1. Trang chủ
  2. » Khoa Học Tự Nhiên

Nghiên cứu chế tạo màng ITO bằng phương pháp phún xạ Magnetron

31 1,4K 1

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 31
Dung lượng 3,11 MB

Nội dung

Nghiên cứu chế tạo màng ITO bằng phương pháp phún xạ Magnetron

Trang 1

GVHD: TS Lê Trấn

Nghiên cứu chế tạo màng ITO bằng phương pháp phún xạ

Magnetron

Trang 2

Lưu lại thông tin cần thiết:

Trang 4

Nội dung

Các bước tạo màng Các phương pháp xác định tính chất của màng

Màng ITO Phương pháp phún xạ magnetron

Độ dày màng Khí oxi

Trang 5

Tổng quan

Trang 6

ITO: hỗn hợp của Indium oxide (In2O3 ) và Tin Oxide (SnO2),

Cơ chế dẫn điện: các electron dẫn sinh ra do có sự pha tạp donor hoặc do sự thiếu oxi trong cấu trúc màng

Có độ truyền qua cao ở vùng khả kiến và điện trở suất thấp Dùng làm điện cực trong suốt trong các loại màn hình, pin mặt trời màng mỏng, OLED…

Màng ITO

Trang 7

Ưu điểm của phương pháp phún xạ Magnetron

 Nhiệt độ đế thấp, có thể xuống đến nhiệt độ phòng

 Phương pháp có chi phí không cao

 Có khả năng phủ màng trên diện tích rộng

Trang 8

Phún xạ Magetron

Trang 9

Thực nghiệm

Trang 10

Một số đặc điểm của quá trình tạo màng

Áp suất nền trước khi tạo màng 4x10-6 torr

Áp suất khí làm việc điển hình khoảng 3 x

10-3 torr.

Công suất phún xạ, áp suất làm việc, nhiệt

độ đế, thời gian phún xạ thay đổi tùy theo

Trang 11

Các phép đo xác định tính chất của màng

Phương pháp 4 mũi dò thẳng: đo điện trở mặt của màng

Phương pháp van der Pauw với máy HMS 3000: xác định nồng độ và độ linh động Hall của hạt tải

Phương pháp đo độ dày:bằng máy Stylus Dektak 6M

Phép đo nhiễu xạ tia X: xác định cấu trúc tinh thể trên máy Siemens D5

Phổ truyền qua trong vùng phổ 190 – 1100 nm được đo bằng máy UV-Vis Jasco V-530.

Phổ truyền qua và phản xạ trong vùng hồng ngoại bước sóng 0.65-1.8µm được đo bằng máy FTIR Bruker Equinox 55.

Trang 12

Kết quả

Trang 16

3 Công suất phún xạ

Cực tiểu của điện trở

suất ở công suất

Trang 18

4 Nhiệt độ đế

Khi tăng nhiệt độ đế

điện trở suất giảm

Trang 19

4 Nhiệt độ đế

Trang 20

4 Nhiệt độ đế

t > 150 0 C chuyển pha từ trạng thái vô định hình sang tinh thể

Trang 23

5 Độ dày màng

Trang 24

5 Độ dày màng

d từ 300 - 600 nm là phù hợp vì tốt ở cả

Trang 27

7 Xử lý nhiệt sau khi phủ

Trang 28

7 Xử lý nhiệt sau khi phủ

Trang 29

Kết luận

Công suất 50 W Khoảng cách bia đế là 5 cm

Và độ dày trên 300 nm đến 600nm Nhiệt độ tinh thể hóa của màng ITO trên

Trang 30

Tài liệu tham khảo

trong suốt bằng phương pháp phún xạ

Magnetron, Luận án tiến sĩ vật lý quang học,

Trang 31

Thanks for your

Ngày đăng: 15/08/2015, 10:06

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w