chuyên đề tổng quan về tia x

1 Lời mở đầu Ngày nay, với sự phát triển của khoa học kĩ thuật người ta đã chế tạo những máy nhiễu xạ tia X với độ phân giải cao và xây dựng được thư viện đồ sộ về phổ nhiễu xạ của các hợp chất, cho nên chúng ta hiểu được cấu trúc của vật liệu và xâm nhập vào cấu trúc tinh vi của mạng tinh thể, do đó đã tạo được những vật liệu tốt đáp ứng được yêu cầu trong các lĩnh vực khác nhau và phục vụ đời sống con người. Vì vậy, việc nghiên cứu phương pháp nhiễu xạ tia X cũng như việc chế tạo máy nhiễu xạ hiện đại là rất quan trọng trong việc tạo ra những vật liệu mới trên thế giới hiện nay. Như vậy, tia X được tạo ra như thế nào và nó được ứng dụng của phương pháp nhiễu xạ tia X như thế nào? Bài tiểu luận của nhóm sẽ giúp chúng ta hiểu rõ thêm về điều đó. Thành viên nhóm Nguyễn Lê Anh Nguyễn Tố Ái Nguyễn Quốc Khánh Nguyễn Ngọc Phương Dung Trần Hữu Cầu Trịnh Ngọc Diểm 2 I. TỔNG QUAN VỀ TIA X 1. Tia X Tia X hay X quang hay tia Röntgen là một dạng của sóng điện từ, nó có bước sóng trong khoảng từ 0,01 đến 1 nm tương ứng với dãy tần số từ 30 PHz đến 30 EHz và năng lượng từ 120 eV đến 120 keV. Bước sóng của nó ngắn hơn tia tử ngoại nhưng dài hơn tia Gamma. - Những tia X có bước sóng từ 0,01 nm đến 0,1 nm có tính đâm xuyên mạnh hơn nên gọi là tia X cứng. - Những tia X có bước sóng từ 0,1 nm đến khoảng 1 nm có tính đâm xuyên yếu hơn được gọi là tia X mềm. Các tính chất của tia X: - Khả năng xuyên thấu lớn. - Gây ra hiện tượng phát quang ở một số chất. - Làm đen phim ảnh, kính ảnh. - Ion hóa các chất khí. - Tác dụng mạnh lên cơ thể sống, gây hại cho sức khỏe. Wilhelm Conrad Roentgen (1845–1923) 3 2. Cách tạo ra tia X Tia X được phát ra khi các electron hoặc các hạt mang điện khác bị hãm bởi một vật chắn và xuất hiện trong quá trình tương tác giữa bức xạ γ với vật chất. Thông thường để tạo ra tia X người ta sử dụng electron vì để gia tốc electron đòi hỏi điện thế nhỏ hơn so với các trường hợp dùng các hạt mang điện khác. Tia X được tạo ra trong ống phát Röntgen thường làm bằng thuỷ tinh hay thạch anh có độ chân không cao, trong đó có hai điện cực catốt bằng vofram hay bạch kim sẽ phát ra electron và anốt dạng đĩa nghiêng 45 0 so với tia tới (H1). Hình vẽ mặt cắt cấu tạo của ống phát tia X (H.1) Các electron được tạo ra do nung nóng catot. Giữa catot và anot có một điện áp cao nên các electron được tăng tốc với tốc độ lớn tới đập vào anot. Nếu electron tới có năng lượng đủ lớn làm bứt ra các electron ở lớp bên trong nguyên tử của anot thì nguyên tử sẽ ở trạng thái kích thích với một lỗ trống trong lớp electron. Khi lỗ trống đó được lấp đầy bởi một electron của lớp bên ngoài thì photon tia X với năng lượng bằng hiệu các mức năng lượng electron được phát ra. Nếu toàn bộ năng lượng của electron đều chuyển thành năng lượng của photon tia X thì năng lượng photon tia X được liên hệ với điện thế kích thích U theo hệ thức: 4 hchc EeU eU l l ==ị= Khi ú photon tia X cú nng lng ln nht hay bc súng ngn nht. Thc t, ch khong 1% nng lng ca tia