Mosfet loại hiếm (depletion mosfet de mosfet)

Mosfet loại (depletion mosfet de mosfet) Mosfet loại (depletion mosfet de mosfet) Bởi: Trương Văn Tám Ta thấy áp điện âm vào JFET kênh N vùng rộng Sự gia tăng vùng làm cho thông lộ hẹp lại điện trở thông lộ tăng lên Kết sau tạo dòng điện ID nhỏ IDSS Bây giờ, ta áp điện dương VGS vào JFET kênh N vùng hẹp lại (do phân cực thuận cổng nguồn), thông lộ rộng điện trở thông lộ giảm xuống, kết dòng điện ID lớn IDSS Trong ứng dụng thông thường, người ta phân cực nghịch nối cổng nguồn (VGS âm JFET kênh N dương JFET kênh P) gọi điều hành theo kiểu JFET điều hành theo kiểu tăng (VGS dương JFET kênh N âm JFET kênh P) ứng dụng, mục đích JFET tổng trở vào lớn, nghĩa dòng điện IG cực cổng - nguồn JFET làm giảm tổng trở vào, thông thường người ta giới hạn trị số phân cực thuận nối cổng - nguồn tối đa 0,2V (trị số danh định 0,5V) 1/6 Mosfet loại (depletion mosfet de mosfet) Tuy JFET có tổng trở vào lớn nhỏ so với đèn chân không Để tăng tổng trở vào, người ta tạo loại transistor trường khác cho cực cổng cách điện hẳn cực nguồn Lớp cách điện Oxyt bán dẫn SiO2 nên transistor gọi MOSFET Ta phân biệt hai loại MOSFET: MOSFET loại MOSFET loại tăng 2/6 Mosfet loại (depletion mosfet de mosfet) Hình sau mô tả cấu tạo MOSFET loại (DE - MOSFET) kênh N kênh P Chú ý DE - MOSFET có cực: cực thoát D, cực nguồn S, cực cổng G thân U (subtrate) Trong ứng dụng thông thường, thân U nối với nguồn S Để DE-MOSFET hoạt động, người ta áp nguồn điện VDD vào cực thoát cực nguồn (cực dương nguồn điện nối với cực thoát D cực âm nối với cực nguồn S DE-MOSFET kênh N ngược lại DE-MOSFET kênh P) Điện VGS cực cổng cực nguồn âm (DE-MOSFET kênh N điều hành theo kiểu hiếm) dương (DE-MOSFET kênh N điều hành theo kiểu tăng) 3/6 Mosfet loại (depletion mosfet de mosfet) 4/6 Mosfet loại (depletion mosfet de mosfet) Khi VGS = 0V (cực cổng nối thẳng với cực nguồn), điện tử di chuyển cực âm nguồn điện VDD qua kênh n- đến vùng thoát (cực dương nguồn điện VDD) tạo dòng điện thoát ID Khi điện VDS lớn điện tích âm cổng G nhiều (do cổng G điên với nguồn S) đẩy điện tử kênh n- xa làm cho vùng rộng thêm Khi vùng vừa chắn ngang kênh kênh bị nghẽn dòng điện thoát ID đạt đến trị số bảo hoà IDSS Khi VGS âm, nghẽn xảy sớm dòng điện bảo hoà ID nhỏ Khi VGS dương (điều hành theo kiểu tăng), điện tích dương cực cổng hút điện tử mặt tiếp xúc nhiều, vùng hẹp lại tức thông lộ rộng ra, điện trở thông lộ giảm nhỏ Điều làm cho dòng thoát ID lớn trường hợp VGS = 0V Vì cực cổng cách điện hẳn khỏi cực nguồn nên tổng trở vào DE-MOSFET lớn JFET nhiều Cũng thế, điều hành theo kiểu tăng, nguồn VGS lớn 0,2V Thế ta phải có giới hạn dòng ID gọi IDMAX Đặc tuyến truyền đặc tuyến ngõ sau: 5/6 Mosfet loại (depletion mosfet de mosfet) Như vậy, hoạt động, DE-MOSFET giống hệt JFET có tổng trở vào lớn dòng rỉ IGSS nhỏ nhiều so với JFET 6/6 ... gọi MOSFET Ta phân biệt hai loại MOSFET: MOSFET loại MOSFET loại tăng 2/6 Mosfet loại (depletion mosfet de mosfet) Hình sau mô tả cấu tạo MOSFET loại (DE - MOSFET) kênh N kênh P Chú ý DE - MOSFET. .. nguồn âm (DE -MOSFET kênh N điều hành theo kiểu hiếm) dương (DE -MOSFET kênh N điều hành theo kiểu tăng) 3/6 Mosfet loại (depletion mosfet de mosfet) 4/6 Mosfet loại (depletion mosfet de mosfet) .. .Mosfet loại (depletion mosfet de mosfet) Tuy JFET có tổng trở vào lớn nhỏ so với đèn chân không Để tăng tổng trở vào, người ta tạo loại transistor trường khác cho