thoát ID (ID # 0V) Lúc này, có dòng điện rỉ nhỏ chạy qua Khi VGS>0, điện trường tạo vùng cổng Do cổng mang điện tích dương nên hút điện tử p- (là hạt tải điện thiểu số) đến tập trung mặt đối diện vùng cổng Khi VGS đủ lớn, lực hút mạnh, điện tử đến tập trung nhiều tạo thành thông lộ tạm thời nối liền hai vùng nguồn S thoát D Điện VGS mà từ 2/4 Mosfet loại tăng (enhancement mosfet e-mosfet) dòng điện thoát ID bắt đầu tăng gọi điện thềm cổng - nguồn (gate-to-source threshold voltage) VGS(th) Khi VGS tăng lớn VGS(th), dòng điện thoát ID tiếp tục tăng nhanh Người ta chứng minh rằng: Trong đó: ID dòng điện thoát E-MOSFET K số với đơn vị A V2 VGS điện phân cực cổng nguồn VGS(th) điện thềm cổng nguồn Hằng số K thường tìm cách gián tiếp từ thông số nhà sản xuất cung cấp Thí dụ: Một E-MOSFET kênh N có VGS(th) =3,8V dòng điện thoát ID = 10mA VGS = 8V Tìm dòng điện thoát ID VGS = 6V 3/4 Mosfet loại tăng (enhancement mosfet e-mosfet) 4/4 ... Điện VGS mà từ 2/4 Mosfet loại tăng (enhancement mosfet e -mosfet) dòng điện thoát ID bắt đầu tăng gọi điện thềm cổng - nguồn (gate-to-source threshold voltage) VGS(th) Khi VGS tăng lớn VGS(th),.. .Mosfet loại tăng (enhancement mosfet e -mosfet) Khi VGS < 0V, (ở E -MOSFET kênh N), thông lộ nối liền hai vùng thoát nguồn nên có nguồn... xuất cung cấp Thí dụ: Một E -MOSFET kênh N có VGS(th) =3,8V dòng điện thoát ID = 10mA VGS = 8V Tìm dòng điện thoát ID VGS = 6V 3/4 Mosfet loại tăng (enhancement mosfet e -mosfet) 4/4