electron c chuyn thnh tia X, phn ln b tiờu tỏn di dng nhit lm anot núng lờn v ngi ta phi lm ngui anot bng nc. Ta cú: 24 02 222 12 21 e meF Ehf hnn p ổử D== ỗữ - ốứ Trong ú, m e : khi lng tnh ca electron e 0 : in tớch ca electron F: in tớch ht nhõn hiu dng tỏc dng lờn electron v F = Z , l h s chn. n 1 , n 2 : cỏc s lng t chớnh (n 1 < n 2 ) Chỳ ý rng: 1 f c l = vi c l vn tc ỏnh sỏng, ta cú: () 2 22 12 11 RZ nn s l ổử =- ỗữ - ốứ R: hng s Rydberg (109737) Z: in tớch ht nhõn ca kim loi dựng lm i catot. II. TINH TH 1. Cu to Trong khoỏng vt hc v tinh th hc, mt cu trỳc tinh th l mt s sp xp c bit ca cỏc nguyờn t trong tinh th. Mt cu trỳc tinh th gm cú mt ụ n v v rt nhiu cỏc nguyờn t sp xp theo mt cỏch c bit; v trớ ca chỳng c lp li mt cỏch tun hon trong khụng gian ba chiu theo mt mng Bravais. Kớch thc ca ụ n v theo cỏc chiu khỏc nhau c gi l cỏc thụng s mng hay hng s mng. Tựy thuc vo tớnh 5 chất đối xứng của ô đơn vị mà tinh thể đó thuộc vào một trong các nhóm không gian khác nhau. Cấu trúc và đối xứng của tinh thể có vai trò rất quan trọng với các tính chất liên kết, tính chất điện, tính chất quang, của của tinh thể. a. Ô đơn vị: Ô đơn vị là một cách sắp xếp của các nguyên tử trong không gian ba chiều, nếu ta lặp lại nó thì nó sẽ chiếm đầy không gian và sẽ tạo nên tinh thể. Vị trí của các nguyên tử trong ô đơn vị được mô tả bằng một hệ đơn vị hay còn gọi là một hệ cơ sở bao gồm ba thông số tương ứng với ba chiều của không gian (x i , y i , z i ). Đối với mỗi cấu trúc tinh thể, tồn tại một ô đơn vị quy ước, thường được chọn để mạng tinh thể có tính đối xứng cao nhất. Tuy vậy, ô đơn vị quy ước không phải luôn luôn là lựa chọn nhỏ nhất. Ô nguyên tố mới là một lựa chọn nhỏ nhất mà từ đó ta có thể tạo nên tinh thể bằng cách lặp lại ô nguyên tố. Ô Wigner Seitz là một loại ô nguyên tố mà có tính đối xứng giống như của mạng tinh thể. b. Hệ tinh thể Hệ tinh thể là một nhóm điểm của các mạng tinh thể (tập hợp các phép đối xứng quay và đối xứng phản xạ mà một điểm của mạng tinh thể không biến đối). Hệ tinh thể không có các nguyên tử trong các ô đơn vị. Nó chỉ là những biểu diễn hình học mà thôi. Có tất cả bảy hệ tinh thể. Hệ tinh thể đơn giản nhất và đối xứng cao nhất là hệ lập phương, các hệ tinh thể khác có tính đối xứng thấp hơn là: hệ sáu phương, hệ bốn phương, hệ ba phương (còn gọi là hình mặt thoi), hệ thoi, hệ một nghiêng, hệ ba nghiêng. Một số nhà tinh thể học coi hệ tinh thể ba phương là một phần của hệ tinh thể sáu phương. c. Phân loại mạng tinh thể Mạng Bravais là một tập hợp các điểm tạo thành từ một điểm duy nhất theo các bước rời rác xác định bởi các véc tơ cơ sở. Trong không gian ba chiều có tồn tại 14 mạng 6 Bravais (phân biệt với nhau bởi các nhóm không gian). Tất cả các vật liệu có cấu trúc tinh thể đều thuộc vào một trong các mạng Bravais này (không tính đến các giả tinh thể). Cấu trúc tinh thể là một trong các mạng tinh thể với một ô đơn vị và các nguyên tử có mặt tại các nút mạng của các ô đơn vị nói trên. 2. Chỉ số Miller của mặt tinh thể Chỉ số Miller của mặt phẳng tinh thể được xác định là nghịch đảo giao điểm phân số của mặt tinh thể cắt trên trục tinh thể x,y và z của ba cạnh không song song của ô cơ bản. Chỉ số Miller được xác định như sau: - Chọn một mặt phẳng không đi qua gốc tọa độ (0,0,0). - Xác định các tọa độ giao điểm của mặt phẳng với các trục x, y và z của ô đơn vị. Tọa độ giao điểm đó sẽ là các phân số. - Lấy nghịch đảo các tọa độ giao điểm này. - Quy đồng các phân số này và xác định tập nguyên nhỏ nhất của các tử số. Các số này chính là chỉ số Miller, kí hiệu là h, k và l. Một bộ chỉ số (hkl) biểu diễn không phải một mặt phẳng mà là biểu diễn một họ các mặt phẳng song song nhau. Trong cấu trúc tinh thể khoảng cách giữa các mặt phẳng song song gần nhau nhất có cùng chỉ số Miller được kí hiệu là d hkl trong đó h, k, l là chỉ số Miller của các mặt. Từ hình học ta có thể thấy rằng khoảng cách d hkl giữa các mặt lân cận song song trong tinh thể lập phương là: 222 22 1 hkl hkl da ++ = với a độ dài vectơ cơ sở của mạng lập phương (còn gọi là hằng số mạng). Các mặt phẳng (hkl) và (nh nk nl) , n là số nguyên, là song song nhau, nhưng khoảng cách giữa các mặt phẳng của mặt phẳng (nh nk nl) bằng 1/n khoảng cách giữa các mặt phẳng (hkl). 7 3. Mạng đảo Mặt phẳng trong không gian thực có thể biểu diễn bằng một nút mạng trong không gian đảo. Ô cơ bản của mạng đảo được xác định bởi các vectơ a * uur , b * uur , c * uur thỏa mãn hệ thức sau: 1 0 aabbcc abbcca *** *** ì === ï í ==== ï î uuruuruur rrr , trong đó a r , b r , c r là các vectơ đơn vị tinh thể. Mạng đảo có những tính chất sau: - Mỗi nút mạng đảo tương ứng với một mặt (hkl) của tinh thể. - Vectơ mạng đảo hkl ghakblc *** =++ uuruuruur uuur vuông góc với mặt phẳng mạng (hkl) của mạng tinh thể và 1 hkl hkl g d = . Trong đó d hkl là khoảng cách giữa các mặt phẳng (hkl) trong mạng tinh thể. Mạng đảo xác định một khoảng cách vị trí mạng có khả năng dẫn đến sự nhiễu xạ. Mỗi cấu trúc tinh thể có hai mạng liên hợp với nó, mạng tinh thể và mạng đảo và ảnh nhiễu xạ của tinh thể là một bức tranh mạng đảo của tinh thể. III. NHIỄU XẠ TIA X 1. Hiện tượng nhiễu xạ tia X Nhiễu xạ tia X là hiện tượng các chùm tia X nhiễu xạ trên các mặt tinh thể của chất rắn do tính tuần hoàn của cấu trúc tinh thể tạo nên các cực đại và cực tiểu nhiễu xạ. Kỹ thuật nhiễu xạ tia X (thường viết gọn là nhiễu xạ tia X) được sử dụng để phân tích cấu trúc chất rắn, vật liệu Xét về bản chất vật lý, nhiễu xạ tia X cũng gần giống với nhiễu xạ electron, sự khác nhau trong tính chất phổ nhiễu xạ là do sự khác nhau về tương tác giữa tia X với nguyên tử và sự tương tác giữa electron và nguyên tử. 8 Nhiễu xạ là đặc tính chung của các sóng bị thay đổi khi tương tác với vật chất và là sự giao thoa tăng cường của nhiều hơn một sóng tán xạ. Quá trình hấp thụ và tái phát bức xạ electron còn gọi là tán xạ. Mỗi photon có năng lượng E tỷ lệ với tần số f của nó: Ehf = Mặt khác tần số f liên quan tới bước sóng λ theo công thức sau: hc E l = , trong đó h là hằng số Planck (h = 6,626.10 –34 J.s), c là vận tốc ánh sáng (c = 3.10 –8 m/s), theo tính toán bước sóng tia X khoảng 0,2 nm (2Å). Để mô tả hiện tượng nhiễu xạ người ta đưa ra ba thuật ngữ sau: - Tán xạ (Scattering): là quá trình hấp thu và tái bức xạ thứ cấp theo các hướng khác nhau. - Giao thoa (Interference): là sự chồng chất của hai hoặc nhiều sóng tán xạ tạo thành sóng tổng hợp. - Nhiễu xạ (Diffraction): là sự giao thoa tăng cường của nhiều sóng tán xạ. Chiếu lên tinh thể một chùm tia Rơnghen, mỗi nút mạng trở thành tâm nhiễu xạ và mạng tinh thể đóng vai trò như cách tử nhiễu xạ. Nếu tia X chiếu vào nguyên tử làm các electron dao động xung quanh vtcb của chúng, khi electron bị hãm thì phát xạ tia X. Quá trình hấp thụ và tái phát bức xạ electron này được gọi là tán xạ, hay nói cách khác photon của tia X bị hấp thụ bởi nguyên tử và photon khác có cùng năng lượng được tạo ra. Khi không có sự thay đổi về năng lượng giữa photon tới và photon phát xạ thì tán xạ là đàn hồi, ngược lại nếu mất năng lượng photon thì tán xạ không đàn hồi. Khi hai sóng rọi vào nguyên tử (có nhiều electron) mà chúng bị tán xạ bởi electron theo hướng tới . Hai sóng phản xạ theo hướng tới cùng pha tại mặt phẳng tới vì chúng có cùng quãng đường đi trước và sau tán xạ. Nếu cộng hai sóng này sẽ được một sóng có cùng bước sóng nhưng có biên độ gấp đôi. Các sóng tán xạ theo các hướng khác sẽ không 9 cùng pha tại mặt sóng nếu hiệu quang trình không bằng một số nguyên lần bước sóng. Nếu ta cộng hai sóng này thì biên độ sẽ nhỏ hơn biên độ sóng tán xạ theo hướng tới. Như vậy, các sóng tán xạ từ mỗi nguyên tử sẽ giao thoa với nhau, nếu các sóng cùng pha thì xuất hiện giao thoa tăng cường, nếu lệch pha 180 0 thì giao thoa triệt tiêu. 2. Định luật Vulf – Bragg Khi chiếu tia X vào vật rắn tinh thể thì xuất hiện các tia nhiễu xạ với cường độ và hướng khác nhau. Các hướng này bị khống chế bởi bước sóng của bức xạ tới và bởi bản chất của mẫu tinh thể. Định luật Vulf – Bragg được đưa ra năm 1913 thể hiện mối quan hệ giữa bước sóng tia X và khoảng cách giữa các mặt phẳng nguyên tử. Theo lý thuyết về cấu tạo tinh thể, những nguyên tử hay ion phân bố một cách trật tự đều đặn trong không gian theo một quy luật xác định. Khoảng cách giữa các nguyên tử (ion) khoảng vài Å. Khi chùm tia X đập vào tinh thể thì xuất hiện các tia nhiễu xạ với cường độ và các hướng khác nhau. Định luật Bragg giả thiết rằng mỗi mặt phẳng nguyên tử phản xạ sóng tới độc lập như phản xạ gương. Giả sử có hai mặt phẳng song song AA’ và BB’ (H.2), có cùng chỉ số Miller h, k, l và cách nhau bởi khoảng cách giữa các mặt phẳng nguyên tử d hkl . Giả thiết rằng tia tới là tia đơn sắc song song và cùng pha với bước sóng λ chiếu vào hai mặt phẳng này với một góc θ . Hai tia 1 và 2 bị tán xạ bởi nguyên tử Q và P cho hai tia phản xạ 1’ và 2’ cùng với một góc θ so với các mặt phẳng A, B. Điều kiện để nhiễu xạ là hiệu quang lộ: δ = (2Q2’) – (1P1’) = nλ. Nhiễu xạ tia X bởi các mặt phẳng của nguyên tử (H.2) 10 Suy ra: δ = SQ + QT = 2d hkl sinθ = nλ với n là số nguyên (n = 1, 2, 3,…) Phương trình Vulf – Bragg: 2sind hkl n lq = (n được gọi là “bậc phản xạ”). Phương trình này biểu thị mối quan hệ giữa góc các tia nhiễu xạ θ và bước sóng tia tới λ, khoảng cách giữa các mặt phẳng nguyên tử d. Nếu định luật Bragg không được thỏa mãn thì sẽ không xảy ra hiện tượng giao thoa. Khi n > 1 các phản xạ được coi là phản xạ bậc cao và phương trình Bragg có thể viết như sau: 2sin d n lq æö = ç÷ èø . Thông số d n là khoảng cách giữa các mặt phẳng (hkl) và nh, nk, nl là các chỉ số Miller có khoảng cách bằng 1 n cách khoảng giữa các mặt h, k, l. Định luật Bragg là điều kiện cần nhưng chưa đủ cho nhiễu xạ tia X, vì nhiễu xạ chỉ có thể chắc chắn xảy ra với các ô đơn vị có các nguyên tử ở ô góc mạng. Còn các nguyên tử không ở góc ô mạng mà ở trong các vị trí khác, chúng hoạt động như các tâm tán xạ phụ lệch pha với các góc Bragg nào đó, kết quả là mất đi một số tia nhiễu xạ theo phương trình phải có mặt. Họ mặt có chỉ số Miller càng nhỏ có khoảng cách giữa hai mặt kế nhau càng lớn và có mật độ các nút mạng càng lớn. 3. Cường độ nhiễu xạ Có thể tính toán được cường độ nhiễu xạ bằng cách cộng sóng hình sin với pha và biên độ khác nhau. Hướng của tia nhiễu xạ không bị ảnh hưởngbởi loại nguyên tử ở từng vị trí riêng biệt và hai ô mạng đơn vị có cùng kích thước nhưng với sự sắp xếp nguyên tử khác nhau sẽ nhiễu xạ tia X trên cùng một hướng. Tuy nhiên cường độ của các tia nhiễu xạ này khác nhau. Nhiễu xạ tia X từ các mặt của mạng tinh thể [...]...11 x c nh cng nhiu x thng tin hnh theo 3 bc sau: - Nhiu x tia X bi in t t do - Nhiu x tia X bi nguyờn t - Nhiu x bi ụ mng c bn a Nhiu x bi in t t do Thomson ó chng minh c cụng thc x c nh cng nhiu x tia X bi mt in t cú in tớch e v khi lng me ti khong cỏch r khong cỏch gia tỏn x in t n u dũ detector l: e4 I = I 0 2 2 4 sin 2 ( 2q ) r me c Trong ú I0 l cng tia X ti; c l tc ỏnh sỏng; 2 l hng tỏn x. .. http://vi.wikipedia.org/wiki/Tinh_th%E1%BB%83_h%E1%BB%8Dc _tia_ X 20 Ph lc Li m u 1 I Tng quan v tia x 2 1 Tia X 2 2 Cỏch to ra tia X 3 II Tinh th 4 1 Cu to 4 2 Ch s Miller ca mt tinh th 6 3 Mng o 7 III Nhiu x tia x 7 1 Hin tng nhiu x tia X 7 2 nh lut Vulf Bragg 9 3 Cng nhiu x 10 IV... phỏp nhiu x bt K thut nhiu x tia X c s dng ph bin nht l phng phỏp bt hay phng phỏp Debye Trong k thut ny, mu c to thnh bt vi mc ớch cú nhiu tinh th cú tớnh nh hng ngu nhiờn chc chn rng cú mt s ln ht cú nh hng tha món iu kin nhiu x Bragg B phn chớnh ca nhiu x k tia X (H.6) l: Ngun tia X, mu, detector tia X Chỳng c t nm trờn chu vi ca vũng trũn (gi l vũng trũn tiờu t) Gúc gia mt phng mu v tia X ti l ... tha món iu kin nhiu x Bragg n = 2dhklsin, trong phng phỏp xoay n tinh th chựm tia X n sc ( khụng i) c chiu lờn 13 n tinh th quay ( thay i) quanh mt phng tinh th no ú, trong phng phỏp nh Laue chựm bc x vi ph liờn tc ( thay i) c ri lờn n tinh th ng yờn ( khụng i) a Phng phỏp Laue Chựm tia X liờn tc c chiu lờn mu n tinh th v tia nhiu x c ghi nhn bi cỏc vt nhiu x trờn phim Bc x tia X liờn tc s cho gii... gia phng chiu tia X v tia nhiu x l 2 Ngun tia X c gi c nh cũn detector chuyn ng sut thang o gúc Bỏn kớnh ca vũng tiờu t khụng phi l mt hng s m tng khi gúc 2 gim Thang Nhiu x k tia X (H.6) quột 2 thng quay trong khong t 300 n 1400, vic la chn thang quột ph thuc vo cu trỳc tinh th ca vt liu Mu c to di dng lp mng c vi miligam bt tinh th tri trờn phng Tia X n sc c chiu ti mu v cng tia nhiu x c thu bng... nh nhiu x - Cỏc hn hp a pha cú th gp khú khn 17 - nh hng u tiờn cú th dn n vic x c nh cng ca cỏc vch khụng chớnh x c V NG DNG Tia X cú kh nng xuyờn qua nhiu vt cht nờn thng c dựng trong chp nh y t, nghiờn cu tinh th, kim tra hnh lý hnh khỏch trong ngnh hng khụng Tia X cng c phỏt ra bi cỏc thiờn th trong v tr, do ú nhiu mỏy chp nh trong thiờn vn hc cng hot ng trong ph tia X Vic s dng tia X c bit hu... ln hay nh) s dng dng c nhỡn trang b hunh quang Cỏc gii phu thnh mch mỏu, nh cỏc s can thip y t ca h thng ng mch, da ch yu vo cỏc mỏy o nhy vi tia X nh v cỏc thng tn tim tng cú th cha tr X tr tia X, mt s can thip y t, hin nay dựng chuyờn bit cho ung th, dựng cỏc tia X cú nng lng mnh 18 Mỏy nhiu x tia X dựng phõn tớch cu trỳc tinh th rt nhanh chúng v chớnh x c, ng dng nhiu trong vic phõn tớch cỏc... thỡ trờn gin nhiu x s tn ti ng thi nhiu h vch c lp nhau Phõn tớch cỏc vch ta cú th x c nh c cỏc pha cú trong mu ú l c s phõn tớch pha nh tớnh Phng phỏp phõn tớch pha nh lng bng tia X da trờn c s ca s ph thuc cng tia nhiu x vo nng Nu bit mi quan h ú v o c cng thỡ cú th x c nh c nng pha Cỏc pha cha bit trong vt liu cú th x c nh c bng cỏch so sỏnh s liu nhn c t gin nhiu x tia X t thc nghim vi s... thy nng lng tỏn x t cỏc in t n l rt nh b Nhiu x bi nguyờn t Nguyờn t cú nhiu ỏm mõy in t quay xung quanh ht nhõn Tia ti b tỏn x bi in t v ht nhõn Nhng ht nhõn ca nguyờn t rt ln cho nờn cú th b qua tỏn x bi ht nhõn, do ú tỏn x ton phn ch yu bi cỏc in t riờng bit Cỏc in t quay quanh ht nhõn cỏc v trớ khỏc nhau s sinh ra súng tỏn x vi pha khỏc nhau v s giao thoa vi nhau i lng tha s tỏn x nguyờn t f mụ... rng mt phng phỏp tuyn ú ca mt vựng s ct cu Ewald theo mt ng trũn giao Phim t sau tinh th chp tia X (H.3) tuyn v ch nhng nỳt o nm trờn giao tuyn ny mi cho tia nhiu x Nh vy, cỏc tia nhiu x s to nờn mt hỡnh trũn tia cú trc l trc 14 vựng v gúc m l 2, trong ú l gúc to bi tia X vi trc vựng Giao tuyn ca nún tia nhiu x vi phim chớnh l dng hỡnh hc ca cỏc ng vựng trờn nh Laue Khi < 450 ng vựng cú dng elip (H.3), . Tổng quan về tia x 2 1. Tia X 2 2. Cách tạo ra tia X 3 II. Tinh thể 4 1. Cấu tạo 4 2. Chỉ số Miller của mặt tinh thể 6 3. Mạng đảo 7 III. Nhiễu x tia x 7 1. Hiện tượng nhiễu x tia X. nhiễu x . Kỹ thuật nhiễu x tia X (thường viết gọn là nhiễu x tia X) được sử dụng để phân tích cấu trúc chất rắn, vật liệu X t về bản chất vật lý, nhiễu x tia X cũng gần giống với nhiễu x electron,. Khánh Nguyễn Ngọc Phương Dung Trần Hữu Cầu Trịnh Ngọc Diểm 2 I. TỔNG QUAN VỀ TIA X 1. Tia X Tia X hay X quang hay tia Röntgen là một dạng của sóng điện từ, nó có bước sóng trong khoảng